陈琳楠
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：西安理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种功率二极管及其制备方法
- 本发明公开了一种功率二极管，包括从下到上依次设置的阴极N<Sup>+</Sup>区、耐压层和阳极P<Sup>+</Sup>区，阴极N<Sup>+</Sup>区包括横向设置的两个N<Sup>+</Sup>区，N<Sup>+...
- 马丽陈琳楠谢加强李伟
- 文献传递
- 快恢复功率二极管的结构设计及特性、工艺研究
- 目前日益突出的环境问题，让人们更加注重发展绿色环保产业。节能减排，减轻环境污染己经成为全社会的责任。使用性能优越的电力半导体器件来提高能源效率也成为半导体行业发展的重要方向，这引导功率器件沿着高效高频和高耐压、高功率、集...
- 陈琳楠
- 关键词：功率二极管快速软恢复
- 温度对SiGe/Si异质结功率二极管电学特性的影响(英文)被引量：1
- 2014年
- 在考虑到各种物理机制如载流子-载流子散射、俄歇复合、禁带窄化效应及结温效应等的基础上,数值模拟分析了SiGe/Si功率开关二极管的各种温度依赖特性。对Si和SiGe/Si功率二极管而言,温度对器件的正向压降VF、反向击穿电压VB以及反向漏电流JR的影响规律基本相似,即随着温度的升高,正向压降降低,击穿电压增加,反向漏电流迅速提高。然而在相同的温度下,与Si功率开关二极管相比,SiGe/Si二极管(20%Ge含量)的正向压降降低了近0.1V(在正向电流密度10A/cm2的情况下),反向恢复时间缩短了一半以上,反向峰值电流密度也下降了约三分之一,软度因子S提高了2倍多。SiGe二极管的另外一个重要优点是其反向恢复特性受温度影响很小。当温度从300K增加到400K时,Si功率二极管的反向恢复时间增加了近1倍,而SiGe/Si二极管(20%Ge含量)的反向恢复时间基本保持不变。SiGe/Si功率开关二极管的一个缺点是在高温下产生较大的漏电流,但这可以通过适当降低Ge含量来改善。Ge的引入为器件设计提供了更大的自由度,其含量对器件特性有重要影响。为了获得低的正向压降和短的反向恢复时间,应该提高Ge的含量,但Ge含量增加将导致大的漏电流,因此Ge含量的大小应该优化折衷考虑。
- 马丽谢加强陈琳楠高勇
- 关键词：温度特性
- 一种功率二极管及其制备方法
- 本发明公开了一种功率二极管，包括从下到上依次设置的阴极N<Sup>+</Sup>区、耐压层和阳极P<Sup>+</Sup>区，阴极N<Sup>+</Sup>区包括横向设置的两个N<Sup>+</Sup>区，N<Sup>+...
- 马丽陈琳楠谢加强李伟
- 文献传递
