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一种二次电子发射薄膜的制备方法: 本发明公开一种二次电子发射薄膜的制备方法，包括：1）、在金属基底上沉积缓冲层；2）、在缓冲层上沉积氧化镁与金属混合层，氧化镁与金属混合层采用溅射镁靶/氧化镁靶和溅射其他金属靶的方式沉积而成；3）、在氧化镁与金属混合层上沉...; 胡文波吴胜利徐琳魏强李亨付马龙; 文献传递

一种二次电子发射薄膜的制备方法: 本发明公开一种二次电子发射薄膜的制备方法，包括：1）在金属基底上沉积缓冲层；2）在缓冲层上沉积氧化镁与金属混合层，氧化镁与金属混合层采用溅射镁靶/氧化镁靶和溅射其他金属靶的方式沉积而成；3）在氧化镁与金属混合层上沉积表层...; 胡文波吴胜利徐琳魏强李亨付马龙; 文献传递

反应磁控溅射法制备MgO薄膜: 利用反应磁控溅射的方法在Si衬底生长MgO晶粒,通过改变溅射过程中的温度以及溅射室内Ar与O2气体流量,来调整MgO薄膜的晶粒生长。随着Ar/O2中O2分量的提升,结晶取向择优(220)方向。而MgO晶粒的形成与溅射生长...; 魏强李亨胡文波吴胜利; 关键词：反应磁控溅射; 文献传递

MgO/Au复合薄膜的反应射频磁控溅射法制备及表面形貌研究被引量：2: 2014年; 采用反应射频磁控溅射法制备MgO/Au复合薄膜,并对使用Mg靶和Au靶共溅射、分步溅射方式以及在不同的衬底温度和Ar/O2气体流量比下制备的样品进行X射线光电子能谱、X射线衍射和扫描电子显微镜分析,研究了主要工艺参数对复合薄膜表面成分和形貌的影响。结果表明,采用共溅射方式制备的复合薄膜中Au元素的含量偏高,薄膜表面有团聚生长的Au晶粒,而采用分步溅射法可以使复合薄膜中Au元素的摩尔百分比下降到7.30%。采用分步溅射制备复合薄膜时,较高的衬底温度有助于MgO晶粒的生长,当衬底温度为500℃,通入Ar气和O2气的流量分别为25和5 mL/min时,MgO晶粒尺寸达到了30-40 nm;MgO薄膜主要呈现出了（111）、（200）和（220）三种结晶取向,较高的Ar/O2气体流量比有利于（200）晶向的形成,而较低的Ar/O2气体流量比有利于（220）晶向的形成。; 李亨胡文波吴胜利魏强; 关键词：表面形貌

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李亨