周玉林
- 作品数：8 被引量：8H指数：3
- 供职机构：五邑大学机电工程学院更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺电子电信更多>>
- 动态气流下真空腔室内的压强分布及压差测量被引量：3
- 2016年
- 集成电路(IC)装备工艺腔室内流场的均匀性是影响镀膜质量的关键因素。本文通过控制真空腔室入口处N_2流量(140,230,320 mL/min(标准状态))和出气口处压强值(36,45,55 Pa)来设置实验,采用压力管法测量低压腔室内任一点的压强值和薄膜规直接测量腔壁、出气口的压强值来实现腔室内压强分布的研究和压差的测量。讨论了腔壁与出气口之间的压差对压力管法的测量误差的影响;选择了二级匀气装置对进入腔室内的气体进行布气,通过比较腔室内同一水平面上各点与出气口之间的压差是否恒定来分析二级匀气盘的匀气效果。试验研究发现:在距离腔室中心150 mm的范围内,二级匀气装置的布气效果明显;本文采用的压力管法测量腔室内压强的误差与腔室进气量和腔室内流速存在内在联系。研究结果对IC装备设计及工艺控制有一定的指导意义。
- 周玉林杨铁牛
- 关键词：压差
- PECVD变结构腔室热流场耦合规律研究被引量：3
- 2016年
- 在真空半导体产业中,等离子体增强化学气相沉积腔室内热流场耦合的参数控制是生产工艺过程决定产品质量的关键因素。通过变结构腔室内温度和压力耦合测量试验验证,得到正确可行的针对变结构腔室三维模型热流场耦合计算的仿真算法。对比试验结果,依次改变腔室入口流量、出口压力以及承载台温度的大小,分析计算腔室内温度和压力的耦合分布特性。变结构腔室中热流场耦合分布规律,为真空腔室结构设计及参数控制提供理论依据。
- 黄尊地常宁杨铁牛周玉林
- IC装备真空腔室的气密性检测试验及分析被引量：1
- 2015年
- 腔室气密性是影响集成电路（IC）装备真空腔室内流场均匀性的重要因素，腔室漏率数量级不高于10^-6Pa·m^3／s、极限真空度数量级不高于10^-4Pa，才能满足IC工艺的漏率要求．本文用氮质谱检漏仪检测真空腔室泄漏情况，并将泄漏处逐一进行堵漏处理，使腔室气密性能达到IC装备的工艺要求．用静态升压法计算得出腔室漏率为8．84×10^6Pa·m^3／s，极限真空度为2×10-^4Pa,考虑用于实际生产的工艺腔室体积小（10-30L），而本实验腔室体积（84．5L）较大，所以搭建的真空室可以满足IC装备的漏率要求。
- 周玉林杨铁牛
- 关键词：氦质谱检漏仪漏率
- 一种可更换搅拌头的多功能超声搅拌机
- 本实用新型公开了一种可更换搅拌头的多功能超声搅拌机，包括搅拌机底座、升降夹具、搅拌头、快速更换搅拌轴装置和超声发生器，所述搅拌机底座上设置有升降支撑杆，升降夹具活动安装在升降支撑杆上并可沿升降支撑杆上下升降，搅拌头设置在...
- 李昌明周玉林杨铁牛
- 文献传递
- 一种用于低压模拟工艺腔室内压力测量的装置及方法
- 本发明公开了一种用于低压模拟工艺腔室内压力测量的装置及方法，该装置包括上盖、匀气室、腔体、基板及排气装置，腔体内设有压力引管，压力引管包括伸缩引管及套在伸缩引管外的定长引管，定长引管和伸缩引管之间设有调节伸缩引管长度的调...
- 杨铁牛周玉林黄尊地李昌明黄辉张祁莉李鹤喜
- 文献传递
- 特定结构实验腔室内的压力和温度分布规律研究
- 微电子和半导体技术的发展是“互联网+”发展的基石。在半导体制造领域中,IC(Integrated Circuit)装备工艺腔室内压强和温度的均匀性是影响沉积生产工艺质量的关键因素。采用模块化思想设计特定结构实验腔室,根据...
- 周玉林
- 关键词：温度测量
- 文献传递
- PECVD变结构腔室压力分布规律研究被引量：5
- 2015年
- 在真空半导体产业发展过程中,决定产品质量的关键因素是生产工艺过程的参数控制,等离子体增强化学气相沉积(PECVD)中比较重要的一个参数为腔室内压力值。通过变结构腔室压力测量试验验证,得到正确可行的针对变结构腔室三维模型的网格剖分方法和仿真算法。影响腔室内压力分布的四个变量中,依次改变粘滞阻力系数、入口初始压力、入口流量和排气口压力的大小,分析计算腔室内压力分布特性。变结构腔室中压力分布规律,为PECVD腔室结构设计及腔室压力控制提供理论依据。
- 黄尊地杨铁牛常宁周玉林
- 一种用于低压模拟工艺腔室内压力测量的装置及方法
- 本发明公开了一种用于低压模拟工艺腔室内压力测量的装置及方法，该装置包括上盖、匀气室、腔体、基板及排气装置，腔体内设有压力引管，压力引管包括伸缩引管及套在伸缩引管外的定长引管，定长引管和伸缩引管之间设有调节伸缩引管长度的调...
- 杨铁牛周玉林黄尊地李昌明黄辉张祁莉李鹤喜
- 文献传递
