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薛建忠

作品数：59 被引量：22H指数：2
供职机构：江苏理工学院更多>>
发文基金：江苏省高等教育教改立项研究课题博士科研启动基金更多>>
相关领域：一般工业技术文化科学自动化与计算机技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 51篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 10篇一般工业技术
  • 5篇文化科学
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇理学
  • 2篇金属学及工艺

主题

  • 29篇相变存储
  • 28篇存储器
  • 27篇相变存储器
  • 20篇溅射
  • 17篇晶态
  • 15篇功耗
  • 12篇晶化
  • 11篇纳米
  • 11篇磁控
  • 11篇磁控溅射
  • 10篇相变
  • 9篇电阻
  • 9篇激活能
  • 9篇SUB
  • 8篇低功耗
  • 8篇射频溅射
  • 8篇晶格
  • 8篇超晶格
  • 7篇热稳定
  • 7篇热稳定性

机构

  • 53篇江苏理工学院
  • 5篇江苏技术师范...

作者

  • 58篇薛建忠
  • 51篇朱小芹
  • 45篇吴卫华
  • 39篇袁丽
  • 38篇胡益丰
  • 30篇郑龙
  • 27篇邹华
  • 26篇眭永兴
  • 22篇孙月梅
  • 20篇吴世臣
  • 19篇张建豪
  • 10篇张剑豪
  • 10篇翟良君
  • 5篇尤海鹏
  • 4篇吴小丽
  • 4篇吴晓庆
  • 3篇王海峰
  • 3篇裴明旭
  • 2篇吴卫华
  • 2篇唐煌

传媒

  • 2篇江苏理工学院...
  • 1篇克山师专学报
  • 1篇大学物理实验
  • 1篇江苏技术师范...
  • 1篇科技与创新

年份

  • 1篇2024
  • 3篇2023
  • 2篇2022
  • 3篇2021
  • 3篇2020
  • 6篇2019
  • 9篇2018
  • 10篇2017
  • 10篇2016
  • 5篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2012
  • 1篇2009
  • 1篇2004
  • 1篇2003
共 59 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法，化学组成通式为（Ge<Sub>10</Sub>Sb<Sub>90</Sub>）<Sub>x</Sub>N<Sub>1‑x</Sub>，其中x=0.5...
朱小芹潘佳浩吴小丽胡益丰薛建忠袁丽吴卫华张建豪江向荣
文献传递
类超晶格锌锑-锑硒纳米相变薄膜及其制备和应用
本发明公开一种类超晶格结构ZnSb/SbSe相变存储薄膜及其制备和应用，该相变存储薄膜的总厚度为40‑60 nm，结构通式为[ZnSb(a)/SbSe(b)]<Sub>n</Sub>，其中，a和b分别表示单个周期中ZnS...
吴卫华朱小芹薛建忠
文献传递
一种可用于提升疲劳特性的相变存储单元及其制备方法
本发明提供了一种可用于提升疲劳特性的相变存储单元及其制备方法，一种可用于提升疲劳特性的相变存储单元包括上电极、底电极以及位于上电极和底电极之间的相变薄膜，所述相变薄膜与上电极之间、所述相变薄膜与底电极之间均设置有C层。本...
郑龙朱小芹吴晓庆薛建忠裴明旭刘波
一种GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用
本发明涉及纳米材料技术领域，涉及一种GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用。本发明的材料包括碲化锗薄膜材料和单质锗薄膜材料，二者通过磁控溅射法进行纳米量级的交替叠加，形成类超晶格结构。本发明的材料的结构...
张剑豪胡益丰朱小芹邹华袁丽薛建忠孙月梅
稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜及其制备方法
本发明提供了一种稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜及其制备方法，所述稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜的组分表达式为Er<Sub>x</Sub>(Ge<Sub>i</Sub>Sb<Sub>j</Sub>)<Sub>y</...
邹华胡益丰朱小芹张建豪郑龙吴世臣袁丽孙月梅吴卫华薛建忠眭永兴
文献传递
一种硅半导体太阳能电池参数测量仪
本发明公开一种硅半导体太阳能电池参数测量仪，利用LM358制作的A/D前端电路用于控制输入信号能够在A/D模块检测范围内；利用继电器模块制作的可编程电阻充当A/D前端电路的负载，连续线性的变化从而精准测量参数；LCD屏幕...
吴卫华姬丰欣王海峰王云松朱小芹张勇薛建忠
PSPICE在物理实验教学和实践中的应用
2004年
通过介绍pspice 软件的特点及主要功能,探讨其在物理实验教学中的运用,阐述在虚拟环境下进行虚拟实验的基本方法,为物理实验教学提供参考。
薛建忠
关键词：PSPICE物理实验仿真
一种蘑菇型结构神经突触仿生器件
本发明公开一种蘑菇型结构神经突触仿生器件，是采用0.13μm CMOS工艺制备而得的蘑菇型结构，该器件结构自下至上依次包括Si(100)基片制备的衬底、Al材料底电极、SiO<Sub>2</Sub>中间介质层、在中间介质...
吴卫华戚佳怡汤瑶朱小芹薛建忠
文献传递
一种镧系元素铈掺杂纯锑纳米相变材料及其制备方法
本发明公开了一种镧系元素铈掺杂纯锑纳米相变材料，其组分表达式为CexSby，其中x，y为原子百分比，0&lt;x≤0.10,0.90&lt;y≤1,x+y＝1.00。本发明所提供的相变材料可实现可逆的相变过程，且相变前后...
张剑豪邹华胡益丰朱小芹薛建忠郑龙吴世臣袁丽孙月梅吴卫华眭永兴
文献传递
用于高速低功耗相变存储器的Ga<Sub>40</Sub>Sb<Sub>60</Sub>/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种用于高速低功耗相变存储器的Ga<Sub>40</Sub>Sb<Sub>60</Sub>/Sb类超晶格相变薄膜材料，为多层复合膜结构，由Ga<Sub>40</Sub>Sb<Sub>60</Sub>层和Sb层...
邹华胡益丰朱小芹眭永兴郑龙吴卫华吴世臣袁丽薛建忠张剑豪
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