张学敏
- 作品数：20 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 微反射镜的制造方法
- 本发明提供一种微反射镜的制造方法，制造方法包括步骤：提供一(100)晶面的硅衬底；在硅衬底的顶面和底面分别生长一介质层；对硅衬底顶面的介质层进行刻蚀，以在硅衬底的顶面形成第一掩模图案，第一掩模图案包括多个第一掩模，每个第...
- 张学敏孙天玉付思齐俞挺王逸群张宝顺
- 文献传递
- 超声换能器、声隔离防串扰结构及其制备方法
- 本申请提供了一种超声换能器、声隔离防串扰结构及其制备方法。制备方法包括：对相邻超声换能器单元之间的衬底进行刻蚀，形成多个凹槽；在各个所述凹槽的侧壁制作形成声反射层；在各个所述凹槽中填充声阻尼材料，得到声隔离防串扰结构。采...
- 张学敏林文魁石豪时文华曾中明张宝顺孙国庆冷家君
- 水平结构氢终端金刚石MOSFET的研究进展
- 2024年
- 氢等离子体处理后的金刚石表面具有导电性,室温下二维空穴气(Two-dimensional hole gas,2DHG)面密度可达1013 cm-2,因此利用氢终端金刚石制备的场效应晶体管成为研究重点。本文基于金刚石优异的物理性质,介绍了两种氢终端金刚石2DHG的形成机理,以耗尽型氢终端金刚石MOSFET为例提出稳定2DHG及提高器件性能的方法,总结增强型氢终端金刚石MOSFET的三种实现方法,并综述氢终端金刚石功率器件研究现状、面临的问题以及对未来发展的展望。
- 尹灿邢艳辉张璇张丽于国浩张学敏张宝顺
- 关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管耗尽型
- 微反射镜的制造方法
- 本发明提供一种微反射镜的制造方法，所述制造方法包括步骤：提供一(100)晶面的硅衬底；在所述硅衬底的顶面和底面分别生长一介质层；对所述硅衬底顶面的介质层进行刻蚀，以在所述硅衬底的顶面形成第一掩模图案，所述第一掩模图案包括...
- 张学敏孙天玉付思齐王逸群邢政张宝顺
- 文献传递
- 一种外延碳化硅-石墨烯复合薄膜的制备方法
- 本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种外延生长碳化硅-石墨烯复合薄膜的制备方法，其包括如下步骤：将预处理后的基底置于化学气相沉积腔体中，控制所述气相沉积腔体绝对真空度高于10<Sup>-4</Sup>帕，1500～1600...
- 张学敏张泽洪张宝顺
- 文献传递
- 多尺寸兼容单片晶圆电镀夹具
- 本实用新型公开了一种多尺寸兼容单片晶圆电镀夹具，包括：基体，所述基体上设有分别用以容置不同尺寸晶圆的复数个不同尺寸的凹槽，且该复数个凹槽同心设置；以及，用以将晶圆压紧固定于所述凹槽内且与晶圆电性接触的探针机构。进一步的，...
- 俞挺张学敏丁海舰
- 文献传递
- 低温ICP-CVD氮化硅薄膜沉积技术及其应用
- 随着集成电路和半导体微纳加工技术的不断发展，半导体器件钝化问题已经成为半导体物理的一个重要的研究领域，因而制备优质的钝化薄膜成为研究焦点。氮化硅薄膜具有高介电常数、高化学稳定性、致密性好、抗氧化、抗腐蚀、抗杂质扩散和水汽...
- 张晓东张学敏时文华李海军王荣新张宝顺
- ICPCVD低温生长非晶硅的工艺及光学特性研究
- 2023年
- 文章利用ICPCVD在100℃及以下玻璃和蓝宝石片衬底上生长非晶硅薄膜,并通过调节Ar和SiH4气体流量比例、射频功率及衬底温度等参数,实现低温下高质量非晶硅薄膜的生长。随后用拉曼光谱表征分析研究了衬底温度变化对非晶硅薄膜沉积质量的影响,并计算出衬底温度为100℃时,非晶硅薄膜的结晶分数和微晶尺寸分别为64.4%和4.7 nm。此外还研究了非晶硅薄膜折射率和透过率等光学特性,并计算出薄膜的光学带隙最低为1.68。最后制备了两种a-Si/SiO_(2)/a-Si布拉格反射结构,厚度分别为36/100/41 nm和62/132/60 nm。两种结构在可见光和红外波段分别实现了90.4%和88.9%的最高反射率。
- 王进张伟冷家君韩鹤彬沈文超陆铖灵张学敏
- 关键词：非晶硅薄膜射频功率折射率
- 具有曲面结构的PMUT器件及其制作方法
- 本发明公开了一种具有曲面结构的PMUT器件及其制作方法。具有曲面结构的PMUT器件包括基片和压电薄膜，所述基片具有开口朝向所述压电薄膜的谐振腔，所述压电薄膜的选定部分沿选定方向覆盖在所述谐振腔的开口上方，其中，所述选定部...
- 周佳林文魁时文华石豪张学敏张宝顺曾中明
- 多孔径相干合束接收器及其制作方法
- 本发明公开了一种多孔径相干合束接收器的制作方法，制作方法包括：在衬底上形成包括多个第一光波导的光波导阵列和包括第二光波导和合束部的光波导合束器，其中，合束部具有多个光波导分支部，第二光波导和第一光波导对应连接到多个光波导...
- 孙天玉邢政张学敏张宝顺
- 文献传递
