杨威风
- 作品数：8 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第十六研究所更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究
- 2010年
- 基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统。该ICP PIII系统工作腔室为圆柱形,采用射频功率源,注入偏压源为一脉冲直流电压源,系统与Langmiur探针相连。探针诊断结果表明,该系统的等离子体离子密度达到1017m-3,离子密度径向均匀性达到3.53%。硼和磷的超低能注入试验的二次离子质谱测试结果表明:掺杂离子注入深度在10nm左右,最浅的注入深度为8.6nm(在注入离子密度为1018cm-3时);注入离子剂量达到了1015cm-2以上;掺杂离子浓度峰值在表面以下;注入陡峭度达到了2.5nm/decade。
- 汪明刚刘杰杨威风李超波夏洋
- 关键词：感应耦合等离子体ENERGY离子密度二次离子质谱直流电压源
- 等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究
- 自等离子体浸没注入技术被提出以来,该技术在材料表面改性方面具有广泛的应用。近年来该技术被用于32 nm以下技术节点中的超浅结制作。与束线离子注入技术相比,该技术注入效率更高成本更低。设计了一套用于超浅结制作的等离子体浸没...
- 汪明刚刘杰杨威风李超波夏洋
- 关键词：超浅结
- 文献传递
- 低温放大器组装技术分析研究
- 2017年
- 本文分析了低温放大器中温度应力影响和质量隐患,从芯片和印制板贴装、引线键合和盒体封装三个方面对低温放大器装配工艺进行了研究,给出了低温放大器组装工艺的关键工序,提出了组装工艺改善方法,对低温放大器的组装技术具有一定参考作用。
- 杨威风丁晓杰王曦雯王丽胡来平
- 关键词：低温放大器低噪声高灵敏度接收机
- 腔室状态对图形化蓝宝石衬底刻蚀工艺的影响被引量：1
- 2012年
- 图形化蓝宝石衬底是近年来针对高度发光二极管的应用要求发展起来的一种新技术。通过利用自主研制的工业化感性耦合等离子体刻蚀机对图形化蓝宝石衬底的刻蚀工艺进行了研究。采用光学发射光谱仪和扫描电镜研究了PSS生产过程中腔室状态的变化对蓝宝石的刻蚀速率、选择比和图形形貌的影响。研究结果表明:随着反应腔累积放电时间的增加,刻蚀速率呈现下降趋势,选择比呈先上升然后下降的趋势。该趋势由反应腔室内表面上的沉积物所引起。
- 杨威风汪明刚刘杰李超波夏洋高福宝
- 关键词：发光二极管沉积物
- 等离子体浸没离子注入技术与设备研究被引量：2
- 2010年
- 基于传统束线离子注入在制造器件源漏超浅结时面临的挑战,介绍了一种新的超浅结的制造方法——等离子体浸没离子注入技术,总结了该技术在制造超浅结时的优点,阐述了放电方式、线圈结构、偏压电源等系统核心部件的设计,自行设计并搭建了等离子体浸没离子注入系统。采用ESPion高级朗缪尔探针测试和计算流体力学模拟方法对比研究了等离子体的特性,结果显示,在一定功率范围内等离子体密度随放电功率增加类似线性地增加;采用二次离子质谱仪对B和P的注入样片进行深度剖析,给出了偏压为-500V时B和P的注入深度分布曲线,表明注入时间既影响注入剂量,又影响峰值的位置和注入深度。
- 刘杰汪明刚杨威风李超波夏洋
- 关键词：等离子体浸没离子注入超浅结感应耦合线圈结构
- 图形化蓝宝石衬底技术综述被引量：9
- 2012年
- 采用图形化蓝宝石衬底(PSS)技术可以降低GaN外延层材料位错密度,提高了发光二极管(LED)的内量子效率(IQE),同时使LED光析出率(LEE)提高。基于PSS技术可以制作高效GaN基高亮度LED。基于已公开发表文献对用于高效LED制作的PSS技术做了综述,介绍了PSS技术演化、PSS的制作方法与主要的图形结构、PSS上GaN外延层生长机制以及PSS对LED性能的影响。PSS结构对LED的IQE与LEE均有提高,但对二者哪个提高更为有效没有定论,最近的研究结果倾向于以为对LEE提高更为有效。PSS对LED的IQE与LEE提高的机制目前并不是非常清楚,对公开发表的PSS对LEE的提高机制提出了不同看法。不同PSS结构与尺寸对GaN质量以及LED性能的影响方面的研究目前还非常缺乏。
- 汪明刚杨威风胡冬冬李超波夏洋
- 关键词：发光二极管内量子效率GAN外延生长
- Cl_2/BCl_3感应耦合等离子体GaN刻蚀侧壁形貌研究
- 2012年
- 基于感应耦合等离子体干法刻蚀技术,对采用Cl2/BCl3气体组分下GaN刻蚀后的侧壁形貌进行了研究。扫描电镜(SEM)结果表明,一定刻蚀条件下,刻蚀后GaN侧壁会形成转角与条纹状褶皱形貌。进一步实验,观察到了GaN侧壁转角形貌的形成过程;低偏压功率实验表明,高能离子轰击是GaN侧壁转角与条纹状褶皱形貌形成的原因。刻蚀过程中,掩蔽层光刻胶经过高能离子一段时间轰击后,其边缘首先出现条纹状褶皱形貌,并转移到GaN侧壁上,接着转角形貌亦随之出现并转移到GaN侧壁上。这与已公开发表文献认为的GaN侧壁条纹状褶皱仅由于掩蔽层边缘粗糙所引起而非刻蚀过程中形成的解释不同。
- 汪明刚杨威风李超波刘训春夏洋
- 关键词：氮化镓干法刻蚀感应耦合等离子体
- 等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究
- 自等离子体浸没注入技术被提出以来,该技术在材料表面改性方面具有广泛的应用。
近年来该技术被用于32 nm以下技术节点中的超浅结制作。与束线离子注入技术相比,该技术注入效率更高成本更低。设计了一套用于超浅结制作的...
- 汪明刚刘杰杨威风李超波夏洋
- 关键词：超浅结表面改性
- 文献传递
