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黄诗涵

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：华中科技大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术理学电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 4篇量子
  • 4篇量子点
  • 4篇硅量子点
  • 2篇导电薄膜
  • 2篇电致发光
  • 2篇银纳米颗粒
  • 2篇透明导电
  • 2篇透明导电薄膜
  • 2篇纳米
  • 2篇硅衬底
  • 2篇发光
  • 2篇掺杂
  • 2篇衬底
  • 2篇存储器
  • 1篇电池
  • 1篇多通道
  • 1篇多通道数据
  • 1篇多通道数据采...
  • 1篇阵列
  • 1篇势垒

机构

  • 5篇华中科技大学

作者

  • 5篇黄诗涵
  • 4篇曾祥斌
  • 4篇郑文俊
  • 3篇廖武刚
  • 3篇冯枫

传媒

  • 1篇中国科学：技...
  • 1篇2014`全...

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2015
  • 2篇2014
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
基于FPGA的多通道数据采集太阳能电池测试系统的研究
随着世界经济发展得愈加迅速，人类对于能源的需求量也将会变得越来越大。然而，传统能源将会开采枯竭，这必将会带来世界性的能源危机。新能源——尤其是太阳能的出现有效地缓解了能源危机。光伏产业的愈加成熟，让太阳能电池测试系统的需...
黄诗涵
关键词：太阳能电池数据采集系统现场可编程门阵列
硅量子点双势垒存储结构及其编程机制的研究
2015年
采用等离子体化学气相沉积(PECVD)及热退火方法制备了含硅量子点的Si Cx薄膜.透射电子显微镜(TEM)观测表明Si Cx薄膜中生长了大量硅量子点.制备了含Si Cx薄膜包裹硅量子点的双势垒存储器结构.TEM观测表明,采用上述工艺成功制备了Si3N4/Si Cx薄膜/Si-QDs/Si Cx薄膜/Si O2双势垒结构的存储器结构.利用硅量子点的库伦阻塞效应及量子限域效应,从理论上分析了双势垒硅量子点存储器的编程机制,建立了双势垒存储结构阈值电压漂移模型,模拟仿真表明双势垒存储器的阈值电压漂移要大于单势垒存储器,编程速度更快.存储结构C-V特性测试表明,样品在扫描栅压为±12 V时有10 V左右的存储窗口,证明双势垒存储结构具有良好载流子存储效应.
郑文俊曾祥斌文西兴廖武刚冯枫黄诗涵
关键词：双势垒硅量子点编程机制存储器
硅量子点的制备及其在存储器中的应用
采用热氧化的方法在P型硅衬底上获得SiO2隧穿层;随后采用等离子体化学气相沉积的方法,以CH4与SiH4为反应气体,在隧穿层上制备富硅SiCx薄膜;并将上述样品原位1000℃热退火制备了含硅量子点的SiCx薄膜;最后利用...
曾祥斌郑文俊文西兴廖武钢冯峰黄诗涵文杨阳
关键词：存储器硅量子点碳化硅薄膜
文献传递
一种掺杂硅量子点发光二极管器件及其制备方法
本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含掺杂硅量子点的SiN<Sub>x</Sub>薄膜，透明导电薄膜AZO层以及Si<Sub>3</Sub>N<...
曾祥斌廖武刚文西兴郑文俊冯枫文杨阳黄诗涵
文献传递
一种掺杂硅量子点发光二极管器件及其制备方法
本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含掺杂硅量子点的SiN<Sub>x</Sub>薄膜，透明导电薄膜AZO层以及Si<Sub>3</Sub>N<...
曾祥斌廖武刚文西兴郑文俊冯枫文杨阳黄诗涵
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