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刘昊
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21
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供职机构:
中国电子科技集团公司第五十五研究所
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相关领域:
电子电信
一般工业技术
自动化与计算机技术
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合作作者
柏松
中国电子科技集团公司第五十五研...
黄润华
中国电子科技集团公司第五十五研...
吴立枢
中国电子科技集团公司第五十五研...
赵岩
中国电子科技集团公司第五十五研...
石归雄
中国电子科技集团公司第五十五研...
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刘昊
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一种集成SBD结构的单侧MOS型器件制备方法
本发明公开了一种集成SBD结构的单侧MOS型器件制备方法,通过引入特殊角度沟槽制备工艺,倾斜角度单侧离子注入工艺,与欧姆工艺兼容的肖特基金属工艺,实现了集成SBD结构的SiC沟槽MOSFET器件的制备。本发明将碳化硅SB...
李士颜
柏松
黄润华
刘昊
文献传递
一种复合结构SiC衬底器件的切割方法
本发明是一种复合结构SiC芯片的切割方法,采用砂轮切割在划片槽区域把复合结构SiC芯片进行切割分离。通过先形成复合结构SiC芯片完成圆片;再测量其厚度;把SiC芯片完成圆片贴在切割片架上的蓝膜或UV膜上;测量其总厚度;应...
刘昊
陈刚
柏松
一种基于外延层转移实现N面GaN的方法
本发明是一种基于外延层转移实现N面GaN的方法,包括:1)用稀释的盐酸清洗Si基GaN、半导体圆片表面,再用去离子水进行冲洗,然后放入甩干机进行甩干;2)在Si基GaN圆片和半导体圆片的正面分别旋涂粘附剂作为键合材料,转...
吴立枢
赵岩
程伟
刘昊
石归雄
文献传递
一种碳化硅开关器件及制作方法
本发明公开了一种碳化硅开关器件及制作方法,降低沟道电阻在器件导通电阻中所占比例。本发明通过两次外延生长完成器件顶部结构加工,二次外延沟道区掺杂浓度低于侧向注入Pwell区的掺杂浓度,二次外延N+区掺杂浓度远高于侧向注入P...
黄润华
柏松
陶永洪
汪玲
刘奥
李士颜
刘昊
文献传递
一种多颗芯片同时制备封装使用的方法
本发明公开了一种多颗芯片同时制备封装使用的方法,该方法包括:器件芯片所在圆片布局设计优化;器件芯片具体结构设计优化;原有微加工工艺流程和难度不变;器件划片和封装使用过程简化,器件总制备成本降低。本发明通过设计优化,减小器...
陈允峰
李士颜
刘昊
陈谷然
黄润华
柏松
文献传递
一种碳化硅MOSFET器件JFET区自对准掺杂工艺
本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件JFET区自对准掺杂工艺,采用自对准的方法实现注入掺杂,对具体的自对准加工工艺,又细分为两种实现路线,一种是通过表面平整化的工艺方案,另一种是设计合适的JFET区宽度和多晶硅掩膜厚度...
陈允峰
黄润华
李士颜
刘昊
刘强
柏松
文献传递
一种复合结构SiC芯片的激光分离方法
本发明公开了一种复合结构SiC芯片的激光分离方法,能够很安全地实现多层复合结构SiC圆片的切割,并且不会破坏SiC外延片正面的介质和背面的金属,大大提高了良品率和切割效率,降低了SiC生产成本。
刘昊
陈刚
柏松
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SiC器件背面金属体系的制备方法
本发明公开了一种SiC器件背面金属体系的制备方法,该方法是在SiC衬底背面依次蒸发金属Ni/Ti/Ni,并对SiC衬底‑金属层进行真空高温退火处理,退火后最后溅射加厚金属Ag。本发明可应用于SiC肖特基二极管的背面金属体...
刘昊
文献传递
一种在碳化硅材料上制造栅氧化层的方法
本发明涉及一种在碳化硅材料上制造栅氧化层的方法,包括以下步骤:(1)在第一温度下,氧气气氛中,在碳化硅衬底表面形成氧化层;(2)在第二温度下,氩气气氛中,将步骤(1)中形成氧化层的碳化硅衬底进行第一次高温热退火处理;(3...
费晨曦
何志强
柏松
黄润华
刘昊
王谦
文献传递
一种碳化硅开关器件及制作方法
本发明公开了一种碳化硅开关器件及制作方法,降低沟道电阻在器件导通电阻中所占比例。本发明通过两次外延生长完成器件顶部结构加工,二次外延沟道区掺杂浓度低于侧向注入Pwell区的掺杂浓度,二次外延N+区掺杂浓度远高于侧向注入P...
黄润华
柏松
陶永洪
汪玲
刘奥
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