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文献类型

  • 32篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 6篇文化科学
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇水利工程

主题

  • 11篇探测器
  • 11篇红外
  • 9篇红外探测
  • 8篇晶格
  • 8篇红外探测器
  • 8篇超晶格
  • 7篇势垒
  • 7篇势垒层
  • 7篇束流
  • 6篇衬底
  • 5篇暗电流
  • 5篇
  • 4篇探测器材料
  • 4篇红外探测器材...
  • 4篇发光
  • 4篇超晶格材料
  • 3篇锑化铟
  • 3篇碲镉汞
  • 3篇碲镉汞材料
  • 3篇分子束

机构

  • 33篇中国电子科技...

作者

  • 33篇周朋
  • 23篇刘铭
  • 19篇邢伟荣
  • 10篇尚林涛
  • 5篇周立庆
  • 4篇李震
  • 3篇王经纬
  • 3篇高达
  • 2篇喻松林
  • 2篇王丛
  • 2篇郭喜
  • 2篇巩锋
  • 2篇折伟林
  • 2篇晋舜国
  • 1篇程鹏
  • 1篇宁提
  • 1篇强宇
  • 1篇孙浩
  • 1篇谭振
  • 1篇王静

传媒

  • 1篇激光与红外

年份

  • 2篇2024
  • 4篇2023
  • 8篇2022
  • 5篇2021
  • 3篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2014
33 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种红外探测器材料及其制备方法
本发明提供一种红外探测器材料及其制备方法,用以解决现有技术中降低锑化铟材料暗电流较为困难的问题。该方法包括:根据响应波长的范围,设定铟铝锑层中铝组分的参数、厚度、异质结的排布的参数;制作锑化铟衬底;根据设定的参数生长锑化...
刘铭程鹏周朋尚林涛邢伟荣
文献传递
一种高温工作的红外探测器材料及其制备方法
本发明提供了一种高温工作的红外探测器材料及其制备方法,方法包括:处理锑化镓衬底,在处理后的锑化镓衬底上依次生长锑化镓缓冲层、铟砷锑刻蚀阻挡层、p型电极接触层、p型掺杂的中波吸收层、势垒层、n型电极接势垒层,势垒层按第一预...
邢伟荣刘铭郭喜周朋
文献传递
一种InAs/GaSb超晶格生长方法
本发明公开了一种InAs/GaSb超晶格生长方法,包括:在Sb源提供的Sb束流保护下,基于GaSb衬底生长缓冲层;打开As源针阀至第一开度,将生长氛围从Sb束流保护转变为As束流保护,其中,所述第一开度大于所需的目标开度...
胡雨农周朋邢伟荣刘铭
用于分子束外延设备的料渣收集装置
本发明公开了一种用于分子束外延设备的料渣收集装置,料渣收集装置连接于分子束外延设备的挡板,料渣收集装置包括:导流槽和收集器,与挡板相连接,导流槽接收挡板流出的液态残渣;收集器与导流槽相连接,收集器收集导流槽接收的液态残渣...
王丛高达周朋李震
一种基于InAs的APD结构的制备方法
本发明公开了一种基于InAs的APD结构的制备方法,包括:以InAs衬底为基础,在所述InAs衬底上生长有掺杂的n<Sup>+</Sup>‑InAs层、有源层、掺杂的p‑InAs层以及掺杂的p<Sup>+</Sup>‑I...
邢伟荣刘铭周朋胡雨农
文献传递
一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置
本发明公开了一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置,所述方法具体包括以下步骤:在InSb衬底上生长InAlSb薄膜,测定X射线的入射角在所述InAlSb薄膜满足布喇格方程时的角度θ<Sub>InAlSb测量</...
周朋刘铭折伟林邢伟荣尚林涛
一种集成式红外探测装置的制备方法
本发明公开了一种集成式红外探测装置的制备方法,通过在一块红外探测器芯片上集成凝视型和扫描型两种功能的芯片,形成既具有凝视成像功能又具有扫描成像功能的红外读出电路,能够快速切换成像模式,集成了凝视成像的实时性和扫描成像高灵...
刘铭喻松林周立庆孙浩周朋王静
文献传递
一种双色红外器件结构及红外探测器
本发明公开了一种双色红外器件结构及红外探测器,所述双色红外器件结构具有从下至上设置的第一衬底,材料为InSb,作为所述双色红外器件的基础层;过渡层,材料为InSb,作为缓冲层和下电极层;第一吸收层,材料为InSb,用以实...
周朋胡雨农王丹李震
双波段石墨烯探测装置、探测芯片及其制备方法
本发明公开了一种双波段石墨烯探测装置、探测芯片及其制备方法,双波段石墨烯探测芯片,包括:从下至上依次层叠设置的第一硅层、第一量子点增强的石墨烯层、第一环氧树脂胶层、第二硅层、第二量子点增强的石墨烯层、第二环氧树脂胶层;第...
周朋刘铭邢伟荣
一种中波双色红外探测器
本发明公开了一种中波双色红外探测器,包括:衬底,第一PIN型结构和第二PIN型结构;其中,所述第一PIN型结构生长在所述衬底上,所述第二PIN型结构与所述第一PIN型结构呈背靠背堆叠设置。本发明通过第二PIN型结构与第一...
尚林涛周朋
文献传递
共4页<1234>
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