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马俊辉

作品数:5 被引量:4H指数:2
供职机构:华南师范大学物理与电信工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金广东省自然科学基金广东省教育部产学研结合项目更多>>
相关领域:理学机械工程一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇等离子体
  • 2篇探针诊断
  • 1篇等离子体辅助
  • 1篇等离子体密度
  • 1篇低温等离子
  • 1篇低温等离子体
  • 1篇电子温度
  • 1篇蒸发制备
  • 1篇铜锌
  • 1篇紫外
  • 1篇紫外可见
  • 1篇微结构
  • 1篇硫化
  • 1篇面粗糙度
  • 1篇面形
  • 1篇结晶度
  • 1篇金属薄膜
  • 1篇晶格
  • 1篇晶格结构
  • 1篇静电

机构

  • 5篇华南师范大学
  • 1篇湛江师范学院

作者

  • 5篇马俊辉
  • 4篇陈俊芳
  • 3篇李烨
  • 3篇李东珂
  • 1篇刘振兴
  • 1篇陈兴来

传媒

  • 1篇光散射学报
  • 1篇华南师范大学...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
低温等离子体辅助磁控溅射法制备TiAlN薄膜
采用低温等离子体辅助磁控溅射反应法在Si衬底(110)上制备TiAlN薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、纳米划痕仪等表征方法研究了A1掺杂、氮气分压和基底温度对薄膜晶体结构...
李东珂陈俊芳邹长伟马俊辉
关键词:TIALN低温等离子体
等离子体辅助技术对蒸发制备Cu2ZnSnS4薄膜的影响
目前对于高频放电的原理科学家并未达成共识,而且关于电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma,ICP)中E-H模式转换过程中腔室内等离子体分布演变情况的研究也并不多见。在使用探针技术进行微波电...
马俊辉
关键词:等离子体探针诊断晶格结构表面形态薄膜生长
低温等离子辅助蒸发纳米铝膜微结构及光学特性研究
2014年
采用低温等离子体辅助气相沉积技术在低压常温条件下制备稳定的纳米铝膜。利用发射光谱和Langmuir双探针法分析射频感应耦合Ar等离子体成分及分布密度特性,结果显示在衬底附近等离子体密度衰减趋于平缓且均匀,浮动电位0.329V;随着功率的增加,Ar+对成膜起主要影响。再结合铝膜的原子力显微结构,研究了不同的等离子环境条件对成膜质量及其紫外可见光谱的光学性质影响。结果表明射频离子源的加入,薄膜微结构发生较明显变化;随功率增加,膜反射率出现峰值;微结构特性对其光学性能影响较大,随着表面粗糙度的增加,紫外及可见光的透射率先减小后增大。
陈兴来陈俊芳刘振兴李烨马俊辉李东珂
关键词:金属薄膜表面粗糙度发射光谱紫外可见
电子回旋共振等离子体静电探针诊断技术研究被引量:2
2015年
采用Langmuir静电单探针和双探针诊断技术对微波电子回旋共振(ECR)装置产生的低温低气压氮气等离子体进行诊断.测量了等离子体密度随微波功率,轴向距离,径向距离的变化关系以及电子温度随轴向距离的变化关系.采用3种不同理论计算等离子体密度;分别采用单探针与双探针测量电子温度.结果表明,由饱和电子电流计算得到的电子密度与由受限轨道理论计算得到的电子密度相一致,约为1×1010/cm3,而由饱和离子电流计算得到的电子密度在2×1010/cm3左右;由单探针测量的轴向电子温度最高可达7 e V,而双探针的测量值最大仅为4.5 e V.越靠近离子源处,这一差异性越明显.然后引入Langmuir受限轨道理论对这些差异现象进行分析,提出电流分离的思想,将电子电流与离子电流分离,证明了受限轨道理论在ECR等离子体中的适用性.通过利用电流分离思想除去离子电流的方法得到负偏压部分的电子电流,解决了使用单探针测量电子温度时直线部分不明显的问题.
马俊辉陈俊芳符斯烈李东珂李烨
关键词:等离子体密度LANGMUIR探针电子温度
共蒸发法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜的研究被引量:2
2015年
利用真空蒸镀技术共蒸发Cu,Zn,Sn金属丝在玻璃衬底上制备前驱体Cu-Zn-Sn(CZT),并采用高温硫化金属前驱体的方法制备Cu2Zn Sn S4(CZTS)薄膜。本文采用X射线衍射和扫描电子显微镜对薄膜进行表征,探究前驱体的蒸镀条件以及硫化温度对薄膜生长情况的影响,结果表明:溅射Mo作为缓冲层有利于Zn原子的沉积;硫化温度为500℃时,薄膜的结晶度较好,能够生成单一的CZTS薄膜;气压越低越有利于形成优质薄膜;衬底温度升高为220℃时,薄膜的结晶度有所提高,有利于抑制杂质的生成;等离子体的辅助可以提高薄膜的结晶质量。
李烨陈俊芳马俊辉
关键词:硫化结晶度
共1页<1>
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