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卢光远

作品数：20 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：化学工程理学一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇化学工程
  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 15篇石墨
  • 14篇石墨烯
  • 8篇氮化
  • 8篇氮化硼
  • 5篇六方氮化硼
  • 5篇合金
  • 4篇氮化硼薄膜
  • 4篇铜镍合金
  • 4篇退火
  • 4篇镍合金
  • 4篇气体
  • 4篇气相沉积
  • 4篇化学气相
  • 4篇化学气相沉积
  • 4篇保护气体
  • 4篇衬底
  • 3篇单晶
  • 3篇晶圆
  • 3篇催化
  • 2篇电镀

机构

  • 20篇中国科学院
  • 1篇华东师范大学
  • 1篇香港理工大学
  • 1篇中南大学

作者

  • 20篇吴天如
  • 20篇卢光远
  • 16篇王浩敏
  • 14篇谢晓明
  • 14篇张学富
  • 12篇江绵恒
  • 6篇谢红
  • 5篇陈吉
  • 5篇杨超
  • 2篇唐述杰
  • 2篇张超
  • 2篇丁古巧
  • 2篇宋阳曦
  • 2篇孙秋娟
  • 2篇李蕾
  • 2篇王秀君
  • 2篇姜达
  • 1篇邓联文
  • 1篇黄生祥
  • 1篇贺立

传媒

  • 1篇科学通报
  • 1篇科技纵览

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 6篇2017
  • 3篇2016
  • 5篇2015
  • 4篇2014
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
“黑金”与“白石墨”的联姻
2017年
“黑金”石墨烯与“白石墨”六方氮化硼能够互取所长，碰撞出新的火花，为石墨烯微电子应用基础研究领域带来新的可能。
王浩敏吴天如贺立张学富卢光远陈令修
关键词：石墨六方氮化硼电子应用碰撞
晶圆级石墨烯单晶形核控制与快速生长机理研究
本文作者对石墨烯单晶的快速可控制备提出了独创性的研究思路和制备方案。通过向具有一定溶碳能力的Cu85Ni15合金表面局域提供碳源，产生局部碳浓度过饱和，成功解决了石墨烯单个核心控制形核这一技术难题。研究发现，Cu85Ni...
吴天如张学富袁清红卢光远谢晓明江绵恒
关键词：石墨烯单晶生长性能表征
多层六方氮化硼薄膜的制备方法
本发明提供一种多层六方氮化硼薄膜的制备方法，包括如下步骤：1)提供一衬底；2)提供含硼固态催化剂，将含硼固态催化剂置于衬底上；3)将含硼固态催化剂进行退火处理，以使得含硼固态催化剂熔化；4)向溶化后的含硼固态催化剂所在环...
时志远吴天如卢光远王秀君张超王浩敏谢晓明
文献传递
一种石墨烯-氮化硼异质结的制备方法
本发明提供一种石墨烯-氮化硼异质结的制备方法，包括以下步骤：S1：在热释放胶带上粘附石墨烯；S2：将所述热释放胶带表面粘附有所述石墨烯的一面贴合到氮化硼上；S3：加热使所述热释放胶带失去粘性，然后揭去所述热释放胶带，得到...
陈吉卢光远吴天如王慧山张学富王浩敏
文献传递
一种金属蒸气辅助快速生长少层石墨烯的制备方法
本发明提供一种金属蒸气辅助快速生长少层石墨烯的制备方法，包括：首先制备铜镍合金衬底；然后提供一金属片，将所述铜镍合金衬底和金属片进行清洗后置于化学气相沉积腔室内，其中，所述金属片位于所述铜镍合金衬底表面上方预设距离处；最...
杨超吴天如卢光远张学富王浩敏谢晓明江绵恒
文献传递
一种石墨烯晶畴的制备方法
本发明提供一种石墨烯晶畴的制备方法，该方法包括以下步骤：提供一镍片和一抛光的铜箔，将所述铜箔置于保护气体中退火；以含镍化合物和硼酸为溶质配置镍电镀溶液；将镍片和退火后的铜箔放入盛有镍电镀溶液的电解槽中通电，使铜箔被电镀后...
卢光远吴天如杨超张学富
文献传递
多层六方氮化硼薄膜的制备方法
本发明提供一种多层六方氮化硼薄膜的制备方法，包括如下步骤：1)提供一衬底；2)提供含硼固态催化剂，将含硼固态催化剂置于衬底上；3)将含硼固态催化剂进行退火处理，以使得含硼固态催化剂熔化；4)向溶化后的含硼固态催化剂所在环...
时志远吴天如卢光远王秀君张超王浩敏谢晓明
石墨烯的生长方法
本发明提供一种石墨烯的生长方法，至少包括以下步骤：S1：提供一绝缘衬底，将所述绝缘衬底放置于生长腔室中；S2：将所述绝缘衬底加热到预设温度，并在所述生长腔室中引入含有催化元素的气体；S3：在所述生长腔室中通入碳源，在所述...
王浩敏唐述杰卢光远吴天如姜达丁古巧张学富谢红谢晓明江绵恒
文献传递
一种降低石墨烯与电极接触电阻的方法
本发明提供一种降低石墨烯与电极接触电阻的方法，包括步骤：首先，提供衬底，在所述衬底上形成石墨烯；然后，在所述石墨烯表面形成暴露出石墨烯两端的边缘的BN薄膜，；接着，定义源、漏电极区域，形成金属催化层，并在氢气气氛中进行退...
王浩敏谢红王慧山孙秋娟卢光远陈吉张学富吴天如谢晓明江绵恒
文献传递
一种石墨烯闪存存储器的制备方法
本发明提供一种石墨烯闪存存储器的制备方法，所述方法采用单层或者多层的连续石墨烯薄膜替代多晶硅栅或者氮氧化物存储电荷，能够在有限的物理空间内提高电荷存储容量，由于石墨烯厚度较薄，缩小器件纵向尺寸的同时，消除器件中电容耦合的...
王浩敏谢红王慧山李蕾卢光远张学富陈吉吴天如谢晓明江绵恒
文献传递
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