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何宁

作品数：3 被引量：5H指数：1
供职机构：浙江大学电气工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电气工程

主题

  • 3篇软开关
  • 2篇逆变
  • 2篇逆变器
  • 2篇SIC
  • 1篇单相
  • 1篇单相逆变
  • 1篇单相逆变器
  • 1篇正弦
  • 1篇正弦脉宽调制
  • 1篇软开关逆变器
  • 1篇三相四线
  • 1篇三相四线制
  • 1篇损耗
  • 1篇零电压
  • 1篇零电压开关
  • 1篇脉宽调制
  • 1篇开关频率
  • 1篇开关损耗
  • 1篇寄生电容
  • 1篇磁芯

机构

  • 3篇浙江大学

作者

  • 3篇徐德鸿
  • 3篇何宁
  • 1篇胡长生
  • 1篇杜成瑞
  • 1篇朱楠
  • 1篇李雅文

传媒

  • 2篇电源学报
  • 1篇电力电子技术

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
开关频率500kHz的软开关SiC单相逆变器被引量：1
2016年
高频化是提升并网逆变器功率密度的有效途径。SiC MOSFET适用于高频化的应用场合,同时采用软开关技术可维持高转换效率。设计了一台500 kJz零电压开关(ZVS)SiC单相并网逆变器。重点介绍了谐振参数的选取、谐振电感与滤波电感的设计,并在1.5 kW实验模型上进行了验证。实验证明在开关频率为500 kHz时,依靠SiC MOSFET自身的结电容可完成谐振,实现ZVS开通。500 kHz下的滤波电感比100 kHz下的滤波电感体积减小约4/5,满载效率为97.9%。
李雅文何宁陈烨楠徐德鸿
关键词：逆变器软开关
软开关逆变器中动态损耗的测试和建模被引量：3
2017年
相比较传统硬开关电路,软开关逆变器可以显著地提高效率和功率密度。为了能够更加有效地设计软开关逆变器中的电路参数,探讨了IGBT器件零电压关断损耗和磁性元件磁芯损耗的测试和建模方法。该方法包括测试过程中探头延时校准、测试平台的设计以及测试得到的损耗数据拟合为数学模型的方法,利用该方法对典型IGBT模块的关断损耗进行评估和选择,结合磁性元件的损耗模型对软开关逆变器进行了损耗分析和优化设计。根据理论计算结果设计了1台30 kW软开关逆变器样机,实验结果验证了该动态损耗模型的准确性,并且实现了高功率密度和高效率的设计目标。
杜成瑞朱楠何宁徐德鸿
关键词：软开关逆变器开关损耗磁芯损耗
三相四线制软开关SiC逆变器软开关工况分析被引量：1
2018年
逆变电源的开关频率上限受到功率器件的动态损耗限制,导致较大的输出滤波元件的体积。零电压开关正弦脉宽调制(ZVS-SPWM)三相四线制逆变器电路只需引入1个辅助开关和2个较小的无源元件,就可以实现电路中所有开关器件的零电压开关。重点分析了SiC MOSFET寄生电容对零电压开关实现的影响,并在此基础上探讨了等效寄生电容值的提取方法,修正了零电压开关条件和功率器件电流、电压应力的计算值。最后在10 kW SiC MOSFET三相四线制零电压开关逆变器实验平台进行了验证。
朱应峰何宁胡长生徐德鸿
关键词：寄生电容
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