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毕楠楠

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：安徽工业大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇纳米
  • 4篇氧化物
  • 4篇钴盐
  • 4篇钴氧化物
  • 4篇纳米棒
  • 4篇聚二醇
  • 4篇二醇
  • 3篇模版
  • 2篇铽
  • 2篇镨
  • 1篇溶液法
  • 1篇气相
  • 1篇气相沉积
  • 1篇气相沉积法
  • 1篇纳米材料
  • 1篇纳米材料制备
  • 1篇纳米线
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性能

机构

  • 5篇安徽工业大学

作者

  • 5篇毕楠楠
  • 4篇孙玉萍
  • 4篇刘先国
  • 2篇崔彩云

年份

  • 3篇2016
  • 2篇2015
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种镨钴氧化物纳米棒及其制备方法
本发明公开了一种镨钴氧化物纳米棒及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明的镨钴氧化物纳米棒由PrCoO<Sub>3</Sub>单相构成，长度约1μm，直径约50nm。其制备方法的要点是：将钴盐、镨盐、表面活性剂按一...
刘先国孙玉萍崔彩云毕楠楠
文献传递
一种铽钴氧化物纳米棒及其制备方法
本发明公开了一种铽钴氧化物纳米棒及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明的铽钴氧化物纳米棒由TbCoO<Sub>3</Sub>单相构成，长度约1μm，直径约50nm。其制备方法的要点是：将钴盐、铽盐、表面活性剂按一...
刘先国孙玉萍毕楠楠吴念独
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Co掺杂ZnO纳米线的制备及其磁性和光学性能的研究
氧化锌(zinc oxide)材料作为一种重要的直接宽带隙半导体,它具有较宽的禁带宽度以及较高的激子束缚能,分别为3.37 e V、60 me V。氧化锌除了具有这两种特性外,还包括良好的压电性质、大的比表面积等其他半导...
毕楠楠
关键词：溶液法气相沉积法光学性能磁学性能
一种铽钴氧化物纳米棒及其制备方法
本发明公开了一种铽钴氧化物纳米棒及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明的铽钴氧化物纳米棒由TbCoO<Sub>3</Sub>单相构成，长度约1μm，直径约50nm。其制备方法的要点是：将钴盐、铽盐、表面活性剂按一...
刘先国孙玉萍毕楠楠吴念独
文献传递
一种镨钴氧化物纳米棒及其制备方法
本发明公开了一种镨钴氧化物纳米棒及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明的镨钴氧化物纳米棒由PrCoO<Sub>3</Sub>单相构成，长度约1μm，直径约50nm。其制备方法的要点是：将钴盐、镨盐、表面活性剂按一...
刘先国孙玉萍崔彩云毕楠楠
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