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杜晓伟

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

主题

  • 2篇带隙基准
  • 2篇带隙基准电路
  • 2篇低功耗
  • 2篇电池
  • 2篇电池电量
  • 2篇电池监测
  • 2篇电流
  • 2篇电流补偿
  • 2篇电路
  • 2篇电压
  • 2篇读写
  • 2篇读写操作
  • 2篇源极
  • 2篇正极
  • 2篇启动电路
  • 2篇写操作
  • 2篇漏极
  • 2篇基准电路
  • 2篇功耗
  • 2篇放电

机构

  • 6篇中国科学院微...

作者

  • 6篇赵野
  • 6篇付佳
  • 6篇郝炳贤
  • 6篇杜晓伟
  • 6篇姜伟

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种具有电流补偿的带隙基准电路
本发明公开了一种具有电流补偿的带隙基准电路，包括带隙基准核心电路、补偿电流产生电路和启动电路。该基准电路在传统一阶温度补偿带隙基准的基础之上，由补偿电流产生电路产生一个与一阶温度补偿输出电压曲线互补的电流，并通过电阻R<...
姜伟赵野付佳郝炳贤杜晓伟
文献传递
一种电池监测芯片的低功耗控制方法及系统
本发明涉及低功耗控制技术领域，公开了一种电池监测芯片的低功耗控制方法及系统。本发明根据电池的使用状态，对电池监测芯片的寄存器进行读写操作，使电池监测芯片在初始上电情况下处于待机工作模式，再对电池监测芯片的寄存器进行读写操...
杜晓伟赵野付佳郝炳贤姜伟
文献传递
一种ESD保护器件及适用于电池管理芯片的ESD电路
本发明涉及ESD技术领域，公开了一种ESD保护器件及适用于电池管理芯片的ESD电路。其中，ESD保护器件包括：衬底、埋入层、高压N阱区、高压P阱区、低压P阱区及低压NMOS管；埋入层在衬底上；高压P阱区在埋入层上；低压P...
付佳赵野郝炳贤姜伟杜晓伟
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一种电池监测芯片的低功耗控制方法及系统
本发明涉及低功耗控制技术领域，公开了一种电池监测芯片的低功耗控制方法及系统。本发明根据电池的使用状态，对电池监测芯片的寄存器进行读写操作，使电池监测芯片在初始上电情况下处于待机工作模式，再对电池监测芯片的寄存器进行读写操...
杜晓伟赵野付佳郝炳贤姜伟
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一种具有电流补偿的带隙基准电路
本发明公开了一种具有电流补偿的带隙基准电路，包括带隙基准核心电路、补偿电流产生电路和启动电路。该基准电路在传统一阶温度补偿带隙基准的基础之上，由补偿电流产生电路产生一个与一阶温度补偿输出电压曲线互补的电流，并通过电阻R<...
姜伟赵野付佳郝炳贤杜晓伟
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一种ESD保护器件及适用于电池管理芯片的ESD电路
本发明涉及ESD技术领域，公开了一种ESD保护器件及适用于电池管理芯片的ESD电路。其中，ESD保护器件包括：衬底、埋入层、高压N阱区、高压P阱区、低压P阱区及低压NMOS管；埋入层在衬底上；高压P阱区在埋入层上；低压P...
付佳赵野郝炳贤姜伟杜晓伟
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