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李瑞琴

作品数:17 被引量:3H指数:1
供职机构:安顺学院更多>>
发文基金:贵州省教育厅自然科学研究项目更多>>
相关领域:理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 10篇专利
  • 6篇期刊文章

领域

  • 6篇理学

主题

  • 3篇TIO
  • 2篇大学物理
  • 2篇演示仪
  • 2篇铁磁
  • 2篇铁磁性
  • 2篇理教
  • 2篇金红石
  • 2篇金红石型
  • 2篇控制器
  • 2篇教学
  • 2篇光催化
  • 2篇感器
  • 2篇DOPPLE...
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 2篇催化
  • 1篇大学物理实验
  • 1篇导流管
  • 1篇导体
  • 1篇第一性原理

机构

  • 16篇安顺学院

作者

  • 16篇李瑞琴
  • 15篇李东翔
  • 2篇甘松
  • 1篇王艳丽
  • 1篇赵颖
  • 1篇李俊
  • 1篇罗群

传媒

  • 3篇安顺学院学报
  • 2篇原子与分子物...
  • 1篇电脑知识与技...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 6篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种异质结光催化剂污水处理装置
本实用新型公开了一种异质结光催化剂污水处理装置,属于污水处理技术领域。该一种异质结光催化剂污水处理装置包括:水泵,电连接有控制器,控制器电连接有电源装置;污水处理池,与水泵的出口端连通;网箱,设于污水处理池内,网箱内乘装...
李东翔李瑞琴
文献传递
一种多功能物理教具
本实用新型公开了一种多功能物理教具,包括基板、第一固定板和第二固定板,所述第一固定板和第二固定板转动连接,所述基板与第一固定板和第二固定板的同侧面相抵,所述第二固定板的底部焊接有挡板,所述基板上固定连接有线圈,所述线圈的...
李瑞琴李东翔
文献传递
多功能物理实验装置
本实用新型涉及物理实验装置技术领域,公开了多功能物理实验装置,包括:方形透明箱体,方形透明箱体上竖向开设有多个竖直通道,每个竖直通道的上部均设有凹台,凹台内可拆卸设有第一电磁铁,透明箱体下部水平设有多个与竖直通道相对应且...
李瑞琴李东翔
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石墨烯约瑟夫森电流的推导与计算
2015年
结合相对量子力学的狄拉克方程和超导体的Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程,文章通过紧束缚近似,得到了石墨烯哈密顿量的BdG方程,通过对这个BdG方程进行自洽求解,研究了石墨烯SNS(superconductor-normal conductor-superconductor)Josephson结中的约瑟夫森电流。
李瑞琴李东翔甘松
关键词:石墨烯紧束缚近似
ABINIT模拟计算程序的应用被引量:1
2016年
ABINIT程序包是基于量子力学原理和密度泛函理论,对于分子和具有周期性结构的固体,主程序采用赝势和平面波基矢的方法来计算体系的总能量、电子结构以及电荷密度等。该文主要介绍了ABINIT程序的基本内容、安装与运行及其主要的计算功能,并将其与主流的第一性原理计算软件做了简要的比较。ABINIT程序主要的优点为免费开源、运行效率较好及计算功能较齐全,主要的缺点为赝势不够精确和完备。
李东翔李瑞琴赵颖覃信茂闫万珺
关键词:第一性原理
一种物理教学演示仪
本实用新型公开了一种物理教学演示仪,包括由柜顶、柜底和柜体组成的真空柜,所述柜顶的下方设置有横板,所述横板上固定设置有条形板,所述条形板设置有两个供活动杆穿过的开孔,所述活动杆靠近所述柜体的一端固定设置有磁铁,所述活动杆...
李瑞琴李东翔
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Doppler程序对Cu-C共掺杂金红石型TiO_2的理论研究
2017年
论文在密度泛函理论和局域密度近似(LDA)的基础上,应用Doppler程序计算了Cu掺杂、C掺杂、Cu-C共掺杂TiO_2体系的正电子湮没寿命,并从理论上给出TiO_2体系不同缺陷处的符合多普勒展宽能谱。
李瑞琴李东翔罗群
一种新型大学物理热学试验装置
一种新型大学物理热学试验装置,包括操作显示器、开关、装置本体、气球、连接管、气压传感器、加热瓶、电风扇、加热器、温度传感器、控制器和散热口,加热瓶设置在装置本体内部,连接管一端与加热瓶连接另一端伸出装置本体上部,气球设置...
李瑞琴李东翔
文献传递
一种大学物理实验台
本实用新型公开了一种大学物理实验台,包括台面和台体,台体的上方设置有主台面,台体包括上层的储物抽屉和下层的柜体,柜体上设置有左柜门和右柜门,主台面顶部两侧均设置有辅助台面,辅助台面的一侧通过铰链固定在主台面上,台体的两侧...
李瑞琴李东翔
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Doppler程序对金红石型TiO_2的空位缺陷研究被引量:1
2016年
金红石型Ti O2是一种非常好的稀磁半导体材料,其自身的本征缺陷与室温铁磁性起源密切相关.本文利用Doppler程序在广义梯度理论(GGA)的基础上,计算了正电子在金红石型Ti O2块材中不同缺陷处的湮没寿命.主要包括自由态正电子的湮没寿命,单空位和双空位处束缚态正电子的湮没寿命.并从理论上给出了含有空位缺陷时金红石型Ti O2的符合多普勒展宽能谱.
李瑞琴李东翔
共2页<12>
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