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郑军

作品数:73 被引量:8H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 59篇专利
  • 10篇会议论文
  • 4篇期刊文章

领域

  • 27篇电子电信
  • 6篇理学
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇石油与天然气...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇文化科学

主题

  • 22篇电极
  • 21篇探测器
  • 18篇光电
  • 14篇波导
  • 11篇光电探测
  • 11篇钙钛矿
  • 11篇
  • 11篇衬底
  • 10篇光电探测器
  • 9篇溅射
  • 8篇填埋
  • 8篇填埋层
  • 8篇硅材料
  • 8篇硅基
  • 8篇红外
  • 7篇单晶
  • 7篇电池
  • 7篇雪崩
  • 6篇电场
  • 6篇雪崩光电探测...

机构

  • 71篇中国科学院
  • 3篇华侨大学
  • 1篇中央民族大学
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 73篇郑军
  • 68篇成步文
  • 47篇刘智
  • 44篇左玉华
  • 24篇薛春来
  • 12篇王启明
  • 9篇李传波
  • 5篇张均营
  • 2篇于丽娟
  • 2篇丁武昌
  • 1篇余金中
  • 1篇吕蓬
  • 1篇郭亨群
  • 1篇鲁军
  • 1篇徐应强
  • 1篇罗丽萍
  • 1篇张晓明
  • 1篇冯帅
  • 1篇李乐良
  • 1篇张广泽

传媒

  • 2篇光子学报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇太阳能
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 9篇2024
  • 9篇2023
  • 10篇2022
  • 14篇2021
  • 8篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 5篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2008
73 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种SiO<Sub>x</Sub>基锂离子电池复合负极材料的制备方法
本发明公开了一种SiO<Sub>x</Sub>基锂离子电池复合负极材料的制备方法,包括如下步骤:对SiO<Sub>x</Sub>材料进行高能球磨处理,减小SiO<Sub>x</Sub>材料的尺寸;按照一定比例将球磨处理后...
张均营李传波郑军左玉华薛春来成步文
文献传递
磁控溅射掺Er SiN薄膜的光致荧光谱
采用磁控溅射法生长了掺Er SiN薄膜,在高温退火后测试了薄膜的光致荧光谱。薄膜在可见光区域以及红外光区域都表现出了很强的光致发光,观察到了Er离子各高能级到基态的跃迁。对样品进行了RBS等物性分析,给出了薄膜的元素组成...
丁武昌郑军左玉华成步文余金中王启明郭亨群吕蓬申继伟
关键词:氮化硅
文献传递
表面覆盖有LiF薄膜的钙钛矿薄膜及其制备方法
本发明提供一种表面覆盖有LiF薄膜的钙钛矿薄膜及其制备方法,涉及光电材料技术领域。该方法包括:步骤S1,制得初始钙钛矿薄膜;步骤S2,使用真空热蒸发法在该初始钙钛矿薄膜表面制备LiF薄膜,得到表面覆盖有LiF薄膜的钙钛矿...
陈丹杨亚洲叶正澜刘香全左玉华郑军刘智成步文
雪崩光电探测器及其制备方法
一种雪崩光电探测器及其制备方法。一种雪崩光电探测器,包括:SOI衬底,SOI衬底包括多层含Si层;掺杂层,设置在SOI衬底的上部,并包括:倍增区;n型掺杂区,设置在倍增区的横向一侧,n型掺杂区设有与倍增区具有相同厚度的阶...
庞雅青刘智成步文郑军
一种Si基复合负极材料及其锂电池的制备方法
本发明公开了一种基于Cu<Sub>x</Sub>O包覆的Si基复合负极材料及其锂电池的制备方法,所述锂电池的制备方法包括:步骤1:配制弱酸和相对应的弱酸盐的混合水解溶液,加入铜源并超声溶解;步骤2:加入预处理的纳米Si颗...
张均营李传波郑军左玉华薛春来成步文
GeSn/钙钛矿异质结宽光谱探测器及其制作方法
一种GeSn/钙钛矿异质结宽光谱探测器及其制作方法,该GeSn/钙钛矿异质结宽光谱探测器包括:衬底;GeSn层,形成于所述底的一表面;钙钛矿层,形成于所述GeSn上;下电极,形成于所述衬底的另一表面;上电极,形成于所述钙...
万丰硕薛春来徐国印刘智郑军左玉华成步文
文献传递
波导耦合的雪崩光电探测器及其制备方法
本发明提供了一种波导耦合的雪崩光电探测器及其制备方法,其中,本发明的一个方面提供了一种波导耦合的雪崩光电探测器,包括:SOI衬底,包括:底部硅材料层、中间二氧化硅填埋层和顶层硅;倍增层,覆盖于顶层硅上,倍增层上形成有电荷...
庞雅青刘智成步文郑军薛春来
钙钛矿单晶的生长方法及装置
本公开提供了一种钙钛矿单晶的生长方法,包括:将装有钙钛矿前驱体溶液的第一容器置于装有反溶剂的第二容器中,第二容器中的反溶剂蒸汽向第一容器扩散;向前第一容器、第二容器分别持续注入钙钛矿前驱体溶液、反溶剂;通过控制钙钛矿前驱...
杨亚洲刘陶然陈丹叶正澜李嘉仪左玉华郑军刘智成步文
Ⅳ族Sn化合物单晶薄膜的溅射外延制备及性能研究
Ⅳ族Sn化合物主要包括锗锡(Ge1-xSnx)二元合金和锗硅锡(Ge1-x-ySixSny)三元合金。其中,Ge1-xSnx合金通过调节Sn组份,可以实现硅基直接带隙的半导体材料,而Ge1-x-ySixSny合金则在能带...
郑军王素元刘智薛春来左玉华李传波成步文王启明
增强紫外波段响应度的硅雪崩光电二极管及其制备方法
一种增强紫外波段响应度的硅雪崩光电二极管,该硅雪崩光电二极管以硅雪崩光电二极管作为基底,钙钛矿材料均匀分布在所述硅雪崩光电二极管表面。利用钙钛矿材料的高量子产率,将钙钛矿材料均匀分布在硅雪崩二极管表面,通过设计,使钙钛矿...
刘陶然左玉华郑军陈丹刘智成步文
文献传递
共8页<12345678>
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