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王姣

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:陕西师范大学更多>>

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇对角线尺寸
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米片
  • 2篇晶面
  • 2篇回流法
  • 2篇CDS
  • 1篇离子
  • 1篇离子导体
  • 1篇光电
  • 1篇光电性
  • 1篇光电性能

机构

  • 2篇陕西师范大学

作者

  • 2篇杨合情
  • 2篇贾文静
  • 2篇金荣
  • 2篇王姣

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法
本发明公开了一种暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法,采用简单的回流法,制备成暴露高能(001)晶面小尺寸六方相CdS超薄纳米片,CdS纳米片对角线尺寸为5~50nm、厚度为0.59~10nm。本发明操作简...
杨合情王姣金荣田志霞贾文静马斓
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暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法
本发明公开了一种暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法,采用简单的回流法,制备成暴露高能(001)晶面小尺寸六方相CdS超薄纳米片,CdS纳米片对角线尺寸为5~50nm、厚度为0.59~10nm。本发明操作简...
杨合情王姣金荣田志霞贾文静马斓
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共1页<1>
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