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梁凤霞

作品数：20 被引量：0H指数：0
供职机构：合肥工业大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 12篇光电
  • 10篇探测器
  • 10篇光电探测
  • 10篇光电探测器
  • 8篇肖特基
  • 7篇肖特基结
  • 5篇单晶
  • 5篇石墨
  • 5篇石墨烯
  • 5篇波段
  • 4篇异质结
  • 4篇宽波段
  • 3篇低电阻率
  • 3篇电阻率
  • 3篇探测率
  • 3篇欧姆接触
  • 3篇纳米
  • 3篇SUB
  • 3篇碲
  • 3篇钯

机构

  • 20篇合肥工业大学

作者

  • 20篇梁凤霞
  • 19篇罗林保
  • 5篇张腾飞
  • 4篇汪丹丹
  • 3篇谢超
  • 3篇曾龙辉
  • 2篇于永强
  • 2篇王迪
  • 2篇邹宜峰
  • 1篇揭建胜
  • 1篇吴春艳
  • 1篇张登月

年份

  • 2篇2022
  • 4篇2021
  • 1篇2020
  • 4篇2019
  • 5篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2013
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于拓扑绝缘体硒化铋电极的宽波段光电探测器
本发明公开了一种基于拓扑绝缘体硒化铋电极的钙钛矿薄膜的宽波段光电探测器及其制备方法，其是在蓝宝石衬底上设置有Bi<Sub>2</Sub>Se<Sub>3</Sub>薄膜电极，在Bi<Sub>2</Sub>Se<Sub>3...
梁凤霞梁林赵兴远罗林保张致翔
文献传递
石墨烯/碳纳米管薄膜肖特基结光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种石墨烯/碳纳米管薄膜肖特基结光电探测器及其制备方法，其是在绝缘衬底上表面覆盖有碳纳米管薄膜，碳纳米管薄膜的一端设置有与碳纳米管薄膜呈欧姆接触的银电极，另一端设置有与碳纳米管薄膜呈肖特基接触的石墨烯薄膜，在...
罗林保张腾飞汪丹丹邹宜峰梁凤霞
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碲化铂/甲基氨铅溴钙钛矿单晶异质结光电探测器及其制作方法
本发明公开了碲化铂/甲基氨铅溴钙钛矿单晶异质结光电探测器及其制作方法，是在绝缘基底上生长有PtTe<Sub>2</Sub>薄膜，在PtTe<Sub>2</Sub>薄膜上的局部区域生长有MAPbBr<Sub>3</Sub>...
梁凤霞赵兴远陈红云罗林保蒋静静
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p-型石墨烯薄膜/n-型Ge肖特基结近红外光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种p-型石墨烯薄膜/n-型Ge肖特基结近红外光电探测器及其制备方法，其特征是：以n-型Ge基底作为近红外光电探测器的基区，在n-型Ge基底的下表面设置n-型Ge基底电极；在n-型Ge基底的上表面覆盖绝缘层，...
罗林保曾龙辉谢超于永强梁凤霞
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基于甲胺铅溴单晶的同质结光电二极管和三极管及其制备方法
本发明公开了基于甲胺铅溴单晶的同质结光电二极管和三极管及其制备方法，是通过掺杂BiBr<Sub>3</Sub>使MAPbBr<Sub>3</Sub>单晶成为n型半导体，而未掺杂的MAPbBr<Sub>3</Sub>单晶为...
梁凤霞蒋静静刘明明罗林保张致翔
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一维半导体纳米结构的掺杂及其高性能光电转换器件应用
罗林保揭建胜梁凤霞谢超吴春艳
以光电探测器、太阳能电池为代表的光电子器件是一类可以实现由电到光或由光到电转变的电子器件。由于在宇宙通讯、导弹制导、环境检测等领域的重要应用价值，他们已经成为当今信息产业最为重要的技术之一。近年来，随着国防技术的迅猛发展...
关键词：
关键词：光电转换器件光电探测器太阳能电池
一种基于拓扑绝缘体硒化铋电极的钙钛矿薄膜的宽波段光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于拓扑绝缘体硒化铋电极的钙钛矿薄膜的宽波段光电探测器及其制备方法，其是在蓝宝石衬底上设置有Bi<Sub>2</Sub>Se<Sub>3</Sub>薄膜电极，在Bi<Sub>2</Sub>Se<Sub>3...
梁凤霞梁林赵兴远罗林保张致翔
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石墨烯/碳纳米管薄膜肖特基结光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种石墨烯/碳纳米管薄膜肖特基结光电探测器及其制备方法，其是在绝缘衬底上表面覆盖有碳纳米管薄膜，碳纳米管薄膜的一端设置有与碳纳米管薄膜呈欧姆接触的银电极，另一端设置有与碳纳米管薄膜呈肖特基接触的石墨烯薄膜，在...
罗林保张腾飞汪丹丹邹宜峰梁凤霞
p-型石墨烯薄膜/n-型Ge肖特基结近红外光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种p-型石墨烯薄膜/n-型Ge肖特基结近红外光电探测器及其制备方法，其特征是：以n-型Ge基底作为近红外光电探测器的基区，在n-型Ge基底的下表面设置n-型Ge基底电极；在n-型Ge基底的上表面覆盖绝缘层，...
罗林保曾龙辉谢超于永强梁凤霞
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基于甲胺铅溴单晶的同质结光电二极管和三极管及其制备方法
本发明公开了基于甲胺铅溴单晶的同质结光电二极管和三极管及其制备方法，是通过掺杂BiBr<Sub>3</Sub>使MAPbBr<Sub>3</Sub>单晶成为n型半导体，而未掺杂的MAPbBr<Sub>3</Sub>单晶为...
梁凤霞蒋静静刘明明罗林保张致翔
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