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冯玉霞

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

主题

  • 6篇氮化镓
  • 5篇氮化
  • 4篇氮化铝
  • 4篇氮化镓基发光...
  • 4篇硅衬底
  • 4篇二极管
  • 4篇发光
  • 4篇发光二极管
  • 4篇衬底
  • 3篇阻挡层
  • 2篇氮化镓薄膜
  • 2篇电子阻挡层
  • 2篇多量子阱
  • 2篇一维纳米
  • 2篇一维纳米结构
  • 2篇气相外延
  • 2篇氢化物气相外...
  • 2篇铟镓氮
  • 2篇铝源
  • 2篇纳米

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇杨少延
  • 8篇魏鸿源
  • 8篇冯玉霞
  • 6篇焦春美
  • 6篇王占国
  • 6篇赵桂娟
  • 4篇汪连山
  • 4篇李辉杰
  • 2篇王建霞
  • 2篇刘祥林
  • 2篇张恒
  • 2篇项若飞

年份

  • 4篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法
一种利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法，包含：在硅衬底表面上先制备一阻挡层及包含铟组分的薄III族氮化物合金层和低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将硅衬底加热，将包含有铟组分的薄III族氮化物合金层中的铟组...
杨少延冯玉霞魏鸿源焦春美赵桂娟汪连山刘祥林王占国
文献传递
半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法
本发明提供一种半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法，其中发光二极管包括：一衬底，其表面具有周期排列的凸起图形；一氮化铝缓冲层沉积在凸起图形之间的间隔区内；一未掺杂半极性面氮化镓层，其制作在氮化铝缓冲层的上面，该未掺杂半...
项若飞汪连山赵桂娟金东东王建霞李辉杰张恒冯玉霞焦春美魏鸿源杨少延王占国
文献传递
一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法
本发明公开了一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法，包含以下步骤：步骤1：取一衬底放入氢化物气相外延设备的反应室中；步骤2：在氢化物气相外延设备中对衬底表面进行高温氮化处理；步骤3：将氢化物源和氮源分别通入铝源区和反应室中...
孔苏苏李辉杰冯玉霞赵桂娟魏鸿源杨少延王占国
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缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法
本发明提供了一种缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法包括：于硅(111)衬底表面沉积金属铝层；通入的摩尔比介于2000～5000之间的氨气与三甲基铝，于1000℃～1500下在金属铝层上沉积氮化铝成核层；通...
冯玉霞杨少延魏鸿源焦春美孔苏苏
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利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法
一种利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法，包含：在硅衬底表面上先制备一阻挡层及包含铟组分的薄III族氮化物合金层和低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将硅衬底加热，将包含有铟组分的薄III族氮化物合金层中的铟组...
杨少延冯玉霞魏鸿源焦春美赵桂娟汪连山刘祥林王占国
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半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法
本发明提供一种半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法，其中发光二极管包括：一衬底，其表面具有周期排列的凸起图形；一氮化铝缓冲层沉积在凸起图形之间的间隔区内；一未掺杂半极性面氮化镓层，其制作在氮化铝缓冲层的上面，该未掺杂半...
项若飞汪连山赵桂娟金东东王建霞李辉杰张恒冯玉霞焦春美魏鸿源杨少延王占国
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一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法
本发明公开了一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法，包含以下步骤：步骤1：取一衬底放入氢化物气相外延设备的反应室中；步骤2：在氢化物气相外延设备中对衬底表面进行高温氮化处理；步骤3：将氢化物源和氮源分别通入铝源区和反应室中...
孔苏苏李辉杰冯玉霞赵桂娟魏鸿源杨少延王占国
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缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法
本发明提供了一种缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法包括：于硅(111)衬底表面沉积金属铝层；通入的摩尔比介于2000～5000之间的氨气与三甲基铝，于1000℃～1500下在金属铝层上沉积氮化铝成核层；通...
冯玉霞杨少延魏鸿源焦春美孔苏苏
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