李永超
- 作品数：11 被引量：3H指数：1
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏高校优势学科建设工程资助项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺一般工业技术更多>>
- NiO/CFO/PZT多铁异质结铁电极化对磁性调控的研究
- 电场对磁性的调控因其广泛的应用前景及丰富的物理内涵而日益引起人们的关注，并成为当前材料及物理领域的一大研究热点。本文中，我们报道了室温下铁电极化对饱和磁矩(Ms)及交换偏置场(Heb)的巨大调控，并对其机理进行了研究。
- 李永超潘丹峰吴军万建国
- 关键词：交换偏置
- Al/AlO_x/Al隧道结简化制备技术
- 2015年
- 研究了一种在高阻硅衬底上Al/Al Ox/Al超导隧道结简化制备技术。通过一次光刻镀膜完成隧道结结区的确定和上引线的制备,工艺流程简单重复。在0.3K温度下测量了隧道结样品的I-V特性,能隙电压Vg为0.37m V,超导临界电流密度约为12A/cm2。
- 张广涵曹春海翟计全姚晓栋李永超陈健康琳许伟伟吴培亨
- 关键词：隧道结
- 铝Josephson隧道结的制备工艺研究
- 李晓虎许伟伟翟计全李永超吴培亨
- Co／Co3O4／PZT多铁复合薄膜的交换偏置效应及其磁电耦合特性被引量：1
- 2015年
- 本文采用溶胶-凝胶工艺并结合脉冲激光沉积技术,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Co/Co3O4/PZT多铁复合薄膜.对复合薄膜的微结构和组分进行了表征,并系统研究了复合薄膜中的交换偏置效应及其对磁电耦合作用的影响.研究结果表明,复合薄膜在77 K具有明显的交换偏置效应,交换偏置场达到80 Oe,且交换偏置场及矫顽场均随温度降低而增大.当温度降低到10 K时,交换偏置场增至160 Oe.X射线光电子能谱(XPS)测试结果证实在Co和Co3O4界面处存在约5 nm厚的CoO层,表明77 K下的交换偏置效应源自反铁磁的CoO层对Co的钉扎作用.观察到复合薄膜的电容-温度曲线随着外加磁场大小和方向的改变而呈现出规律性的变化,表明复合薄膜存在磁电耦合效应.进一步研究发现,在低温下复合薄膜呈现出各向异性的磁电容效应,与磁场大小和方向密切相关.复合薄膜的这种磁电耦合特性主要与复合体系的交换偏置效应及基于界面应力传递的磁电耦合作用有关,本文对其中的物理机理进行了详细讨论与分析.
- 李永超周航潘丹峰张浩万建国
- 关键词：交换偏置
- 直流磁控溅射制备TiN超导薄膜
- TiN薄膜制备的超导谐振器与铝膜谐振器相比,在低场下具有更高的无载品质因子,因而可用于超导量子比特样品的实验研究,提高其消相干时间.针对这一特性及应用要求,我们采用直流磁控溅射方法,在室温下开展了TiN薄膜的制备研究.在...
- 陈志平曹春海李永超孙国柱陶旭康琳许伟伟陈健吴培亨
- 关键词：TIN薄膜直流磁控溅射
- 超导Josephson隧道结性能和超导量子比特电路的设计方案
- 2014年
- 超导Josephson隧道结是实现超导量子比特的基本元件。利用悬空掩膜和电子束斜蒸发相结合的工艺方法制备Al/Al2O3/Al超导Josephson隧道结,并且系统研究了底电极、上电极薄膜的厚度及氧化参数等工艺条件与隧道结超导电流密度Jc和面积归一化电阻Rc的关系。设计测量了三种方案的超导量子比特电路,通过对参数和结构的优化测出了较理想的量子比特(qubit)信号。
- 李晓虎许伟伟翟计全李永超吴培亨
