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刘芳

作品数:6 被引量:0H指数:0
供职机构:西北核技术研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:核科学技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇核科学技术
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇电流
  • 2篇电子学
  • 2篇压接
  • 2篇转接器
  • 2篇微米
  • 2篇微米结构
  • 2篇漏电
  • 2篇漏电流
  • 2篇光衰
  • 2篇光衰减
  • 2篇高速气流
  • 2篇NA
  • 2篇CSI
  • 2篇CZT探测器
  • 2篇电流型
  • 1篇电磁
  • 1篇电磁脉冲
  • 1篇定制
  • 1篇屏蔽
  • 1篇脉冲

机构

  • 6篇西北核技术研...
  • 2篇华北电力大学

作者

  • 6篇刘芳
  • 4篇刘洋
  • 4篇刘金良
  • 4篇陈亮
  • 4篇欧阳晓平
  • 4篇赵晓川
  • 2篇程晓磊
  • 2篇张子川
  • 2篇苏春磊
  • 2篇张忠兵
  • 2篇蒋飞军
  • 2篇张子
  • 2篇程晓磊
  • 2篇王伟

传媒

  • 1篇中国核学会2...

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种压接结构的电流型CZT探测器
本发明属于辐射探测装置,具体涉及一种压接结构的电流型CZT探测器。本发明解决了工艺、技术条件导致的CZT探测器的封装结构不良,封装后漏电流增大、电极不牢固、制备难度大、性能不稳定、加工定制成品率低等技术问题。其包括屏蔽壳...
欧阳晓平赵晓川刘芳刘洋刘金良陈亮张子川蒋飞军王伟
文献传递
缩短CsI(Na)晶体X、γ射线激发下发光衰减时间的方法
本发明属于核辐射探测领域,涉及一种缩短CsI(Na)晶体对X、γ射线发光衰减时间的方法。本发明利用高能球磨机及高速气流粉碎技术将CsI(Na)块状晶体制备成微米、纳米量级结构晶体,通过改变CsI(Na)的粒度结构来加快其...
欧阳晓平刘芳刘金良刘洋苏春磊陈亮张忠兵赵晓川程晓磊张子
文献传递
高强度脉冲辐射场诊断中电子学设备NEMPI屏蔽的极限条件分析法
本文介绍了在高强度脉冲辐射场诊断工作中,现场开展电子学设备的NEMPI(核电磁脉冲干扰)评估及屏蔽工作的难点问题,并提出通过'极限条件分析法'保守可靠地解决这一类问题.通过'电场能量完全耦合'这一极限条件的假设,无需通过...
程晓磊刘芳欧阳晓平
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一种压接结构的电流型CZT探测器
本发明属于辐射探测装置,具体涉及一种压接结构的电流型CZT探测器。本发明解决了工艺、技术条件导致的CZT探测器的封装结构不良,封装后漏电流增大、电极不牢固、制备难度大、性能不稳定、加工定制成品率低等技术问题。其包括屏蔽壳...
欧阳晓平赵晓川刘芳刘洋刘金良陈亮张子川蒋飞军王伟
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缩短CsI(Na)晶体X、γ射线激发下发光衰减时间的方法
本发明属于核辐射探测领域,涉及一种缩短CsI(Na)晶体对X、γ射线发光衰减时间的方法。本发明利用高能球磨机及高速气流粉碎技术将CsI(Na)块状晶体制备成微米、纳米量级结构晶体,通过改变CsI(Na)的粒度结构来加快其...
欧阳晓平刘芳刘金良刘洋苏春磊陈亮张忠兵赵晓川程晓磊张子
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高强度脉冲辐射场诊断中电子学设备NEMPI屏蔽的极限条件分析法
本文介绍了在高强度脉冲辐射场诊断工作中,现场开展电子学设备的NEMPI(核电磁脉冲干扰)评估及屏蔽工作的难点问题,并提出通过"极限条件分析法"保守可靠地解决这一类问题。通过"电场能量完全耦合"这一极限条件的假设,无需通过...
程晓磊刘芳欧阳晓平
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共1页<1>
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