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王来福

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：北京有色金属研究总院更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 2篇电子枪
  • 2篇电子束熔炼
  • 2篇熔炼
  • 2篇熔炼炉
  • 2篇钼电极
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇挡板
  • 1篇直拉单晶硅
  • 1篇熔炼法
  • 1篇石英
  • 1篇籽晶
  • 1篇钼棒
  • 1篇金属
  • 1篇棒状
  • 1篇波纹管
  • 1篇掺杂

机构

  • 3篇北京有色金属...

作者

  • 3篇王来福
  • 2篇高建礼
  • 2篇谷洪刚
  • 2篇史青
  • 2篇廖志秋
  • 2篇王素娥
  • 1篇郑沉
  • 1篇方峰
  • 1篇安国祥
  • 1篇孙韶辉

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2001
  • 1篇2000
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种制造用于生产钼电极坯和钼流口坯的金属钼棒的方法
本发明涉及电子束熔炼法制造用于生产钼电极坯和钼流口坯的金属钼棒的方法。该法以棒状金属钼为原料，在电磁聚焦电子束熔炼炉中熔炼，炉体内的压强为5×10<Sup>-1</Sup>～1×10<Sup>-3</Sup>Pa，电子枪...
谷洪刚廖志秋高建礼史青王来福王素娥
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一种用于直拉单晶硅制备中的掺杂装置
一种用于直拉单晶硅制备中的掺杂装置，它包括装置主体，一个置于主体内的石英材质的掺杂工具，所述的装置主体包括：真空波纹管，移动挡板，真空波纹管的一端与移动挡板连接，形成密封，挡板套在金属丝杆上，金属丝杆连接手柄，移动挡板与...
方峰郑沉王来福安国祥孙韶辉
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用电子束熔炼法制造钼电极坯和钼流口坯的方法
本发明涉及电子束熔炼法制造钼电极坯和钼流口坯的方法。该法以棒状金属钼为原料,在电磁聚焦电子束熔炼炉中熔炼,炉体内的压强为5×10<Sup>-1</Sup>～1×10<Sup>-3</Sup>Pa,电子枪室内的压强为1×1...
谷洪刚廖志秋高建礼史青王来福王素娥
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