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杨喜超

作品数：52 被引量：0H指数：0
供职机构：华为技术有限公司更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 52篇中文专利

领域

  • 9篇自动化与计算...
  • 5篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 21篇晶体管
  • 18篇沟道
  • 17篇隧穿
  • 16篇源区
  • 14篇场效应
  • 13篇介质层
  • 10篇外延层
  • 10篇场效应晶体管
  • 9篇隧穿电流
  • 9篇存储器
  • 8篇电子设备
  • 8篇栅极
  • 8篇铁电
  • 8篇半导体
  • 7篇电极
  • 7篇铁电存储器
  • 6篇漏极
  • 6篇掺杂
  • 5篇芯片
  • 4篇源极

机构

  • 52篇华为技术有限...

作者

  • 52篇杨喜超
  • 29篇赵静
  • 8篇吴昊
  • 6篇张岩
  • 3篇李小波
  • 2篇张敏
  • 2篇张恒
  • 1篇李昊
  • 1篇王小渭

年份

  • 5篇2023
  • 7篇2022
  • 4篇2021
  • 1篇2020
  • 5篇2019
  • 8篇2018
  • 8篇2017
  • 2篇2016
  • 8篇2015
  • 4篇2014
共 52 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种制作纳米线的方法
本发明实施例公开了一种制作纳米线的方法，包括：在衬底上表面沉积生长第一牺牲物，沿第一牺牲物的N个外表面沉积生长第一隔离物，以第一隔离物为掩模各向异性刻蚀衬底，移除第一隔离物，得到第一组半导体鳍条，使用填充物填充衬底被刻蚀...
杨喜超吴昊赵静张臣雄
文献传递
隧穿晶体管及隧穿晶体管的制造方法
一种隧穿晶体管及隧穿晶体管的制造方法，其中，一种隧穿晶体管，包括衬底(10)、源极区域(20)、沟道(60)、两个漏极区域(70)、栅介质层(30)及栅极区域(40)，所述源极区域(20)形成于所述衬底(10)之上，所述...
赵静杨喜超吴昊张臣雄
文献传递
铁电存储阵列的控制器、控制方法及相关设备
本申请提供了一种铁电存储阵列的控制器、控制方法及相关设备，该控制器用于控制铁电存储阵列，铁电存储阵列包括阵列部署的多个铁电存储单元；控制器用于在向目标行中各所述存储单元连接的第一WL输入全选导通电平且向各所述存储单元连接...
李昊贾秀峰张敏杨喜超张恒吕杭炳许俊豪
隧穿场效应管及其制造方法、芯片
本申请公开了一种隧穿场效应管及其制造方法、芯片，属于半导体技术领域。所述方法包括：在基底上形成掩膜结构，并对基底进行第一离子的第一注入处理；在基底上形成第一侧墙，并对基底进行第一离子的第二注入处理；在基底中已注入第一离子...
杨喜超
文献传递
一种多层薄膜制备方法及多层薄膜
本申请公开了一种多层薄膜制备方法及多层薄膜，其中方法主要包括：制备第一材料层，进而在第一材料层的表面层叠设置多个第二材料层。本申请实施例中，每个第二材料层包括第二衬底，第二衬底由铁电单晶材料构成。采用上述方法，可以在多层...
秦健鹰杨喜超邢彦敏张岩魏侠
隧穿场效应晶体管器件制造方法及隧穿场效应晶体管器件
一种TFET器件制造方法及TFET器件，属于晶体管制造技术领域。该方法包括：在硅基材(21)上方形成主轴图案，主轴图案的材质为多晶硅(23)；形成围绕主轴图案的侧壁(251)；采用自对准工艺在硅基材(21)的第一区域形成...
蔡皓程杨喜超张臣雄
文献传递
三维铁电存储器及电子设备
本申请实施例属于存储设备技术领域，具体涉及一种三维铁电存储器及电子设备。本申请实施例旨在解决相关技术中三维铁电存储器的尺寸较大，难以实现三维铁电存储器的小型化的问题。本申请实施的三维铁电存储器及电子设备，存储层包括参考层...
魏侠杨喜超张岩秦健鹰
一种半浮栅器件及其制备方法
本发明公开了一种半浮栅器件及其制备方法，用于解决现有的半浮栅晶体管存在的多种缺陷。本发明半浮栅器件包括：具有第一种掺杂类型的半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成的凸体；在所述半导体衬底的一侧形成的、具有第二种掺杂类型的漏...
杨喜超赵静张臣雄
文献传递
一种存储器件及其制造方法、电子设备
本申请实施例公开了一种存储器件及其制造方法、电子设备，存储器件包括衬底、衬底上的存储层、贯穿存储层的隔离沟槽、隔离沟槽中填充的绝缘材料、纵向贯穿绝缘材料的导体塞，存储层可以包括交替层叠的多层铁电层和多层导体层，在隔离沟槽...
李小波秦健鹰杨喜超胡小剑
铁电存储器以及电子设备
一种铁电存储器(100)和电子设备，该铁电存储器(100)包括铁电存储单元(10)、第一电压线(m)和第二电压线(n)，铁电存储单元(10)包括铁电薄膜层(101)、第一电极(102)和第二电极(103)；所述第一电极(...
张岩杨喜超魏侠秦健鹰
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