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周松杰

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：陕西师范大学更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇中文专利

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 5篇电流
  • 4篇退火
  • 4篇热电材料
  • 4篇储量
  • 3篇电压
  • 3篇短路
  • 3篇短路电流
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇单晶硅片
  • 2篇电池
  • 2篇学制
  • 2篇乙醇水溶液
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子浓度
  • 2篇绒面
  • 2篇散射
  • 2篇水溶液
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇铜薄膜

机构

  • 11篇陕西师范大学

作者

  • 11篇高斐
  • 11篇周松杰
  • 10篇刘生忠
  • 10篇李付贤
  • 10篇郑逍遥
  • 10篇武慧君
  • 9篇武怡
  • 9篇王皓石
  • 2篇陈彦伟
  • 1篇张英
  • 1篇张若曦
  • 1篇张亚兰

年份

  • 4篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 3篇2014
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种提高ITO导电薄膜载流子浓度的方法
本发明公开了一种提高ITO导电薄膜载流子浓度的方法，采用H<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>水溶液对ITO导电薄膜进行浸泡处理，该方法操作简单，节能环保，在提高ITO导电薄膜载流子浓度的同时基本不影响其透...
高斐武慧君刘生忠陈彦伟郑逍遥李付贤纪方旭周松杰
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基于Al/CuO薄膜的热电材料及其制备方法
本发明公开了一种基于Al/CuO薄膜的热电材料及其制备方法，该热电材料是先在玻璃衬底上沉积一层50～100nm厚的Al薄膜，再在Al薄膜上沉积一层200～400nm厚的CuO薄膜，然后在氮气氛围中退火，退火后的Al薄膜上...
高斐李付贤武慧君周松杰王皓石郑逍遥武怡刘生忠
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一种单晶硅片的退火制绒方法
本发明公开了一种单晶硅片的退火制绒方法，先将清洗后的单晶硅片在氢氟酸水溶液与乙醇水溶液的混合液中漂洗，然后将沾有制绒液的单晶硅片置于退火炉中退火，待退火完成后，再将硅片置于制绒液中制绒。本发明操作方便、工艺稳定、易于控制...
高斐郑逍遥武怡武慧君李付贤纪方旭周松杰王皓石刘生忠
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一种单晶硅片的退火制绒方法
本发明公开了一种单晶硅片的退火制绒方法，先将清洗后的单晶硅片在氢氟酸水溶液与乙醇水溶液的混合液中漂洗，然后将沾有制绒液的单晶硅片置于退火炉中退火，待退火完成后，再将硅片置于制绒液中制绒。本发明操作方便、工艺稳定、易于控制...
高斐郑逍遥武怡武慧君李付贤纪方旭周松杰王皓石刘生忠
一种制备多孔氧化铝模板的阳极夹具
本实用新型涉及一种制备多孔氧化铝模板的阳极夹具，其在夹具本体的表面上加工有圆形的卡槽、内部埋设有导电钩，导电钩延伸至夹具本体外的一端呈弯钩状，另一端与设置在卡槽内的导电垫片连接，导电垫片的外侧设置有阳极铝片，阳极铝片通过...
高斐张亚兰张英张若曦刘亦奕周松杰武怡王皓石
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基于铝/纳晶硅/铜薄膜的热电材料及其制备方法
本发明公开了一种基于铝/纳晶硅/铜薄膜的热电材料及其制备方法，该热电材料是先在玻璃衬底上从下往上依次沉积60～140nm的铝薄膜、150～350nm的氢化非晶硅薄膜、35～90nm的铜薄膜，然后在氮气氛围中退火。本发明热...
高斐周松杰郑逍遥王皓石李付贤武慧君武怡刘生忠
一种电流辅助的掺铝氧化锌薄膜化学制绒方法
本发明公开了一种电流辅助的掺铝氧化锌薄膜化学制绒方法，该方法通过在掺铝氧化锌薄膜传统化学制绒的同时加以辅助电流，大大提高了掺铝氧化锌薄膜绒面的粗糙度，增强了掺铝氧化锌薄膜的光散射特性，适合于薄膜太阳能电池的制作，可以提高...
高斐李付贤王皓石周松杰武怡郑逍遥武慧君刘生忠
基于Al/CuO薄膜的热电材料及其制备方法
本发明公开了一种基于Al/CuO薄膜的热电材料及其制备方法，该热电材料是先在玻璃衬底上沉积一层50～100nm厚的Al薄膜，再在Al薄膜上沉积一层200～400nm厚的CuO薄膜，然后在氮气氛围中退火，退火后的Al薄膜上...
高斐李付贤武慧君周松杰王皓石郑逍遥武怡刘生忠
一种电流辅助的掺铝氧化锌薄膜化学制绒方法
本发明公开了一种电流辅助的掺铝氧化锌薄膜化学制绒方法，该方法通过在掺铝氧化锌薄膜传统化学制绒的同时加以辅助电流，大大提高了掺铝氧化锌薄膜绒面的粗糙度，增强了掺铝氧化锌薄膜的光散射特性，适合于薄膜太阳能电池的制作，可以提高...
高斐李付贤王皓石周松杰武怡郑逍遥武慧君刘生忠
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基于铝/纳晶硅/铜薄膜的热电材料及其制备方法
本发明公开了一种基于铝/纳晶硅/铜薄膜的热电材料及其制备方法，该热电材料是先在玻璃衬底上从下往上依次沉积60～140nm的铝薄膜、150～350nm的氢化非晶硅薄膜、35～90nm的铜薄膜，然后在氮气氛围中退火。本发明热...
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