贾志刚
- 作品数：46 被引量：13H指数：2
- 供职机构：太原理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山西省基础研究计划项目山西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程自动化与计算机技术更多>>
- 一种基于3D打印的AlGaInP反极性发光二极管制备方法
- 本发明涉及半导体光电子器件与3D打印领域，具体为一种基于3D打印的AlGaInP反极性发光二极管制备方法。该方法所制备的芯片结构中n面主电极、ITO电流扩展层、n面接触电极、介质膜层、金属反射镜、金属键合层、p面电极采用...
- 许并社贾志刚马淑芳梁建董海亮
- 文献传递
- 三维生长温度对非故意掺杂GaN外延层性能的影响被引量：2
- 2016年
- 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石(0001)面上生长GaN外延层,并系统研究了三维生长温度对外延层晶体质量和残余应力的影响机理。利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、原子力显微镜(AFM)、光致发光光谱仪(PL)和拉曼光谱仪(Raman)分别对外延层的位错密度、表面形貌、发光性能和应力情况进行了分析。当三维生长温度分别为1060℃、1070℃和1080℃时,外延层刃位错密度分别为5.09×108/cm3、3.58×108/cm3和5.56×108/cm3,呈现先减小后增大的现象,而螺位错密度变化不显著,分别为1.06×108/cm3、0.98×108/cm3和1.01×108/cm3,同时外延层残余应力分别为0.86 GPa、0.81 GPa和0.65 GPa,呈现逐渐减小的趋势。这可能是由于三维生长温度不同时,外延层生长模式和弛豫程度发生改变所致。
- 李小杜尚林朱亚丹贾志刚梅伏洪翟光美李学敏许并社
- 关键词：GAN位错残余应力
- 一种高性能GaN基发光二极管结构及其制备方法
- 本发明一种高性能GaN基发光二极管结构及其制备方法，属于半导体材料技术领域；提供了一种GaN基发光二极管结构，增加了量子阱区对载流子的束缚能力，减少了载流子的泄漏，提高了GaN基发光二极管的内量子效率；一种高性能GaN基...
- 董海亮许并社贾伟贾志刚张爱琴屈凯李天保梁建
- 非对称异质波导808nm半导体激光器结构及其制备方法
- 本发明涉及非对称半导体激光器结构；常规的n‑p侧波导层采用同质半导体，导致波导层和限制层之间的能带结构相对固定，会造成载流子输运过程中的损失，影响工作电压和输出功率，本发明提供一种非对称异质波导808nm半导体激光器结构...
- 董海亮张欣蕾贾志刚贾伟梁建许并社
- 一种含有应变调制结构的多层InGaN量子点结构
- 本发明涉及三族氮化物半导体光电子材料领域，提出了一种含有应变调制结构的多层InGaN量子点结构，包括底垒层、顶垒层、位于底垒层和顶垒层之间的多个InGaN量子点层和设置在各个InGaN量子点层之间的中间垒层，其特征在于，...
- 贾志刚卢太平董海亮梁建马淑芳许并社
- 文献传递
- 边发射激光器光束整形结构及激光器芯片
- 本实用新型边发射激光器光束整形结构及激光器芯片，属于半导体材料技术领域；提供了一种提高了激光光斑的功率密度、减少了光束发散角的边发射激光器光束整形结构及激光器芯片；技术方案为：边发射激光器光束整形结构为梯形台，梯形台凹陷...
- 董海亮许并社贾志刚张爱琴屈凯李天保梁建
- 文献传递
- 类金字塔状GaN微米锥的形貌及发光性能被引量：1
- 2019年
- 三维结构GaN基LED能够解决二维GaN基薄膜LED中存在的量子限制斯塔克效应、效率骤降、发光波长单一等问题。基于此,本文对三维类金字塔状GaN微米锥的发光性能进行了详细的研究。通过金属有机化合物化学气相沉积原位沉积SiN_x掩模层后,首先制备了底面尺寸为8μm、高度7.5μm的类金字塔状GaN微米锥,之后在其半极性面外延生长了3个周期的InGaN/GaN多量子阱。通过阴极荧光测试发现,类金字塔状GaN微米锥的半极性面上不同位置发光波长不同;变功率微区光致发光测试表明,类金字塔状GaN微米锥的半极性面在InGaN/GaN多量子阱沉积之后极化场较弱;对InGaN/GaN多量子阱进行了透射电镜表征,结合阴极荧光光谱的结果最终解释了In原子在类金字塔状GaN微米锥上的迁移机理。利用其半极性面不同位置发光波长不同的结构特点及光学特性,可以制备多波长发射LED。
- 仝广运贾伟贾伟董海亮樊腾贾志刚董海亮
- 关键词：发光材料量子点
- 一种在二维石墨衬底上制备GaN薄膜的方法
- 本发明属GaN薄膜制备技术领域，为解决目前GaN和异质衬底之间存在较大的晶格失配和热失配，在GaN薄膜中产生大量的穿透位错，严重影响设备性能等问题，提供一种在二维石墨衬底上制备GaN薄膜的方法。HOPG采用机械剥离法进行...
- 李天保刘晨阳张哲于斌贾伟余春燕董海亮贾志刚许并社
- 文献传递
- 一种含有应变补偿结构的GaN基量子阱LED外延结构
- 本发明提供了一种含有应变补偿结构的GaN基量子阱LED外延结构，包括由下而上设置的蓝宝石衬底层、GaN低温形核层、U‑GaN层、N‑GaN层、含有应变补偿结构的InGaN/GaN量子阱有源区、电子阻挡层和P‑GaN层，所...
- 贾志刚卢太平董海亮梁建马淑芳贾伟李天保许并社
- 文献传递
- 一种纳米线激光器外延结构
- 本实用新型一种纳米线激光器外延结构，属于半导体材料技术领域；提供了一种高电光转换效率、可靠性高的大功率激光器件及其制备方法；该纳米线激光器外延结构，包括偏角衬底以及在偏角衬底依次生长的N型掺杂的缓冲层、N型掺杂的限制层、...
- 董海亮许并社贾志刚张爱琴屈凯李天保梁建
- 文献传递
