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朱颖杰

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：南京大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇单电
  • 2篇电荷
  • 2篇电荷分布
  • 2篇电压
  • 2篇电压响应
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅栅
  • 2篇噪声等效功率
  • 2篇栅极
  • 2篇栅结构
  • 2篇太赫兹
  • 2篇重掺杂
  • 2篇自对准
  • 2篇自对准工艺
  • 2篇极区
  • 2篇寄生电容
  • 2篇硅栅
  • 2篇赫兹
  • 2篇SONOS

机构

  • 7篇南京大学

作者

  • 7篇朱颖杰
  • 6篇纪小丽
  • 6篇廖轶明
  • 6篇闫锋
  • 2篇张行行

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种基于环栅MOSFET结构的太赫兹传感器
本发明涉及一种环栅MOSFET结构太赫兹信号传感器。环栅MOSFET结构的栅极弯曲围绕源极形成环状，漏极分布在外围。相比传统的直栅MOSFET结构，环栅结构缩小了源极面积，减小了源端寄生电容。在探测太赫兹波段时，环栅MO...
纪小丽朱颖杰闫锋廖轶明
文献传递
利用单电荷技术测量SONOS存储器中局域电荷分布的方法
利用单电荷技术测量SONOS存储器中局域电荷分布的方法，选取未注入过电荷的SONOS存储器，改变源漏电压V<Sub>DS</Sub>的大小，测量不同V<Sub>DS</Sub>下的阈值电压V<Sub>TH</Sub>，得...
纪小丽朱颖杰廖轶明圣迎晓闫锋
文献传递
CMOS太赫兹探测器的优化设计研究
太赫兹技术被认为是改变未来世界的十大技术之一，在医学成像、安全检查、宽带通信、雷达等领域有着重要应用前景。利用集成电路制造技术，开发低成本的CMOS太赫兹探测器件是未来实现太赫兹技术实用化的重要途径。本文结合目前的研究现...
朱颖杰
关键词：互补金属氧化物半导体优化设计集成电路工艺
一种基于非自对准CMOS结构的太赫兹探测器
基于非自对准CMOS工艺的MOSFET结构的太赫兹探测器，p型衬底209上两个n型掺杂区分别为源极区和漏极区，源极区和漏极区的中央上面为SiO<Sub>2</Sub>层，重掺杂多晶硅区为栅极，SiO<Sub>2</Sub...
纪小丽张行行闫锋朱颖杰廖轶明
文献传递
利用单电荷技术测量SONOS存储器中局域电荷分布的方法
利用单电荷技术测量SONOS存储器中局域电荷分布的方法，选取未注入过电荷的SONOS存储器，改变源漏电压V<Sub>DS</Sub>的大小，测量不同V<Sub>DS</Sub>下的阈值电压V<Sub>TH</Sub>，得...
纪小丽朱颖杰廖轶明圣迎晓闫锋
文献传递
一种基于非自对准CMOS结构的太赫兹探测器
基于非自对准CMOS工艺的MOSFET结构的太赫兹探测器，p型衬底209上两个n型掺杂区分别为源极区和漏极区，源极区和漏极区的中央上面为SiO<Sub>2</Sub>层，重掺杂多晶硅区为栅极，SiO<Sub>2</Sub...
纪小丽张行行闫锋朱颖杰廖轶明
文献传递
一种基于环栅MOSFET结构的太赫兹传感器
本发明涉及一种环栅MOSFET结构太赫兹信号传感器。环栅MOSFET结构的栅极弯曲围绕源极形成环状，漏极分布在外围。相比传统的直栅MOSFET结构，环栅结构缩小了源极面积，减小了源端寄生电容。在探测太赫兹波段时，环栅MO...
纪小丽朱颖杰闫锋廖轶明
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