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徐亚新

作品数:55 被引量:14H指数:3
供职机构:中国电子科技集团第五十四研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
相关领域:电子电信医药卫生文化科学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 46篇专利
  • 9篇期刊文章

领域

  • 20篇电子电信
  • 2篇医药卫生
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 14篇基板
  • 11篇毫米波
  • 10篇基片
  • 10篇硅基
  • 9篇通信
  • 9篇牺牲层
  • 9篇光刻
  • 8篇硅基片
  • 7篇电路
  • 7篇LCP
  • 6篇填孔
  • 6篇腔体
  • 6篇光刻胶
  • 6篇毫米波通信
  • 6篇LTCC
  • 5篇平坦化
  • 5篇薄膜电路
  • 5篇MEMS器件
  • 4篇射频
  • 4篇射频单元

机构

  • 55篇中国电子科技...
  • 1篇东南大学
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇北京航天控制...

作者

  • 55篇徐亚新
  • 50篇刘晓兰
  • 44篇赵飞
  • 42篇梁广华
  • 29篇党元兰
  • 25篇王康
  • 24篇唐小平
  • 16篇卢会湘
  • 16篇严英占
  • 13篇陈雨
  • 10篇贾世旺
  • 4篇刘颖
  • 2篇肖垣明
  • 2篇董自强
  • 2篇王志成
  • 2篇张莹
  • 1篇韩磊
  • 1篇王志刚
  • 1篇刘晓兰
  • 1篇朱政强

传媒

  • 6篇电子工艺技术
  • 3篇电子与封装

年份

  • 8篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 7篇2021
  • 4篇2020
  • 8篇2019
  • 7篇2018
  • 4篇2017
  • 8篇2016
  • 1篇2015
  • 5篇2014
55 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种低损耗石英探针的制备方法
本发明公开了一种低损耗石英探针的制备方法,其特征在于在双面抛光的石英基片上,通过磁控溅射、光刻、电镀、刻蚀、划片等工艺,获得低损耗、一致性好的石英探针。本发明所述的石英探针,具有硬度高、损耗低、精度高的优点。该方法加工一...
赵飞党元兰梁广华刘晓兰刘巍巍杨宗亮唐小平朱二涛严英占王康徐亚新
基于体硅MEMS技术的悬浮微结构加工工艺研究被引量:3
2015年
针对体硅MEMS加工技术的特点,确定了悬浮微结构的加工工艺流程,并对加工过程中的硅基深槽腐蚀工艺和ICP刻蚀工艺这两项关键技术及其中的重要影响因素进行了研究,得到了硅基深槽腐蚀的溶液类型、浓度和温度等工艺参数,以及ICP刻蚀工艺的功率、气体流量等工艺参数。根据优化的工艺参数,采用厚度为400μm的N型<100>硅片加工了外形尺寸为3 mm×3 mm、线宽尺寸为100±2μm、硅槽深度为390±2μm的悬浮微结构样件。
刘晓兰刘晓兰朱政强党元兰
关键词:体硅工艺ICP刻蚀
一种基于转接板的芯片封装重构结构
本实用新型涉及一种基于转接板的芯片封装重构结构,属于先进封装集成领域。其包括无硅通孔的转接板、WB型芯片、BGA焊球/LGA焊柱,在转接板上利用多层重分布线同时制作键合焊盘和倒装焊盘,并通过粘接胶将芯片与转接板组装,接着...
柴昭尔卢会湘王康唐小平张晓帅徐亚新刘晓兰王杰韩威
一种毫米波RF MEMS开关的制备方法
本发明涉及MEMS器件制造领域,特别涉及一种毫米波RF MEMS开关的制备方法,主要包括高阻硅片表面多晶硅及二氧化硅的生长、硅片清洗、CPW图形制作、RF传输线上氮化硅绝缘层的制作、RF传输线氮化硅绝缘层上导体层的制作、...
党元兰赵飞梁广华刘晓兰徐亚新董自强唐小平朱二涛杨宗亮严英占王康
文献传递
一种带腔LTCC基板表面多层精密薄膜电路的制备方法
本发明涉及LTCC、薄膜及混合基板制造领域,特别涉及一种带腔LTCC基板表面多层精密薄膜电路的制备方法,主要包括带腔LTCC基板研磨抛光、腔体填充、表面薄膜电路图形制备、表面介质层制备等步骤。采用本发明的技术方案,可以提...
徐亚新刘晓兰段龙帆卢会湘赵飞王康庄治学梁广华
文献传递
一种基于光敏BCB技术的兰格耦合器制备工艺研究
2018年
根据介质隔离兰格耦合器的结构特点,设计了基于BCB介质桥的兰格耦合器的加工工艺流程。通过对工艺流程中的关键技术和重要影响因素进行分析,得到了加工过程中的工艺参数。按此工艺参数进行加工,得到兰格耦合器样件,与空气桥兰格耦合器相比,在保证电性能的基础上提高了组装的可靠性。
梁广华贾世旺赵飞韩威徐亚新庄治学陈雨刘晓兰何超
关键词:光刻工艺兰格耦合器
一种LTCC厚薄膜混合基板制造中的基板腔体填充方法
本发明公开了LTCC厚薄膜混合基板制造领域中的一种基板腔体填充方法—UV膜腔体填充法,包括UV膜厚度、热切成型所用的UV膜载体材料、UV膜外形尺寸、多层UV总厚度与腔体高度差等。采用本发明的技术方案,其工艺简单易行、基板...
党元兰赵飞徐亚新梁广华刘晓兰陈雨庄志学李攀峰
高可靠性氮化铝基功率负载加工工艺研究被引量:4
2020年
采用氮化铝基板进行功率负载制备,可满足通信系统对高散热的要求。针对氮化铝基板耐碱性差和易水解性等特性,从工艺流程入手,对影响器件长期可靠性的互连孔制备、膜层附着力提高等关键技术和重要因素进行了分析。研制的氮化铝基功率负载在0~40 GHz频段内,经过国军标可靠性试验后性能保持稳定,耐受功率达30 W,实现了高可靠性高功率负载的制备。
徐亚新赵飞何超龚孟磊庄治学梁广华
关键词:氮化铝高可靠性高功率
一种LCP基材的RF MEMS开关制备方法
本发明涉及MEMS器件制造领域,特别涉及一种LCP基材的RFMEMS开关制备方法,主要包括基板清洗、覆铜面镀金及后处理、溅射前干法处理、光刻前LCP基板与硬性基板无间隙复合、CPW图形制作、RF传输线上二氧化硅绝缘层的制...
党元兰赵飞徐亚新刘晓兰梁广华陈雨庄治学唐小平周拥华李朝刘志斌李可龚孟磊刘颖何超邢伯仑
文献传递
一种具有大面积侧壁金属图形的薄膜电路及其制备方法
本发明公开了一种具有大面积侧壁金属图形的薄膜电路及其制备方法,属于薄膜电路技术领域。该方法包括制作腔体外形标记、制作正面金属化图形、对基片正面进行两层保护、开腔、从背面向上进行金属溅射并电镀加厚、去胶、划切等步骤,制备出...
赵飞王志成贾世旺徐亚新刘晓兰梁广华严英占卢会湘唐小平王康杨宗亮王杰段龙帆
文献传递
共6页<123456>
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