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孙庆波
作品数:
6
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供职机构:
中国科学院上海硅酸盐研究所
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合作作者
姚东旭
中国科学院上海硅酸盐研究所
曾宇平
中国科学院上海硅酸盐研究所
夏咏锋
中国科学院上海硅酸盐研究所
左开慧
中国科学院上海硅酸盐研究所
胡海龙
中国科学院上海硅酸盐研究所
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机构
6篇
中国科学院
作者
6篇
胡海龙
6篇
左开慧
6篇
夏咏锋
6篇
曾宇平
6篇
孙庆波
6篇
姚东旭
年份
1篇
2016
2篇
2015
3篇
2014
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6
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利用多晶Si切割废料制备氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷的方法
本发明公开了一种利用多晶Si切割废料制备Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>与SiC复相多孔陶瓷的方法,以多晶Si切割废料为原料,添加烧结助剂,机械球磨混合均匀成浆料;将浆料进行干燥、过筛、干压成型,并...
胡海龙
曾宇平
左开慧
夏咏锋
姚东旭
孙庆波
文献传递
一种采用反应烧结工艺制备氮化硅-碳化硅复合陶瓷材料的方法
本发明公开了一种采用反应烧结工艺制备氮化硅-碳化硅复合陶瓷材料的方法,所述方法包括浆料的制备、素坯的干压成型及对成型后坯体进行反应烧结和后烧结处理。利用本发明制备方法制得的氮化硅-碳化硅复合陶瓷材料的最大体密度可达2.9...
胡海龙
曾宇平
左开慧
夏咏锋
姚东旭
孙庆波
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利用多晶Si切割废料制备氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷的方法
本发明公开了一种利用多晶Si切割废料制备Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>与SiC复相多孔陶瓷的方法,以多晶Si切割废料为原料,添加烧结助剂,机械球磨混合均匀成浆料;将浆料进行干燥、过筛、干压成型,并...
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曾宇平
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一种采用反应烧结工艺制备氮化硅-碳化硅复合陶瓷材料的方法
本发明公开了一种采用反应烧结工艺制备氮化硅-碳化硅复合陶瓷材料的方法,所述方法包括浆料的制备、素坯的干压成型及对成型后坯体进行反应烧结和后烧结处理。利用本发明制备方法制得的氮化硅-碳化硅复合陶瓷材料的最大体密度可达2.9...
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氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷及其制备方法
本发明公开了一种Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>与SiC复相多孔陶瓷,其氮化率高于85%,孔隙率为30~60%。其制备方法为:①以Si和SiC为原料,添加烧结助剂,球磨混合均匀成浆料;②将浆料进行干...
胡海龙
曾宇平
左开慧
夏咏锋
姚东旭
孙庆波
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氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷及其制备方法
本发明公开了一种Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>与SiC复相多孔陶瓷,其氮化率高于85%,孔隙率为30~60%。其制备方法为:①以Si和SiC为原料,添加烧结助剂,球磨混合均匀成浆料;②将浆料进行干...
胡海龙
曾宇平
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