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马平

作品数：17 被引量：0H指数：0
供职机构：华为技术有限公司更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇中文专利

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 11篇相变存储
  • 10篇相变材料
  • 9篇相变存储器
  • 9篇存储器
  • 6篇电子设备
  • 5篇相变
  • 3篇电极
  • 3篇势垒
  • 3篇晶化
  • 3篇晶体管
  • 3篇半导体
  • 2篇导体
  • 2篇电流崩塌
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇堆叠
  • 2篇钝化层
  • 2篇循环寿命
  • 2篇势垒层
  • 2篇迁移率
  • 2篇铪化合物

机构

  • 17篇华为技术有限...

作者

  • 17篇马平
  • 5篇李海军
  • 3篇贺强
  • 3篇鲁明
  • 3篇马俊彩
  • 3篇鲁微
  • 3篇陈鑫
  • 2篇谭海波
  • 2篇缪向水
  • 1篇刘涛
  • 1篇饶进
  • 1篇石晓钟
  • 1篇王瑜
  • 1篇廖宇

年份

  • 3篇2024
  • 6篇2023
  • 5篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2017
  • 1篇2014
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种相变存储器单元及相变存储器
本申请涉及相变存储器技术领域，公开了一种相变存储器单元及相变存储器。其中，相变存储器单元包括底电极层、加热电极结构、相变材料结构和顶电极层；底电极层、加热电极结构、相变材料结构和顶电极层从下至上依次层叠设置；加热电极结构...
马平
一种相变薄膜及其制备方法和相变存储器
本申请实施例提供了一种相变薄膜，包括堆叠设置的多层相变材料层，其中，每一所述相变材料层的材质包括Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>，所述相变薄膜中还含有掺杂元素，且所述掺杂元素的质量百分含量按照所述...
程晓敏刘香君曾运韬缪向水马平谭海波李响
存储阵列、存储阵列的制备方法、相变存储器和存储芯片
本申请适用于半导体技术领域，提供了一种存储阵列、存储阵列的制备方法、相变存储器和存储芯片，所述存储阵列包括：衬底材料，以及排布在所述衬底材料上的多个相变存储单元，多个所述相变存储单元中的每个所述相变存储单元均包括相变材料...
蓝天马平
一种相变存储器、电子设备和相变存储器的制备方法
本申请提供了一种相变存储器、电子设备和相变存储器的制备方法，涉及数据存储技术领域，以解决相变存储器可靠性低、循环寿命短等问题。本申请提供的相变存储器包括多个相变存储单元，多个相变存储单元中的每个相变存储单元包括第一电极、...
马平李响
相变材料、相变存储芯片、存储设备及电子设备
本申请公开了相变材料、相变存储芯片、存储设备及电子设备，属于半导体存储技术领域。该相变材料包括Sb<Sub>n</Sub>X<Sub>m</Sub>材料，其中，n:m≥1:1；元素X的原子半径与元素Sb的原子半径的差值满...
马平李响
一种相变存储单元及相变存储器
本申请提供一种相变存储单元及相变存储器。该相变存储单元包括第一电极、第二电极和相变材料层，其中，相变材料层位于第一电极与第二电极之间，相变材料层包括掺杂铪(Hf)金属和/或铪化合物的母体相变材料，母体相变材料为包含锗(G...
李响郭艳蓉陈鑫马平童浩
半导体结构及其工作方法、功率放大电路、电子设备
本申请实施例提供一种半导体结构及其工作方法、功率放大电路、电子设备，涉及半导体技术领域，用于提高高功率半导体器件的总输出功率。半导体结构包括多个半导体组，每个半导体组包括多个源极、多个漏极和多个栅极、漏极焊盘、栅极焊盘以...
马平李海军仲正乐伶聪
一种高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明提供了一种高电子迁移率晶体管，包括层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、钝化层及形成于所述势垒层上的源极、栅极、漏极，所述栅极设置于所述源极与所述漏极之间，所述高电子迁移率晶体管设有凹部，所述凹部设有凹部...
鲁微李海军马俊彩贺强鲁明马平
相变材料、相变存储芯片、存储设备及电子设备
本申请公开了相变材料、相变存储芯片、存储设备及电子设备，属于半导体存储技术领域。该相变材料包括Sb<Sub>n</Sub>X<Sub>m</Sub>材料，其中，n:m≥1:1；元素X的原子半径与元素Sb的原子半径的差值满...
马平李响
一种高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明提供了一种高电子迁移率晶体管，包括层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、钝化层及形成于所述势垒层上的源极、栅极、漏极，所述栅极设置于所述源极与所述漏极之间，所述高电子迁移率晶体管设有凹部，所述凹部设有凹部...
鲁微李海军马俊彩贺强鲁明马平
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