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王素梅
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43
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供职机构:
齐鲁工业大学
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相关领域:
自动化与计算机技术
电气工程
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合作作者
夏国栋
齐鲁工业大学
姚书山
齐鲁工业大学
刘金华
齐鲁工业大学
陈力
齐鲁工业大学
王岩
齐鲁工业大学
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王素梅
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一种钒基Mxene强化的铝合金及其制备方法
本发明属于冶金、机械及化工领域,特别涉及一种钒基Mxene强化的铝合金及其制备方法。该材料由基体铝合金添加0.005~0.075wt%的钒基Mxene,经过混料、熔融及浇铸成型等工艺而成。钒基Mxene是由钒基陶瓷V<S...
夏国栋
王素梅
刘现综
刘献福
张卫国
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一种氧化铪介电薄膜的低温液相制备方法
本发明属于新材料及半导体领域,特别涉及一种氧化铪介电薄膜的低温液相制备方法。包括如下步骤:称取可溶性的铪盐,量取溶剂,配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的氧化铪前驱体溶液,经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透...
夏国栋
王素梅
文献传递
一种铟锌氧透明半导体薄膜的低温溶液制备方法
本发明属于新材料及半导体领域,特别涉及一种铟锌氧透明半导体薄膜的低温溶液制备方法。包括如下步骤:称取可溶性的铟盐、锌盐,量取溶剂,配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的铟锌氧前驱体溶液,经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分...
夏国栋
王素梅
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一种硫化镉半导体薄膜的简单高效制备方法
本发明属于半导体材料与器件领域,特别涉及一种硫化镉半导体薄膜的简单高效制备方法。(1)合成黄原酸镉单源前驱体;(2)制备单源黄原酸镉前驱体溶液;(3)制备硫化镉薄膜。本发明工艺简单易操作,原料廉价易得,所制备的硫化镉薄膜...
夏国栋
王素梅
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一种制备氧化镍薄膜的低温快速液相方法
本发明属于材料、化学及化工领域,特别涉及一种快速制备氧化镍薄膜的低温溶液方法。包括如下步骤:称取乙酸镍,量取溶剂,配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的氧化镍前驱体溶液,经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的...
夏国栋
姚书山
王素梅
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一种碳包覆镍掺杂氧化锌及其高效合成方法
本发明属于新材料、新能源及半导体领域,特别涉及一种碳包覆镍掺杂氧化锌(ZnO:Ni)及其快速合成方法。包括如下步骤:称取可溶性的锌盐、镍盐、有机燃料及燃烧助剂,配制成水溶液,搅拌溶解至透明溶液;将溶液加热到50-100 ...
夏国栋
王岩
王素梅
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一种高介电氧化锆薄膜的低温溶液制备方法
本发明属于新材料及微电子领域,特别涉及一种高介电氧化锆薄膜的低温溶液制备方法。包括如下步骤:称取可溶性的锆盐,量取溶剂,配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的氧化锆前驱体溶液,经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清...
夏国栋
姚书山
王素梅
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一种硫化锌半导体薄膜的简单高效制备方法
本发明属于半导体材料与器件领域,特别涉及一种硫化锌半导体薄膜的简单高效制备方法。(1)合成黄原酸锌单源前驱体;(2)制备单源黄原酸锌前驱体溶液;(3)制备硫化锌薄膜。本发明工艺简单易操作,原料廉价易得,所制备的硫化锌薄膜...
夏国栋
王素梅
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一种低温制备高迁移率铟锆氧薄膜晶体管的溶液方法
本发明属于半导体及微电子器件领域,特别涉及一种低温制备高迁移率铟锆氧薄膜晶体管的溶液方法。包括如下步骤:称取可溶性的铟盐、锆盐,量取溶剂,配置铟锆氧前驱体溶液,将铟锆氧前驱体溶液涂覆到预先涂有介电层/栅极薄膜的衬底上形成...
夏国栋
刘金华
王素梅
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一种制备铟钛氧透明半导体薄膜的低温溶液方法
本发明属于新材料及半导体领域,特别涉及一种制备铟钛氧透明半导体薄膜的低温溶液方法。包括如下步骤:称取可溶性的铟盐、钛盐,量取溶剂,配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的铟钛氧前驱体溶液,经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分...
夏国栋
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