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王凯悦

作品数：28 被引量：0H指数：0
供职机构：东南大学更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 27篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 16篇栅极
  • 16篇栅极漏电流
  • 16篇漏电
  • 16篇漏电流
  • 11篇悬臂
  • 11篇悬臂梁
  • 10篇自供电
  • 8篇倒相
  • 8篇倒相器
  • 8篇微传感器
  • 8篇谐振
  • 8篇开孔
  • 8篇固有谐振频率
  • 8篇硅基
  • 8篇感器
  • 8篇传感
  • 8篇传感器
  • 8篇传输门
  • 7篇氮化镓
  • 7篇氧化层

机构

  • 28篇东南大学

作者

  • 28篇王凯悦
  • 26篇廖小平
  • 2篇万能
  • 2篇张家雨
  • 2篇易真翔
  • 2篇张志强
  • 2篇廖晨
  • 1篇陈成

年份

  • 1篇2024
  • 6篇2018
  • 2篇2017
  • 5篇2016
  • 9篇2015
  • 5篇2014
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
氮化镓基低漏电流固支梁场效应晶体管倒相器及制备方法
本发明是一种氮化镓基低漏电流固支梁场效应晶体管倒相器及制备方法，该GaN基低漏电流固支梁MESFET倒相器由固支梁N型MESFET和固支梁P型MESFET构成。该倒相器的MESFET的制作在半绝缘GaN衬底上，其栅极上方...
廖小平王凯悦
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物联网射频收发组件开孔混合梁振动电磁自供电微传感器
本发明的物联网射频收发组件开孔混合梁振动电磁自供电微传感器，由一个固支梁、8个悬臂梁以及外围大电容和稳压电路组成。固支梁两侧的自由边上制作了八个尺寸相同悬臂梁。天线结构和压电材料层都设计在固支梁和悬臂梁上。本发明既实现了...
廖小平王凯悦
氮化镓基低漏电流固支梁场效应晶体管倒相器及制备方法
本发明是一种氮化镓基低漏电流固支梁场效应晶体管倒相器及制备方法，该GaN基低漏电流固支梁MESFET倒相器由固支梁N型MESFET和固支梁P型MESFET构成。该倒相器的MESFET的制作在半绝缘GaN衬底上，其栅极上方...
廖小平王凯悦
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一种平板式全固态Ag/AgCl参比电极及制备方法
本发明提供一种平板式全固态Ag/AgCl参比电极及制备方法，包括Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>陶瓷基底、敏感部分、绝缘层和电极引线；所述敏感部分包括Ag/AgCl层、电解质层及液界层；所述Ag/A...
王俊卓张西良王凯悦张家祺徐云峰陈成
物联网射频收发组件开孔混合梁振动电磁自供电微传感器
本发明的物联网射频收发组件开孔混合梁振动电磁自供电微传感器，由一个固支梁、8个悬臂梁以及外围大电容和稳压电路组成。固支梁两侧的自由边上制作了八个尺寸相同悬臂梁。天线结构和压电材料层都设计在固支梁和悬臂梁上。本发明既实现了...
廖小平王凯悦
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氮化镓基低漏电流悬臂梁场效应晶体管传输门及制备方法
本发明的是一种GaN基低漏电流悬臂梁MESFET传输门及制备方法，该传输门由悬臂梁N型MESFET和悬臂梁P型MESFET构成。MESFET的制作在半绝缘GaN衬底上，其栅极上方设计了悬臂梁结构。悬臂梁下方设计了电极板。...
廖小平王凯悦
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氮化镓基低漏电流悬臂梁场效应晶体管倒相器及制备方法
本发明是一种氮化镓基低漏电流悬臂梁场效应晶体管倒相器及制备方法，该倒相器由悬臂梁N型MESFET和悬臂梁P型MESFET构成。该倒相器的MESFET的制作在半绝缘GaN衬底上，其栅极上方设计了悬臂梁结构。悬臂梁下方设计了...
廖小平王凯悦
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硅基低漏电流固支梁栅MOS管倒相器及制备方法
本发明是一种硅基低漏电流固支梁栅MOS管倒相器及制备方法，该倒相器由固支梁栅NMOS管和固支梁栅PMOS管构成。该倒相器的MOS管的制作在Si衬底上，其栅极是悬浮在栅氧化层上方的，形成固支梁结构。固支梁栅的下方设计有电极...
廖小平王凯悦
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物联网射频收发组件开孔悬臂梁振动电磁自供电微传感器
本发明的射频收发机中的开孔悬臂梁振动电磁自供电微传感器，由一个主悬臂梁、8个副悬臂梁以及外围大电容和稳压电路组成。主悬臂梁两侧的自由边上制作了八个尺寸相同副悬臂梁。8个副悬臂梁上开有不同半径、间距以及数量的圆孔。本发明既...
廖小平王凯悦
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物联网射频收发组件中开孔悬臂梁振动能自供电微传感器
本发明的射频收发机中的开孔悬臂梁振动能自供电微传感器，由一个主悬臂梁、8个副悬臂梁以及外围大电容和稳压电路组成。副悬臂梁制作在主悬臂梁两侧的自由边上。8个副悬臂梁上开有不同半径、间距以及数量的圆孔。本发明不仅具有传统的梁...
廖小平王凯悦
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