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谭惠月

作品数：8 被引量：1H指数：1
供职机构：青岛大学更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 7篇晶体管
  • 5篇溅射
  • 5篇半导体
  • 4篇溶胶
  • 4篇薄膜晶体
  • 4篇薄膜晶体管
  • 3篇溶胶-凝胶
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇导体
  • 2篇低阻
  • 2篇氧化物
  • 2篇氧化铟
  • 2篇乙醇
  • 2篇乙醇胺
  • 2篇乙酰
  • 2篇乙酰丙酮
  • 2篇迁移
  • 2篇迁移率
  • 2篇离子束

机构

  • 8篇青岛大学

作者

  • 8篇谭惠月
  • 7篇刘国侠
  • 7篇刘奥
  • 7篇单福凯
  • 4篇孟优

传媒

  • 1篇青岛大学学报...

年份

  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种高k介电层水性氧化铟薄膜晶体管的制备方法
本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种高k介电层水性氧化铟薄膜晶体管的制备方法，先将乙酰丙酮锆溶于二甲基甲酰胺中，同时加入与乙酰丙酮锆等摩尔量的乙醇胺作为稳定剂形成前驱体溶液；再在清洗后的低阻硅衬底上旋涂前驱体...
单福凯刘奥刘国侠孟优谭惠月
文献传递
一种多层复合氧化物高k介质薄膜晶体管的制备方法
本发明属于半导体材料薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种多层复合氧化物高k介质薄膜晶体管的制备方法，先生长GTO多层复合氧化物薄膜得到复合薄膜样品；再将复合薄膜样品退火完成GTO高k介质介电层的制备，得到含有GTO介电层的薄...
单福凯刘国侠刘奥谭惠月
文献传递
一种双沟道层薄膜晶体管的制备方法
本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域,涉及一种双沟道层薄膜晶体管的制备方法，选用低阻硅作为衬底和栅电极，采用溶胶-凝胶技术和“光退火”相结合的方式制备超薄ZrO<Sub>x</Sub>栅介电层，x的取值为1-2；在室温...
单福凯刘奥刘国侠谭惠月孟优
文献传递
退火温度对氧化铝薄膜性质的影响被引量：1
2015年
随着集成电路中晶体管特征尺寸的逐渐减小,目前场效应晶体管栅介质SiO2的厚度已经减小到纳米量级,隧道效应产生的较大漏电流使得SiO2栅介质丧失了良好的绝缘效果[1]。由于高介电常数材料（高k材料）可以在保持电容密度不变的同时增大栅介质的物理厚度[2,3],因此使用高k材料替代SiO2作为栅介质层是目前最有希望解决此问题的途径。为维持半导体产业继续依照摩尔定律向前发展,高k栅介质层已经成为当前的研究热点[4,5]。在众多的高k材料中,Al2O3因具有良好的综合性质而倍受瞩目,
谭惠月刘国侠刘奥单福凯
关键词：溶胶-凝胶氧化铝
一种双沟道层薄膜晶体管的制备方法
本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种双沟道层薄膜晶体管的制备方法，选用低阻硅作为衬底和栅电极，采用溶胶-凝胶技术和“光退火”相结合的方式制备超薄ZrO<Sub>x</Sub>栅介电层，x的取值为1-2；在室温...
单福凯刘奥刘国侠谭惠月孟优
文献传递
金属氧化物薄膜和晶体管的制备与性能研究
氧化物薄膜晶体管作为开关和驱动在有源矩阵液晶显示器（AMLCD）和有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）中有着重要的应用。随着科技的发展和进步，平板显示器件对于薄膜晶体管各方面性能的要求也越来越高，由于不同有源层材料对薄...
谭惠月
关键词：金属氧化物薄膜晶体管溶胶凝胶磁控溅射
一种高k介电层水性氧化铟薄膜晶体管的制备方法
本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种高k介电层水性氧化铟薄膜晶体管的制备方法，先将乙酰丙酮锆溶于二甲基甲酰胺中，同时加入与乙酰丙酮锆等摩尔量的乙醇胺作为稳定剂形成前驱体溶液；再在清洗后的低阻硅衬底上旋涂前驱体...
单福凯刘奥刘国侠孟优谭惠月
文献传递
一种多层复合氧化物高k介质薄膜晶体管的制备方法
本发明属于半导体材料薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种多层复合氧化物高k介质薄膜晶体管的制备方法，先生长GTO多层复合氧化物薄膜得到复合薄膜样品；再将复合薄膜样品退火完成GTO高k介质介电层的制备，得到含有GTO介电层的薄...
单福凯刘国侠刘奥谭惠月
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