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田瑞

作品数：9 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 8篇ESD保护
  • 6篇保护器件
  • 6篇ESD保护器...
  • 4篇隔离区
  • 3篇电路
  • 2篇堆栈
  • 2篇堆栈式
  • 2篇偏置
  • 2篇自偏置
  • 2篇闩锁
  • 2篇脉冲
  • 2篇脉冲作用
  • 2篇晶体管
  • 2篇静电释放
  • 2篇负反馈
  • 2篇PNP
  • 1篇电池
  • 1篇电路设计
  • 1篇电容
  • 1篇多晶

机构

  • 9篇电子科技大学

作者

  • 9篇田瑞
  • 7篇刘志伟
  • 5篇刘毅
  • 5篇杨雪娇
  • 5篇张国彦
  • 5篇刘凡
  • 2篇刘继芝
  • 1篇李威
  • 1篇于亮亮

传媒

  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2012
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
关于便携式自适应太阳能充电系统的研究
随着科技的发展,手机等便携式数码产品变的越来越智能、越来越薄,但同时其功耗也变的越来越大.带来的问题便是这些数码产品经常电量不足,给消费者带来了很大的不便.若是在家里或者办公室,我们可以随时携带着充电设备来充电;但如果在...
于亮亮熊景枝田瑞李威郭星奂
关键词：太阳能电池最大功率点自适应控制电路设计
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一种基于横向PNP结构的双向ESD保护器件
本发明公开了一种基于横向PNP结构的双向ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第二N型阱，第一P+注入区，第二P+注入区，第一N+注入区，第二N+注入区，第三P+注入区，第四P...
纪长志刘志伟繆家斌刘聂张国彦刘毅杨雪娇田瑞刘凡
文献传递
一种基于横向PNP结构的双向ESD保护器件
本发明公开了一种基于横向PNP结构的双向ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第二N型阱，第一P+注入区，第二P+注入区，第一N+注入区，第二N+注入区，第三P+注入区，第四P...
纪长志刘志伟繆家斌刘聂张国彦刘毅杨雪娇田瑞刘凡
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一种新型栅极接地NMOS结构ESD保护器件及其制作方法
本发明公开了一种新型栅极接地NMOS结构ESD保护器件及其制作方法，保护器件包括P型衬底，P型衬底内有P阱区，P阱内注有第一P+区、第一N+区、第二N+区、第三N+区、第二P+区，在P阱内第二N+区的下方设有P型浅阱；第...
刘志伟连捷坤纪长志繆家斌刘聂张国彦刘毅杨雪娇田瑞刘凡
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一种用于ESD保护的自偏置堆栈式SCR器件
本发明属于电子技术领域，具体涉及静电释放(ESD)保护电路的设计，具体为一种用于ESD保护的自偏置堆栈式SCR器件。该自偏置堆栈式SCR器件由n个SCR器件串联而成，包括1个主器件和n-1个后级堆栈器件，所述后级堆栈器件...
刘继芝田瑞刘志伟
一种基于SCR结构的新型ESD保护器件
一种基于SCR结构的新型ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第一P型阱，第二N型阱，第一N+注入区，第一P+注入区，第二N+注入区，第三N+注入区,第二P+注入区，第四N+注...
纪长志刘志伟繆家斌刘聂张国彦刘毅杨雪娇田瑞刘凡
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基于不同工艺的低电容ESD保护器件的研究
静电放电(ESD)事件是一种最为常见的造成集成电路失效的自然现象。随着集成电路的集成度不断提高，芯片面积缩小，电路的工作频率逐渐上升，ESD保护器件寄生电容的要求也相应提高。本文主要针对射频(RF)集成电路的ESD防护问...
田瑞
关键词：集成电路寄生电容静电防护芯片设计
一种用于ESD保护的自偏置堆栈式SCR器件
本发明属于电子技术领域，具体涉及静电释放(ESD)保护电路的设计，具体为一种用于ESD保护的自偏置堆栈式SCR器件。该自偏置堆栈式SCR器件由n个SCR器件串联而成，包括1个主器件和n‑1个后级堆栈器件，所述后级堆栈器件...
刘继芝田瑞刘志伟
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一种基于SCR结构的新型ESD保护器件
一种基于SCR结构的新型ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第一P型阱，第二N型阱，第一N+注入区，第一P+注入区，第二N+注入区，第三N+注入区,第二P+注入区，第四N+注...
纪长志刘志伟繆家斌刘聂张国彦刘毅杨雪娇田瑞刘凡
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