您的位置： 专家智库 > >

冯枫

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：华中科技大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇量子
  • 6篇量子点
  • 6篇硅量子点
  • 2篇导电薄膜
  • 2篇电荷
  • 2篇电致发光
  • 2篇银纳米颗粒
  • 2篇织构
  • 2篇势垒
  • 2篇双势垒
  • 2篇透明导电
  • 2篇透明导电薄膜
  • 2篇纳米
  • 2篇金属栅
  • 2篇硅衬底
  • 2篇发光
  • 2篇浮栅
  • 2篇SUB
  • 2篇掺杂
  • 2篇衬底

机构

  • 6篇华中科技大学

作者

  • 6篇冯枫
  • 5篇廖武刚
  • 5篇曾祥斌
  • 5篇郑文俊
  • 3篇黄诗涵
  • 2篇曹陈晨
  • 2篇文国知

传媒

  • 1篇中国科学：技...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 6 条 记 录，以下是 1-6
全选 清除 导出
排序方式：
一种掺杂硅量子点发光二极管器件及其制备方法
本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含掺杂硅量子点的SiN<Sub>x</Sub>薄膜，透明导电薄膜AZO层以及Si<Sub>3</Sub>N<...
曾祥斌廖武刚文西兴郑文俊冯枫文杨阳黄诗涵
文献传递
基于SiC<Sub>x</Sub>织构的硅量子点浮栅非易失性存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于SiC<Sub>x</Sub>织构的硅量子点浮栅非易失性半导体存储器及其制备方法，包括硅衬底，在硅衬底上掺杂形成的源导电区和漏导电区，以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化层、电荷存储层、控制...
曾祥斌文西兴文国知郑文俊廖武刚冯枫曹陈晨
文献传递
硅量子点双势垒存储结构及其编程机制的研究
2015年
采用等离子体化学气相沉积(PECVD)及热退火方法制备了含硅量子点的Si Cx薄膜.透射电子显微镜(TEM)观测表明Si Cx薄膜中生长了大量硅量子点.制备了含Si Cx薄膜包裹硅量子点的双势垒存储器结构.TEM观测表明,采用上述工艺成功制备了Si3N4/Si Cx薄膜/Si-QDs/Si Cx薄膜/Si O2双势垒结构的存储器结构.利用硅量子点的库伦阻塞效应及量子限域效应,从理论上分析了双势垒硅量子点存储器的编程机制,建立了双势垒存储结构阈值电压漂移模型,模拟仿真表明双势垒存储器的阈值电压漂移要大于单势垒存储器,编程速度更快.存储结构C-V特性测试表明,样品在扫描栅压为±12 V时有10 V左右的存储窗口,证明双势垒存储结构具有良好载流子存储效应.
郑文俊曾祥斌文西兴廖武刚冯枫黄诗涵
关键词：双势垒硅量子点编程机制存储器
硅量子点双势垒浮栅存储器的研究
随着半导体器件的飞速发展，传统非易失性存储器因隧穿氧化层特征尺寸不断缩小的而面临严峻挑战。隧穿氧化层的变薄，使得应力致漏电流（SILC）所导致的存储器可靠性下降的问题愈加凸出。为了解决该问题，人们提出了硅量子点浮栅结构以...
冯枫
关键词：半导体器件
文献传递
一种掺杂硅量子点发光二极管器件及其制备方法
本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含掺杂硅量子点的SiN<Sub>x</Sub>薄膜，透明导电薄膜AZO层以及Si<Sub>3</Sub>N<...
曾祥斌廖武刚文西兴郑文俊冯枫文杨阳黄诗涵
基于SiC<Sub>x</Sub>织构的硅量子点浮栅非易失性存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于SiC<Sub>x</Sub>织构的硅量子点浮栅非易失性半导体存储器及其制备方法，包括硅衬底，在硅衬底上掺杂形成的源导电区和漏导电区，以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化层、电荷存储层、控制...
曾祥斌文西兴文国知郑文俊廖武刚冯枫曹陈晨
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0