您的位置： 专家智库 > >

李仕杰

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：华南师范大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇电阻
  • 2篇势垒
  • 2篇态密度
  • 2篇界面态
  • 2篇界面态密度
  • 2篇晶格
  • 2篇方块电阻
  • 2篇超晶格
  • 1篇导电性能
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇电子结构
  • 1篇氧化亚锡
  • 1篇驱动电流
  • 1篇子结构
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇二维电子
  • 1篇二维电子气

机构

  • 3篇华南师范大学

作者

  • 3篇李仕杰
  • 2篇赵灵智
  • 2篇刘咏梅
  • 2篇姜如青

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
一种锡化物超晶格势垒半导体晶体管
本发明公开了一种锡化物超晶格势垒半导体晶体管，包括超晶格势垒层，所述超晶格势垒层为多个周期的薄膜层交替重叠组成，所述薄膜层由锡化物和另一掺杂的锡化物组成。通过利用新型锡的化合物及其化合物的掺杂来形成一种多周期的超晶格势垒...
赵灵智刘咏梅姜如青李仕杰
文献传递
一种锡化物超晶格势垒半导体晶体管
本发明公开了一种锡化物超晶格势垒半导体晶体管，包括超晶格势垒层，所述超晶格势垒层为多个周期的薄膜层交替重叠组成，所述薄膜层由锡化物和另一掺杂的锡化物组成。通过利用新型锡的化合物及其化合物的掺杂来形成一种多周期的超晶格势垒...
赵灵智刘咏梅姜如青李仕杰
文献传递
In、Sb掺杂SnO的第一性原理研究
近年来，光伏和光电产业的发展突飞猛进，金属氧化物半导体材料也受到人们的广泛关注。氧化亚锡(SnO)作为一种宽禁带金属氧化物半导体材料，其带隙达到2.5 eV以上，已有研究表明SnO能通过掺杂获得n型或p型导电性并能够应用...
李仕杰
关键词：第一性原理电子结构光学性质氧化亚锡
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0