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赵超

作品数：28 被引量：2H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十一研究所更多>>
相关领域：电子电信理学金属学及工艺文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇专利
  • 6篇期刊文章

领域

  • 13篇电子电信
  • 4篇理学
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 13篇锑化铟
  • 8篇晶片
  • 7篇晶体
  • 7篇INSB
  • 6篇晶体生长
  • 5篇抛光
  • 5篇红外
  • 5篇红外探测
  • 4篇探测器
  • 4篇碲镉汞
  • 4篇晶向
  • 4篇红外探测器
  • 4篇暗电流
  • 3篇抛光液
  • 3篇籽晶
  • 3篇晶体生长过程
  • 3篇拉速
  • 3篇化学抛光
  • 3篇非规则
  • 3篇半导体

机构

  • 28篇中国电子科技...

作者

  • 28篇赵超
  • 11篇折伟林
  • 6篇程鹏
  • 4篇程波
  • 3篇王鑫
  • 3篇刘铭
  • 3篇陈元瑞
  • 2篇喻松林
  • 2篇邢伟荣
  • 1篇吴卿
  • 1篇王成刚
  • 1篇王文燕

传媒

  • 3篇红外
  • 2篇激光与红外
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 8篇2024
  • 4篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 4篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2013
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种对InSb进行割圆倒角的装置
本发明公开了一种对InSb进行割圆倒角的装置，本发明主要用于非规则形状的InSb晶圆的制备工艺中，解决InSb单晶晶锭利用率低的问题。通过采用新型的割圆倒角工艺，可以使InSb单晶晶锭在切割成晶片以后再进行割圆，并在同一...
赵超陈元瑞程鹏
文献传递
一种碲镉汞雪崩探测器器件结构及雪崩探测器
本申请公开了一种碲镉汞雪崩探测器器件结构及雪崩探测器，涉及半导体技术，包括衬底层、p型收集层、吸收层、过渡层、漂移增强层、i型倍增层及n型收集层等。通过设置漂移增强层HgCdTe层，Cd组分采用阶梯状缓变以保持能级缓慢过...
何温折伟林邢伟荣赵超王丹王鑫郝斐刘铭
一种碲镉汞平面pn结红外探测器半导体器件及其制备方法
本发明提出了一种碲镉汞平面pn结红外探测器半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：器件下层和复合过渡层。复合过渡层由过渡层和器件上层复合。过渡层包括主体部和延伸部，主体部平行于器件下层，延伸部沿垂直于主体部并朝向远离器件...
何温折伟林喻松林赵超邢伟荣杨海燕
一种外延InSb衬底的表面处理方法
本发明公开了一种外延InSb衬底的表面处理方法，包括：步骤1，清洗待处理的InSb晶片，并将清洗后的InSb晶片进行干燥处理；步骤2，配制腐蚀液，并将干燥处理后的InSb晶片放入腐蚀液中进行湿化学处理；其中，配制的腐蚀液...
程鹏赵超刘铭
文献传递
低掺N型锑化铟InSb晶体掺杂方法
本发明公开了一种低掺N型锑化铟InSb晶体掺杂方法。低掺N型锑化铟InSb晶体掺杂方法，包括：获取高纯度的InSb锭条，并选取InSb锭条中导电类型为N型且载流子浓度低于掺杂后目标晶体要求浓度的部分作为原料；基于掺杂后目...
程波赵超
一种锑化铟晶片化学抛光方法
本发明提出了一种锑化铟晶片化学抛光方法。其中，机械化学抛光完成后，将粘结有锑化铟晶片的抛光盘倒置于盛有0.005％～10％的溴甲醇化学抛光液的抛光槽内，使得所述锑化铟晶片的表面朝向所述抛光槽的底部并且所述锑化铟晶片浸没于...
赵超程鹏
一种大尺寸锑化物晶体材料切割定向以及断段方法
本发明涉及一种大尺寸锑化物晶体材料切割定向以及断段方法，包括：将大尺寸非规则锑化物晶体固定到经过特殊设计的石墨托上；将石墨托固定到切割机的基准台面上，基准台面下方设置有双方向转台以及平移平台，双方向转台用于调整石墨托相对...
赵超董涛折伟林王小龙
一种对InSb进行割圆倒角的装置
本发明公开了一种对InSb进行割圆倒角的装置，本发明主要用于非规则形状的InSb晶圆的制备工艺中，解决InSb单晶晶锭利用率低的问题。通过采用新型的割圆倒角工艺，可以使InSb单晶晶锭在切割成晶片以后再进行割圆，并在同一...
赵超陈元瑞程鹏
锑化铟晶片的电学均匀性研究
2020年
锑化铟焦平面探测器是红外成像系统的重要组成部分,对红外成像的成本和性能都有重要影响。锑化铟晶片的质量及均匀性决定了探测器的性能。通过霍尔效应测试、低温探针法以及微波光电导衰退法研究了锑化铟晶片的电学性能均匀性。结果表明,所制备的锑化铟晶片的载流子浓度和电子迁移率的面分布较均匀,但低温电阻率以及少子寿命的分布呈现较小的非均匀性变化,这主要与锑化铟生长过程中的杂质分凝有关。
董涛赵超柏伟申晨吴卿
关键词：锑化铟电学性能均匀性
一种锑化铟晶片化学抛光方法
本发明提出了一种锑化铟晶片化学抛光方法。其中，机械化学抛光完成后，将粘结有锑化铟晶片的抛光盘倒置于盛有0.005％～10％的溴甲醇化学抛光液的抛光槽内，使得所述锑化铟晶片的表面朝向所述抛光槽的底部并且所述锑化铟晶片浸没于...
赵超程鹏
文献传递
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