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(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xBi(Mg0.5Ti0.5)O3无铅弛豫铁电陶瓷的介电、铁电和高储能行为被引量：4: 2020年; 利用传统固相法制备了(1–x)K0.5Na0.5NbO3-xBi(Mg0.5Ti0.5)O3(简写:(1–x)KNN-x BMT,x=0.05,0.10,0.15,0.20)无铅弛豫铁电陶瓷,并对其相结构、微观形貌、介电特性与储能行为进行了系统的研究.研究结果表明,随着BMT含量的增加,(1–x)KNN-x BMT陶瓷由正常铁电体逐渐转变为弛豫铁电体,表现出强烈的弥散相变特征,其最大极化强度Pmax随之逐渐降低.当x=0.15时,陶瓷具有最大的击穿电场,为275 kV·cm^–1.采用间接方式对(1–x)KNN-x BMT陶瓷的储能性能进行计算,发现当BMT的含量为x=0.15时,可获得最佳的储能性能:当场强为275 kV·cm^–1时,可释放储能密度Wrec为2.25 J·cm^–3,储能效率h高达84%.鉴于实际应用的需求,对各组分陶瓷进行直接测试,结果表明随掺杂量的增加,储能密度Wdis呈现先增大后减小的变化趋势,当x=0.15时,储能密度为1.54 J·cm^–3,放电时间仅为88 ns.另外,该材料在1—50 Hz范围内具有良好的频率稳定性,在25—125℃范围内具有良好的温度稳定性,储能密度的变化量低于8%.该研究表明KNN-BMT陶瓷在环境友好高储能密度电容器领域具有广阔的应用前景.; 杜金花李雍李雍赵烨孙宁宁; 关键词：无铅

一种多功能铌酸银陶瓷在电卡效应致冷技术中的应用: 本发明公开了一种多功能铌酸银陶瓷在电卡效应致冷技术中的应用，所述铌酸银陶瓷的化学式为AgxNbO2.5+x/2，其中，1≤x≤1.05。本发明提供了一种能够用于电卡效应致冷的铌...; 杜金花赵烨郝喜红; 文献传递

一种反铁电材料及其制备方法和含有其的电容器: 本发明公开了一种反铁电材料及其制备方法和含有其的电容器，该反铁电材料包括用通式(Pb0.94La0.04)(Zr1‑x‑ySnxTi...; 郝喜红孟祥俊赵烨孙宁宁李雍; 文献传递

一种锰酸镥基近红外光探测薄膜、其制备方法和应用: 本发明公开了一种锰酸镥基近红外光探测薄膜、其制备方法和应用，该探测薄膜分子式为Lu(0.98‑x)Er0.02YbxMnO3，其中x...; 李雍杨信祥赵烨卢春晓杜金花张利文郝喜红

基于能量存储与电卡制冷的多层陶瓷电容器及其制备方法: 本发明公开了一种基于能量存储与电卡制冷的多层陶瓷电容器及其制备方法，涉及弛豫铁电厚膜材料技术领域，所述的基于能量存储与电卡制冷的多层陶瓷电容器由介质层和内电极组成，所述的介质层采用的原料为(1‑x)Na0.5<...; 赵烨朱立鹏郝喜红孟祥俊李雍; 文献传递

高储能锆酸铅基反铁电多层陶瓷电容器及其制备方法: 本发明公开了一种高储能锆酸铅基反铁电多层陶瓷电容器及其制备方法，本发明的锆酸铅基反铁电厚膜陶瓷材料的化学通式为(Pb0.98‑xLa0.02Ca...; 郝喜红刘晓辉李雍赵烨; 文献传递

一种镧铪共掺的铌酸银基反铁电陶瓷材料及其制备方法: 本发明涉及功能陶瓷材料技术领域，公开了一种镧铪共掺的铌酸银基反铁电陶瓷材料及其制备方法。本发明镧铪共掺的铌酸银基反铁电陶瓷材料，化学式为(Ag1‑3xLax)(Nb1...; 赵烨冯晓旭卢春晓郝喜红李雍张利文

基于电卡效应反铁电厚膜致冷行为的基础研究: 随着现代工业的飞速发展，微电子器件逐渐向集成化、小型化、轻量化和多功能化的趋势发展，导致器件温度急剧上升，严重影响器件的性能和工作寿命。因此，散热技术已经成为制约微电子器件继续微型化发展的障碍。传统的压缩致冷不能满足微电...; 赵烨; 关键词：溶胶凝胶介电性能极化强度; 文献传递

一种复合结构高电能密度厚膜及其制备方法: 本发明涉及一种复合结构高电能密度厚膜及其制备方法，属于电子功能材料与器件领域。为提高反铁电厚膜的储能密度，本发明制备得到表面覆盖ZnO覆盖层的锆酸铅基反铁电复合厚膜材料，使制得的复合结构的锆酸铅基反铁电厚膜既具有较高的储...; 郝喜红赵烨刘云颖李晓伟杨吉春安胜利; 文献传递

一种电卡效应致冷复合厚膜材料: 本发明涉及电卡效应致冷复合厚膜材料，该复合厚膜材料包括SrTiO3缓冲层和(Pb1-3z/2Laz)(Zr1-x-ySnx...; 郝喜红赵烨张利文李晓伟安胜利

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赵烨