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文献类型

  • 7篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇化学工程
  • 2篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 3篇温场
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶生长
  • 2篇碘化
  • 2篇碘化铅
  • 2篇多晶材料
  • 2篇阳离子
  • 2篇氧化钪
  • 2篇氧化钬
  • 2篇陶瓷
  • 2篇陶瓷材料
  • 2篇提纯
  • 2篇坩埚
  • 2篇微波介质
  • 2篇微波介质陶瓷
  • 2篇微波介质陶瓷...
  • 2篇硝酸
  • 2篇离子
  • 2篇炉管
  • 2篇炉体

机构

  • 11篇中国工程物理...
  • 3篇四川省新材料...
  • 2篇表面物理与化...

作者

  • 11篇张羽
  • 7篇康彬
  • 6篇尹文龙
  • 6篇方攀
  • 6篇袁泽锐
  • 5篇余盛全
  • 5篇窦云巍
  • 4篇胥涛
  • 4篇陈莹
  • 3篇唐明静
  • 2篇黄辉
  • 2篇刘静

传媒

  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇材料导报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇中物院高能激...

年份

  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
ZnGeP2晶体的点缺陷
ZnGeP2晶体在生长过程中,由于化学成分的偏离以及蒸汽压的控制问题,而产生大量的点缺陷.这些点缺陷包括Zn空位,P空位,Gezn反位等.点缺陷的存在会严重影响晶体在2μm附近的光学透明性,使晶体不能应用于OPO器件的制...
张羽康彬唐明静窦云巍袁泽锐方攀尹文龙
关键词:点缺陷光学透明性
文献传递
一种石榴石结构铝酸盐微波介质陶瓷及其制备方法
本发明公开了一种石榴石结构铝酸盐微波介质陶瓷,材料化学式组成为Ca<Sub>x</Sub>Y<Sub>3‑x</Sub>Al<Sub>5‑x</Sub>Ti<Sub>x</Sub>O<Sub>12</Sub>,其中x=1...
余盛全敬畏尹文龙胥涛方攀窦云巍袁泽锐陈莹唐明静康彬张羽谢靖
文献传递
一种石榴石结构铝酸盐微波介质陶瓷及其制备方法
本发明公开了一种石榴石结构铝酸盐微波介质陶瓷,材料化学式组成为Ca<Sub>x</Sub>Y<Sub>3‑x</Sub>Al<Sub>5‑x</Sub>Ti<Sub>x</Sub>O<Sub>12</Sub>,其中x=1...
余盛全敬畏尹文龙胥涛方攀窦云巍袁泽锐陈莹唐明静康彬张羽谢靖
新型红外非线性光学晶体SrCdGeSe4生长与性质表征
2020年
锶镉锗硒(SrCdGeSe 4)晶体是近期被发现的一种性能优异的新型红外非线性光学材料。本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出SrCdGeSe 4多晶,单次合成量达到300 g;采用坩埚下降法首次生长出SrCdGeSe 4单晶,尺寸为∅27 mm×80 mm;通过定向、切割和抛光等程序,得到几个不同尺寸的定向SrCdGeSe 4晶片,选取一片8×8×2 mm^3双面抛光(110)晶片测试了摇摆曲线、红外透过光谱和激光损伤阈值。结果显示:(220)摇摆曲线半峰宽为44.8″,该晶体的短波透过截止边为596 nm,且在1~14μm波长范围内透过率超过68%;另外,晶体在Nd∶YAG脉冲激光,脉宽5 ns,重复频率1 Hz,光斑直径0.15 mm测试条件下,激光损伤阈值为530 MW/cm^2。
陈莹袁泽锐袁泽锐谢婧方攀尹文龙康彬
关键词:坩埚下降法单晶生长
一种Ho:Sc<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米晶粉体的快速制备方法
本发明公开了一种Ho:Sc<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米晶粉体的快速制备方法,包括:步骤一、阳离子盐溶液的配制;将氧化钪与氧化钬溶解于硝酸中,获得硝酸钪溶液与硝酸钬溶液,标定浓度,量取硝酸钪溶液与...
敬畏余盛全胥涛黄辉康彬尹文龙张羽袁泽锐窦云巍陈盈方攀谢婧
一种提纯固态半导体多晶材料的设备及方法
本发明公开了一种提纯固态半导体多晶材料的设备,它包括炉体和双层坩埚,炉体内部水平设置有炉管,炉体与炉管间设一层嵌入有加热元件的炉管加热层,炉管分为炉管梯度温区和炉管高温区,双层坩埚由外层石英坩埚和内层坩埚组成,内层坩埚呈...
张羽唐明静窦云巍袁泽锐方攀尹文龙陈莹康彬
文献传递
温度梯度对核辐射探测器用PbI_2晶体生长影响研究被引量:1
2016年
以多晶碘化铅(PbI2)为原料,采用垂直布里奇曼法进行单晶生长,研究了PbI2单晶的生长特性,并研究了不同生长条件下晶体的宏观形貌、显微形貌、缺陷以及I-V特性。研究表明在温度梯度为5 K/cm时生长的碘化铅与温度梯度为0.6 K/cm以及1 K/cm生长的单晶相比,晶体质量较高,宏观缺陷和显微缺陷均有所减少,电阻率从6.7×108Ω·cm以及6.8×108Ω·cm提高至3.3×109Ω·cm可以有效提高晶体的探测效率。优化生长时的温度梯度有利于碘化铅单晶质量的提高,使其各项性能更加适用于室温核辐射探测器。
刘静张羽
关键词:碘化铅
一种Ho:Sc<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米晶粉体的快速制备方法
本发明公开了一种Ho:Sc<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米晶粉体的快速制备方法,包括:步骤一、阳离子盐溶液的配制;将氧化钪与氧化钬溶解于硝酸中,获得硝酸钪溶液与硝酸钬溶液,标定浓度,量取硝酸钪溶液与...
敬畏余盛全胥涛黄辉康彬尹文龙张羽袁泽锐窦云巍陈盈方攀谢婧
文献传递
一种提纯固态半导体多晶材料的设备及方法
本发明公开了一种提纯固态半导体多晶材料的设备,它包括炉体和双层坩埚,炉体内部水平设置有炉管,炉体与炉管间设一层嵌入有加热元件的炉管加热层,炉管分为炉管梯度温区和炉管高温区,双层坩埚由外层石英坩埚和内层坩埚组成,内层坩埚呈...
张羽唐明静窦云巍袁泽锐方攀尹文龙陈莹康彬
室温核辐射探测材料PbI_2晶体生长及退火改性研究
2016年
以多晶碘化铅(PbI_2)为原料,采用垂直布里奇曼法进行单晶生长,研究了PbI_2单晶的生长特性,随后对单晶进行真空退火和气氛退火,并测试了生长态、真空退火态以及气氛退火态3种不同状态下晶体的光致发光谱(PL)、I-V特性以及红外透过率。研究表明,在碘蒸汽中气氛退火后的碘化铅单晶质量较高,PL谱中激子(EX)峰的半峰宽有所下降,红外透过率从生长态的10%提升至30%左右,电阻率从生长态的3.3×10^9Ω·cm提高至5.6×10^9Ω·cm,可以有效提高晶体的探测效率。气氛退火有利于提高碘化铅的单晶质量,使其各项性能更加适用于室温核辐射探测器。
刘静张羽
关键词:碘化铅退火
共2页<12>
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