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李龙

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第十一研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇导热
  • 2篇导热率
  • 2篇碲镉汞
  • 2篇碲镉汞材料
  • 2篇刻蚀
  • 1篇损伤层
  • 1篇去离子
  • 1篇碲镉汞薄膜
  • 1篇光刻
  • 1篇超声

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇陈慧卿
  • 2篇史春伟
  • 2篇谭振
  • 2篇李龙

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种用于碲镉汞材料低损伤高均匀性的刻蚀方法
本发明公开了一种用于碲镉汞材料低损伤高均匀性的刻蚀方法，所述方法包括：步骤1，在碲镉汞薄膜的芯片上，按照刻蚀图形要求进行光刻；步骤2，利用导热冷却液将芯片粘接在样品盘上，并将其置入具备PTSA等离子源的ICP设备的刻蚀腔...
谭振陈慧卿史春伟李龙
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一种用于碲镉汞材料低损伤高均匀性的刻蚀方法
本发明公开了一种用于碲镉汞材料低损伤高均匀性的刻蚀方法，所述方法包括：步骤1，在碲镉汞薄膜的芯片上，按照刻蚀图形要求进行光刻；步骤2，利用导热冷却液将芯片粘接在样品盘上，并将其置入具备PTSA等离子源的ICP设备的刻蚀腔...
谭振陈慧卿史春伟李龙
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