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赵恒亮

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

主题

  • 4篇存储器
  • 3篇电极
  • 3篇半导体
  • 2篇堆叠
  • 2篇选择性刻蚀
  • 2篇异质结
  • 2篇异质结晶体管
  • 2篇外周
  • 2篇线阵列
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 2篇纳米线阵列
  • 2篇介质材料
  • 2篇介质层
  • 2篇晶体管
  • 2篇刻蚀
  • 2篇记忆效应
  • 2篇半导体材料
  • 2篇背栅
  • 2篇NAND

机构

  • 6篇中国科学院微...

作者

  • 6篇赵恒亮
  • 4篇朱慧珑
  • 2篇殷华湘
  • 2篇骆志炯
  • 2篇周华杰
  • 2篇徐秋霞
  • 2篇许淼
  • 2篇许杰
  • 2篇陈率
  • 2篇马小龙
  • 2篇朱正勇
  • 2篇李俊锋

年份

  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2014
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
堆叠纳米线制造方法
本发明公开了一种堆叠纳米线制造方法，包括：在衬底上形成介质堆叠结构；在介质堆叠结构中刻蚀形成第一沟槽；在介质堆叠结构中、第一沟槽的侧面刻蚀形成第二沟槽；在第一和第二沟槽中外延生长半导体材料；去除介质堆叠结构，留下半导体材...
马小龙殷华湘周华杰徐秋霞赵恒亮许淼朱慧珑
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堆叠纳米线制造方法
本发明公开了一种堆叠纳米线制造方法，包括：在衬底上形成介质堆叠结构；在介质堆叠结构中刻蚀形成第一沟槽；在介质堆叠结构中、第一沟槽的侧面刻蚀形成第二沟槽；在第一和第二沟槽中外延生长半导体材料；去除介质堆叠结构，留下半导体材...
马小龙殷华湘周华杰徐秋霞赵恒亮许淼朱慧珑
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NAND存储串及其制造方法、3D NAND存储器
公开了一种与非(NAND)存储串及其制造方法以及包括该NAND存储串的三维(3D)NAND存储器。一示例NAND存储串可以包括：沿串的延伸方向设置的多个存储单元；沿串的延伸方向延伸的背栅结构，包括背栅电极以及绕背栅电极外...
李俊锋朱慧珑赵恒亮
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半导体存储器阵列及其访问方法
本发明公开了一种半导体存储器阵列及其访问方法，该半导体存储器阵列包括按照多个行和多个列排列的存储单元，其中，每一个存储单元包括氧化物异质结晶体管和开关，所述氧化物异质结晶体管包括源电极、漏电极和栅电极，所述开关连接至所述...
朱正勇骆志炯陈率许杰赵恒亮
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NAND存储串及其制造方法、3D NAND存储器
公开了一种与非(NAND)存储串及其制造方法以及包括该NAND存储串的三维(3D)NAND存储器。一示例NAND存储串可以包括：沿串的延伸方向设置的多个存储单元；沿的串延伸方向延伸的背栅结构，包括背栅电极以及绕背栅电极外...
李俊锋朱慧珑赵恒亮
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半导体存储器阵列及其访问方法
公开了一种半导体存储器阵列及其访问方法，该半导体存储器阵列包括按照多个行和多个列排列的存储单元，其中，每一个存储单元包括氧化物异质结晶体管和开关，所述氧化物异质结晶体管包括源电极、漏电极和栅电极，所述开关连接至所述氧化物...
朱正勇骆志炯陈率许杰赵恒亮
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