徐建成
- 作品数：19 被引量：50H指数：4
- 供职机构：首都师范大学物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：矿业工程电子电信理学文化科学更多>>
- 光电子材料InP玷污的研究
- 2002年
- 文章给出了光电子材料InP的 ( 10 0 )和 ( 111)晶面质谱分析的结果 ,对 ( 10 0 )晶面做了光荧光分析。在 30 0和 77K温度下测量了 ( 10 0 )晶面的电子浓度及电子迁移率。
- 徐建成丁小平陈定钦
- 关键词：光电子材料INP光荧光电子浓度电子迁移率磷化铟
- 光电子材料InP与金属接触的物理特性研究被引量：1
- 1998年
- 本文讨论了ＩｎＰ与金属接触时的电荷输运方式；给出了ｎ型ＩｎＰ材料掺杂浓度为（１×１０１５～１×１０１７）ｃｍ－３时电子输运（以热电子发射为主）的数学表达式；测量了国产ＩｎＰ单晶与一些金属的接触势垒；分析了“金属－ｎ＋－ＩｎＰ”结构，得到了ｎ＋区厚度和势垒高度间的关系。理论结果与实验符合，表明采用该结构，可得到一个势垒极低的金属与ＩｎＰ电极的欧姆接触。
- 徐建成陈定钦
- 关键词：欧姆接触光电子材料
- 由复势函数解析计算场强梯度的公式及其证明被引量：1
- 2004年
- 给出了由复势函数解析计算场强梯度方向的公式的简捷证明方法。该证明方法比文献〔1,2〕的证明完整 ,比文献〔3〕的证明简单得多。证明里包括了已报道过的由复势函数解析计算场强梯度大小的公式及其全部证明过程。
- 徐建成马中凡徐建民
- 关键词：静电场
- 平面型Gunn器件低温SiO_2和PSG的淀积
- 1996年
- 采用“夹层结构”的方法制作平面型Ｇｕｎｎ畴雪崩器件的ｎ型ＧａＡｓ外延材料，以及低温（４２０℃～４５０℃）淀积ＳｉＯ２的原理、工艺条件和可控硅电路．
- 徐建成刘澎陈定钦
- 关键词：二氧化硅
- 测量粉末密度的两种比重瓶法误差的分析和对比
- 2000年
- 根据对李氏比重瓶法和甘氏比重瓶法测量误差的分析表明,李氏比重瓶法对温度误差反应较大,即使采用超级恒温水浴,其测量误差仍达0.02—0.03 g/cm^3,而甘氏比重瓶法对温度误差反应较小,它不需高级仪器设备也没有难度大的操作,但却能把测量误差控制在0.007 g/cm^3以内。故建议改用甘氏比重瓶法测量重晶石粉等钻井液加重材料粉末的密度。文内还指出为了减小测量误差,有必要对李氏比重瓶的刻度进行校正,在用甘氏比重瓶法测量之前最好通过误差分析选择一个合适的样品用量。
- 徐建民徐建成
- 关键词：密度测量钻井液
- 在均匀外磁场里的铁磁椭球内外磁场和磁力的解析计算及其功用被引量：1
- 2005年
- 介绍了置于无限大均匀外磁场里的长轴与外磁场平行的铁磁性椭球体内外磁场和磁力的解析计算方法,讨论了它在磁选研究方面的功用。论述了特殊点的直角坐标与椭球坐标之间的对应关系,这便于用文内公式计算各点上的磁场和磁力,有利于对磁选技术的研究。
- 徐建成徐建民
- 关键词：磁选磁场计算磁力椭球坐标
- 温差电势引起的测量误差及消除方法
- 1996年
- 温差电势引起的测量误差及消除方法陈亚宁，徐建成（北京西城职工大学，北京１０００３５）（首都师范大学，北京１０００３７）一次笔者在调试电源过程中，用ＤＴ８３０数字万用表的２００Ｄ挡测量一只标称１０／５０Ｗ电阻的热态电阻，读数为１１．２，接着按该值计算变...
- 陈亚宁徐建成
- 关键词：电位温差电位
- InP材料的质谱分析及霍耳系数测量
- 1996年
- 本文给出了ＩｎＰ材料（１００）和（１１１）晶面的质谱分析结果，并且对（１００）晶面做了光荧光分析。在室温和液氮条件下，测量了（１００）晶面的电子浓度及电子迁移率。研究表明沾污主要来自硅。
- 徐建成陈亚宁陈定钦
- 关键词：质谱分析光荧光电子浓度电子迁移率磷化铟
- 平面型Gunn器件低温SiO_2淀积
- 1995年
- 采用“夹层结构”的方法，在制作平面型Ｇｕｎｎ畴雪崩器件的ｎ型ＧａＡｓ外延材料上，低温（４２０～４５０℃）淀积ＳｉＯ２；并叙述了原理、工艺条件及其重要结果。
- 陈定钦徐建成
- 关键词：半导体器件砷化镓
- 钢毛磁化状态对磁选的影响被引量：8
- 1995年
- 给出了椭圆截面钢毛内外磁场及磁场大的计算方法，定量地讨论了钢毛磁化状态的影响。讨论表明，聚磁介质的磁化状态对磁选的影响值得研究。
- 徐建成
- 关键词：磁饱和磁场力
