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周朋
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中国电子科技集团第十一研究所
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电子电信
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合作作者
刘铭
中国电子科技集团第十一研究所
邢伟荣
中国电子科技集团第十一研究所
尚林涛
中国电子科技集团第十一研究所
周立庆
中国电子科技集团第十一研究所
李震
中国电子科技集团第十一研究所
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一种红外探测器材料及其制备方法
本发明提供一种红外探测器材料及其制备方法,用以解决现有技术中降低锑化铟材料暗电流较为困难的问题。该方法包括:根据响应波长的范围,设定铟铝锑层中铝组分的参数、厚度、异质结的排布的参数;制作锑化铟衬底;根据设定的参数生长锑化...
刘铭
程鹏
周朋
尚林涛
邢伟荣
文献传递
一种高温工作的红外探测器材料及其制备方法
本发明提供了一种高温工作的红外探测器材料及其制备方法,方法包括:处理锑化镓衬底,在处理后的锑化镓衬底上依次生长锑化镓缓冲层、铟砷锑刻蚀阻挡层、p型电极接触层、p型掺杂的中波吸收层、势垒层、n型电极接势垒层,势垒层按第一预...
邢伟荣
刘铭
郭喜
周朋
文献传递
一种InAs/GaSb超晶格生长方法
本发明公开了一种InAs/GaSb超晶格生长方法,包括:在Sb源提供的Sb束流保护下,基于GaSb衬底生长缓冲层;打开As源针阀至第一开度,将生长氛围从Sb束流保护转变为As束流保护,其中,所述第一开度大于所需的目标开度...
胡雨农
周朋
邢伟荣
刘铭
用于分子束外延设备的料渣收集装置
本发明公开了一种用于分子束外延设备的料渣收集装置,料渣收集装置连接于分子束外延设备的挡板,料渣收集装置包括:导流槽和收集器,与挡板相连接,导流槽接收挡板流出的液态残渣;收集器与导流槽相连接,收集器收集导流槽接收的液态残渣...
王丛
高达
周朋
李震
一种基于InAs的APD结构的制备方法
本发明公开了一种基于InAs的APD结构的制备方法,包括:以InAs衬底为基础,在所述InAs衬底上生长有掺杂的n<Sup>+</Sup>‑InAs层、有源层、掺杂的p‑InAs层以及掺杂的p<Sup>+</Sup>‑I...
邢伟荣
刘铭
周朋
胡雨农
文献传递
一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置
本发明公开了一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置,所述方法具体包括以下步骤:在InSb衬底上生长InAlSb薄膜,测定X射线的入射角在所述InAlSb薄膜满足布喇格方程时的角度θ<Sub>InAlSb测量</...
周朋
刘铭
折伟林
邢伟荣
尚林涛
一种集成式红外探测装置的制备方法
本发明公开了一种集成式红外探测装置的制备方法,通过在一块红外探测器芯片上集成凝视型和扫描型两种功能的芯片,形成既具有凝视成像功能又具有扫描成像功能的红外读出电路,能够快速切换成像模式,集成了凝视成像的实时性和扫描成像高灵...
刘铭
喻松林
周立庆
孙浩
周朋
王静
文献传递
一种双色红外器件结构及红外探测器
本发明公开了一种双色红外器件结构及红外探测器,所述双色红外器件结构具有从下至上设置的第一衬底,材料为InSb,作为所述双色红外器件的基础层;过渡层,材料为InSb,作为缓冲层和下电极层;第一吸收层,材料为InSb,用以实...
周朋
胡雨农
王丹
李震
双波段石墨烯探测装置、探测芯片及其制备方法
本发明公开了一种双波段石墨烯探测装置、探测芯片及其制备方法,双波段石墨烯探测芯片,包括:从下至上依次层叠设置的第一硅层、第一量子点增强的石墨烯层、第一环氧树脂胶层、第二硅层、第二量子点增强的石墨烯层、第二环氧树脂胶层;第...
周朋
刘铭
邢伟荣
一种中波双色红外探测器
本发明公开了一种中波双色红外探测器,包括:衬底,第一PIN型结构和第二PIN型结构;其中,所述第一PIN型结构生长在所述衬底上,所述第二PIN型结构与所述第一PIN型结构呈背靠背堆叠设置。本发明通过第二PIN型结构与第一...
尚林涛
周朋
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