您的位置： 专家智库 > >

郭芳

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：武汉科技大学更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇管式
  • 4篇管式炉
  • 4篇SUB
  • 4篇CRO
  • 3篇温区
  • 2篇子层
  • 2篇SNO
  • 1篇偏置
  • 1篇热稳定
  • 1篇热稳定性
  • 1篇自偏置
  • 1篇介质
  • 1篇工业化
  • 1篇合金
  • 1篇保温
  • 1篇掺杂
  • 1篇磁结构
  • 1篇磁介质
  • 1篇磁性能
  • 1篇磁有序

机构

  • 5篇武汉科技大学

作者

  • 5篇郭芳
  • 4篇卢志红
  • 4篇袁成
  • 2篇丁轶
  • 2篇熊锐
  • 2篇戴明杰
  • 2篇刘硕

年份

  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2014
共 5 条 记 录，以下是 1-5
全选 清除 导出
排序方式：
FePt3中不同磁有序间的相竞争与自偏置效应研究
在本论文研究了化学有序度对FePt3磁结构与自偏置效应的影响，分别从理论计算和实验两个环节探索在不同有序度下FePt3相之间的关系，本论文主要研究结果如下:　　(1)建立超胞模型，通过置换原子位置得到不同的有序度，理论计...
郭芳
关键词：磁结构
以TiO<Sub>2</Sub>为基体SnO<Sub>2</Sub>为种子层的CrO<Sub>2</Sub>材料及其制备方法
本发明涉及一种以TiO<Sub>2</Sub>为基体SnO<Sub>2</Sub>为种子层的CrO<Sub>2</Sub>材料及其制备方法。其技术方案是：将装有SnI<Sub>4</Sub>的石英舟放入双温区管式炉的低温...
卢志红郭芳刘硕袁成
文献传递
一种Sn掺杂CrO<Sub>2</Sub>薄膜及其制备方法
本发明具体涉及一种Sn掺杂CrO<Sub>2</Sub>薄膜及其制备方法。其技术方案是：先将75~99.99份质量的CrO<Sub>3</Sub>装入石英舟内，将0.01~25份质量的SnCl<Sub>2</Sub>装入...
卢志红袁成丁轶郭芳戴明杰熊锐
文献传递
一种Sn掺杂CrO<Sub>2</Sub>薄膜及其制备方法
本发明具体涉及一种Sn掺杂CrO<Sub>2</Sub>薄膜及其制备方法。其技术方案是：先将75~99.99份质量的CrO<Sub>3</Sub>装入石英舟内，将0.01~25份质量的SnCl<Sub>2</Sub>装入...
卢志红袁成丁轶郭芳戴明杰熊锐
以TiO<Sub>2</Sub>为基体SnO<Sub>2</Sub>为种子层的CrO<Sub>2</Sub>材料及其制备方法
本发明涉及一种以TiO<Sub>2</Sub>为基体SnO<Sub>2</Sub>为种子层的CrO<Sub>2</Sub>材料及其制备方法。其技术方案是：将装有SnI<Sub>4</Sub>的石英舟放入双温区管式炉的低温...
卢志红郭芳刘硕袁成
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0