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张秋香

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇低K材料
  • 2篇电路
  • 2篇淀积
  • 2篇原子层淀积
  • 2篇铜互连
  • 2篇互连
  • 2篇混合集成电路
  • 2篇集成电路
  • 1篇电路制造
  • 1篇叠层
  • 1篇叠层结构
  • 1篇金属
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体集成
  • 1篇层结构

机构

  • 2篇复旦大学

作者

  • 2篇丁士进
  • 2篇朱宝
  • 2篇张秋香

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种基于低K材料和铜互连的MIM电容及其制备方法
本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种基于低介电材料和铜互连结构的高性能金属-绝缘体-金属(MIM)电容及其制备方法。所公开的电容在集成电路后端工艺(铜互连)中形成，并且以TaN或TaN/Ta叠层为上下金属电极...
丁士进朱宝张秋香
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一种基于低K材料和铜互连的MIM电容及其制备方法
本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种基于低介电材料和铜互连结构的高性能金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容及其制备方法。所公开的电容在集成电路后端工艺(铜互连)中形成，并且以TaN或TaN/Ta叠层为上下金属电极...
丁士进朱宝张秋香
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