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王帅

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：西安交通大学更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电化学
  • 1篇电化学法
  • 1篇刻蚀
  • 1篇化学法
  • 1篇光效
  • 1篇光效率
  • 1篇光致
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇出光
  • 1篇出光效率
  • 1篇N-GAN

机构

  • 1篇西安交通大学

作者

  • 1篇云峰
  • 1篇张烨
  • 1篇黄亚平
  • 1篇郭茂峰
  • 1篇丁文
  • 1篇王帅
  • 1篇王江腾
  • 1篇刘浩

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
光致电化学法提高垂直结构发光二极管出光效率的研究被引量：3
2015年
研究了在垂直结构发光二极管(VLED)器件中,光致电化学法(PEC)刻蚀N极性n-Ga N的速率受不同刻蚀条件(刻蚀浓度、刻蚀时间和光照强度)的影响.并选择N极性n-Ga N表面含有较理想六角金字塔结构(侧壁角为31°)的样品制成器件,研究PEC刻蚀对VLED的欧姆接触和光电性能的影响.结果表明,与未粗化样品相比,PEC刻蚀后的样品接触电阻率明显降低,形成更好的欧姆接触;其电学特性有较好的改善,光输出功率有明显提高,在20 m A电流下光输出功率增强了86.1%.对不同金字塔侧壁角度的光提取效率用时域有限差分法(FDTD)模拟,结果显示光提取效率在侧壁角度为20°—40°有显著提高,在23.6°(Ga N-空气界面的全反射角)时达到最大.
弓志娜云峰丁文张烨郭茂峰刘硕黄亚平刘浩王帅冯仑刚王江腾
关键词：刻蚀N-GAN出光效率
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共1页<1>
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