刘学锋
- 作品数：16 被引量：25H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：“九五”国家科技攻关计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 不同温度下快速热退火对SiGe量子阱光致发光谱的影响被引量：2
- 1998年
- 本文对ＧＳ－ＭＢＥ生长的Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子阱结构用快速热退火（ＲＴＡ）方法进行处理，研究了其在低温下的光致发光（ＰＬ）特性．发现存在一个最佳退火温度范围，使得ＰＬ谱的发光得到改善．随着退火温度的继续提高，ＰＬ谱线发生兰移，发光强度下降．认为这种趋势是由内部缺陷和位错以及Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子阱结构在退火过程中相应的变化所导致．
- 司俊杰杨沁清王红杰王红杰滕达雷红兵刘学锋李建民
- 关键词：锗化硅退火光致发光
- 用乙硅烷及固态锗源外延生长应变GeSi/Si合金
- 1997年
- 采用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法成功地生长出应变ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ异质结合金，所使用的源分别是乙硅烷和固态锗。用固态锗取代气态锗烷，既保留了生长中由氢化物裂解产生的氢原子在生长表面上的活化作用（ｓｕｒｆａｃｔａｎｔｅｆｆｅｃｔ），又利用了固态源炉通过挡板能够迅速切断分子束流的优点。样品的Ｘ射线双晶衍射，透射电子显微镜及光荧光测量表明ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金具有较好的晶格完整性及平坦的异质结界面。
- 刘学锋李建平刘金平孙殿照孔梅影王占国
- 关键词：硅硅化锗分子束外延
- Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格X-射线双晶衍射的运动学研究被引量：5
- 1992年
- 本文利用X射线双晶衍射对应变层超晶格进行了研究.我们从超晶格的台阶模型出发,运用运动学理论,推导出了X射线衍射强度的表达式,清楚地揭示了合金成分x,应变,层厚比与迴摆曲线强度分布的关系.对Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格双晶X射线衍射强度的模拟结果与实验结果符合很好.
- 段晓峰冯国光王玉田褚一鸣刘学锋盛篪周国良
- 关键词：GESI/SI超晶格双晶衍射运动学
- As＋注入Si1—xGex的快速退火行为
- 1996年
- 用二次离子质谱对Ａｓ＋注入Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ的快速退火行为进行了研究．Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ样品中Ｇｅ组分分别为ｘ＝０．０９，０．２７和０．４３．Ａｓ＋注入剂量为２×１０（１６）ｃｍ（－２），注入能量为１００ｋｅＶ．快速退火温度分别为９５０℃和１０５０℃，时间均为１８秒．实验结果表明，Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ中Ａｓ的扩散与Ｇｅ组分密切相关，Ｇｅ组分越大，Ａｓ扩散越快．对于Ｇｅ组分较大的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品，Ａｓ浓度分布呈现“盒形”（ｂｏｘ－ｓｈａｐｅｄ），表明扩散与Ａｓ浓度有关．Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品中Ａｓ的快扩散可能与未激活Ａｓ的快速退火行为有关．就作者所知，离子注入Ａｓ在Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ中的扩散研究，以前未见报道．
- 邹吕凡王占国孙殿照何沙范缇文刘学锋张靖巍
- 关键词：退火SIGE
- 液相外延In_xGa_(1-x)AsySb_(1-y)/GaSb及其电学光学性质研究
- 刘学锋
- GSMBE原位生长SiGeHBT材料被引量：6
- 1999年
- 采用ＧＳＭＢＥ工艺生长的单晶ＳｉＧｅ ＨＢＴ 结构材料，经Ｘ射线双晶衍射，透射电镜和扩展电阻深度分布测量说明：该材料晶体完整性好，无应力弛豫，界面平整陡峭．发射区Ｎ 型掺杂浓度２×１０１９～１×１０２０ｃｍ － ３，厚度１００～２００ｎｍ ；基区ＳｉＧｅ合金Ｇｅ 组分０．０５～０．２０，Ｐ型掺杂浓度５×１０１８ｃｍ － ３，厚度４０～１００ｎｍ ；集电极浓度～１×１０１６ｃｍ － ３．达到了生长ＳｉＧｅ ＨＢＴ 材料的条件．
- 黄大定刘金平李建平林燕霞刘学锋李灵霄孙殿照孔梅影林兰英
- 关键词：双极性晶体管GSMBESIGE
- 液相外延生长In_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb及其性质研究被引量：1
- 1990年
- 本文利用液相外延方法,在较大组分范围内(0≤x≤0.17,0≤y≤0.12),成功地生长出了晶格匹配于(100)GaSb衬底的In_xGa_(1-x)As_ySb_(1-x)四元材料,并对其性质进行了实验观察和研究。结果表明,这种表面光亮、层厚均匀、异质结界面平直以及纯度较高、完整性好的外延薄膜是制作超长波长光电器件的理想材料。
- 刘学锋龚秀英王占国
- 关键词：化合物半导体液相外延晶格匹配
- GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管被引量：5
- 1999年
- 用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法生长了掺杂ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金并试制了ｐ－ｎ异质结二极管，Ｘ射线双晶衍射和二极管Ｉ－Ｖ特性表明，ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金的完整性与异质结界面的失配位错是影响异质结二极管反向漏电的主要原因．通过控制ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金的组分及厚度，我们获得了较高质量的ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉｐ－ｎ异质结二极管材料，其反向电压为－５Ｖ时，反向漏电流密度为６．１μＡ／ｃｍ２．
- 刘学锋王玉田刘金平李建平李灵霄孙殿照孔梅影林兰英
- 关键词：P-N结异质结二极管GSMBE
- 高速电路用GeSi/Si外延材料
- 黄大定李建平孙殿照刘学锋刘金平林燕霞高斐邹吕凡朱世荣李灵宵孔梅影林兰英
- 该项目为SiGe/Si材料生长工艺及其掺杂控制技术，项目过程中生长出了高质量的n-p-n HBT所需要的Si/SiGe/Si构材料：Ge组分及n、p型掺杂均达到项目指标要求；能够严格控制n、p型掺杂区域，将基区的硼杂质限...
- 关键词：
- 关键词：HBT
- 低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响被引量：2
- 1999年
- 为提高外延ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ材料中Ｓｉ发射极的生长速率，研究了Ｓｉ２Ｈ６预热温度对Ｓｉ生长速率的影响，结果表明在一很窄的温区内，Ｓｉ的生长速率提高了一倍．进一步升温Ｓｉ的生长速率迅速下降．用四级质谱仪对低温Ｓｉ－ＧＳＭＢＥ中Ｓｉ２Ｈ６的热裂解过程进行了研究，对该现象做了解释．
- 李建平黄大定刘金平刘学锋李灵宵朱世荣孙殿照孔梅影
- 关键词：硅锗化硅GSMBE热裂解
