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孙晓

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：北京工业大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家科技支撑计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 4篇二极管
  • 3篇肖特基
  • 3篇ALGAN/...
  • 2篇氮化镓
  • 2篇势垒
  • 2篇肖特基势垒
  • 2篇肖特基势垒二...
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇异质结
  • 1篇迁移率
  • 1篇肖特基二极管
  • 1篇铝镓氮
  • 1篇结构优化
  • 1篇晶体管
  • 1篇开关
  • 1篇开关器件
  • 1篇击穿
  • 1篇击穿特性
  • 1篇功率
  • 1篇发光

机构

  • 4篇北京工业大学

作者

  • 4篇孙晓
  • 3篇孙捷
  • 3篇郭伟玲
  • 3篇徐儒
  • 2篇邹德恕
  • 2篇陈艳芳
  • 1篇朱彦旭
  • 1篇白俊雪
  • 1篇韩禹
  • 1篇樊星
  • 1篇雷珺

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学

年份

  • 2篇2016
  • 2篇2015
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
AlGaN/GaN SBD的正向导通特性研究被引量：1
2015年
主要研究了横向AlGaN/GaN异质结肖特基势垒二极管(简称SBD)的正向导通特性,设计制备了基于蓝宝石衬底和硅衬底的不同器件结构的AlGaN/GaN SBD器件。测量结果表明,通过适当改变肖特基-欧姆电极布局,以及在导电衬底上施加相应的偏压,可以有效改善器件的正向导通特性。实验所制备的肖特基电极半径为120μm、肖特基-欧姆电极间距为25μm的基于Al2O3衬底的AlGaN/GaN SBD器件,实现了正向导通电流0.05A@2V(Ron=9.13mΩ·cm2)、反向饱和漏电流为10-6 A的性能。对制备的硅基AlGaN/GaN SBD器件的测试发现,通过外加衬底偏压能够有效改善其正向导通特性。
孙晓郭伟玲徐儒朱彦旭孙捷陈艳芳李松宇邹德恕
关键词：肖特基势垒二极管
AlGaN/GaN开关器件关键技术的研究
基于AlGaN/GaN异质结的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode，SBD)和高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor，HEMT）开关器件具有耐压高...
孙晓
关键词：肖特基势垒二极管高电子迁移率晶体管异质结氮化镓
文献传递
GaN基高压发光二极管理想因子与单元个数关系研究被引量：1
2015年
理想因子能够反映电流、载流子泄漏以及缺陷导致的非辐射复合等现象.针对目前报道的Ga N基发光二极管的理想因子的问题,通过对高压发光二极管I-V曲线的拟合计算出了理想因子n的数值,分别讨论了12V,19 V,51 V和80 V Ga N基高压发光二极管的理想因子与其结构中串联晶粒个数的关系,分析了理想因子大小与光谱半高宽(FWHM)的变化关系.另外,还对电流拥挤效应对理想因子的影响进行了分析.结果表明:高压发光二极管理想因子n随串联晶粒个数的增加几乎为线性规律增加,高压发光二极管理想因子n是由其串联单元理想因子之和构成的.这对Ga N基高压发光二极管理想因子的研究具有参考价值.
白俊雪郭伟玲孙捷樊星韩禹孙晓徐儒雷珺
关键词：GAN基发光二极管
功率AlGaN/GaN肖特基二极管结构优化设计
2016年
利用Silvaco-ATLAS软件设计了AlGaN/GaN肖特基二极管(SBD)的基本结构,主要针对功率器件的关键参数—击穿电压进行仿真模拟,分析对比了AlGaN/GaN异质结中Al的组分、二极管阳极与阴极的间距Lac、场板的引入和长度以及FP结构下钝化层Si3N4的厚度t对二极管击穿特性的影响。结果显示,Lac的增加、场板的引入和FP结构下钝化层厚度t的变化均对二极管的击穿特性有所优化,但同时,Al组分的增加和Lac的增加对二极管引入了不同程度的负面影响。仿真结果对器件的实际制作具有一定的指导意义。
徐儒郭伟玲孙晓陈艳芳李松宇邹德恕孙捷
关键词：击穿特性结构优化
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