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闫祖威

作品数：55 被引量：78H指数：5
供职机构：内蒙古农业大学理学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金内蒙古自治区自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
相关领域：理学电子电信生物学轻工技术与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 44篇期刊文章
  • 7篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 40篇理学
  • 4篇电子电信
  • 3篇生物学
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  • 2篇电气工程
  • 2篇轻工技术与工...
  • 1篇机械工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇农业科学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 24篇量子
  • 24篇量子点
  • 16篇杂质态
  • 15篇结合能
  • 13篇球形量子点
  • 10篇半导体
  • 9篇电场
  • 9篇压力效应
  • 9篇三元混晶
  • 9篇声子
  • 8篇导体
  • 8篇流体静压力
  • 8篇静压力
  • 8篇光学
  • 6篇氮化物
  • 6篇电子-声子相...
  • 6篇GA
  • 5篇柱形量子点
  • 5篇纤锌矿
  • 5篇XGA

机构

  • 40篇内蒙古农业大...
  • 28篇内蒙古大学
  • 2篇内蒙古自治区...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇内蒙古师范大...

作者

  • 55篇闫祖威
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  • 3篇吴江鸿
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  • 2篇李根小
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  • 2篇胡斯乐

传媒

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  • 1篇食品科学
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  • 1篇遗传
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  • 1篇中国物理学会...

年份

  • 1篇2023
  • 3篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 4篇2016
  • 3篇2015
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  • 4篇2013
  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 4篇2010
  • 6篇2009
  • 3篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
  • 4篇2001
  • 1篇1996
共 55 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
ZnSe/ Zn_(1-x)Cd_xSe非对称双量子阱中电子声子相互作用(英文)
2001年
采用转移矩阵方法研究了 Zn Se/Zn1-x Cdx Se非对称双量子阱结构中界面光学 ( IO)声子模和电子 -IO声子相互作用哈密顿量 .发现 IO声子的色散关系和电子 -IO声子耦合强度是波矢的复杂函数 ,并且长波声子是主要的 .使用简化的相干势近似数值计算 Zn Se/Zn1-x Cdx Se非对称双量子阱结构 ,结果表明高频声子与 IO声子的相互作用较低频声子与
闫祖威梁希侠
关键词：电子-声子相互作用转移矩阵方法硒化锌色散关系
三元混晶三层系统的表面和界面声子极化激元
2014年
运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了真空/极性三元混晶薄膜/极性二元半导体衬底三层系统的表面和界面声子极化激元,以AlxGa1-xAs/GaAs和ZnxCd1-xSe/ZnSe为例,获得了表面和界面声子极化激元模的色散关系以及表面和界面模的频率随混晶组分和薄膜厚度的变化关系.结果表明:与二元晶体三层系统以及三元混晶单层薄膜不同,在三元混晶三层异质结系统中存在五支表面和界面声子极化激元模,这五支表面和界面模的频率曲线位于二元晶体和三元混晶的体声子极化激元的禁带区间内,且其能量随混晶组分和薄膜厚度呈非线性变化,三元混晶的"单模"和"双模"性也在色散曲线中体现了出来.
包锦闫翠玲闫祖威
关键词：三元混晶
单轴异性对氮化物半导体中浅杂质态的影响被引量：1
2006年
利用变分法研究纤锌矿结构氮化物半导体材料中的浅杂质态问题.采用London模型,用变分法计算浅杂质态的结合能,研究材料的单轴异性对浅杂质态的结合能的影响.对G aN,A lN和InN三种材料进行数值计算,给出了结合能随异性角(总动量与主轴之间的夹角)的变化关系,结果表明结构异性对结合能的影响显著.
薛亚光闫祖威
关键词：氮化物半导体
导带弯曲对有限深GaN/Ga_(1-x)Al_xN球形量子点中束缚极化子的影响及其压力效应被引量：2
2013年
采用三角势近似界面导带弯曲,研究了有限高势垒GaN/Ga1-x Al x N球形量子点中束缚极化子的结合能及其压力效应。数值计算了杂质态与声子之间相互作用对结合能的影响,同时与方形势垒进行了比较。结果表明,随着电子面密度的增加,导带弯曲效应增强,束缚极化子结合能逐渐下降。当电子面密度n s=(6.0,8.0)×1011/cm2且量子点半径R>10 nm时,束缚极化子的结合能趋近于一个相同且较小的值。结合能的极化效应主要来自杂质与光学声子相互作用的贡献。
曹艳娟闫祖威石磊
关键词：量子点束缚极化子
外电场作用下球形量子点的光学性质及其压力效应
在有效质量近似下，运用变分法研究了外电场和压力作用下半导体球形量子点GaN/AlxGa1-xN 的子带线性和非线性光吸收系数及其压力效应，且获得了基态和第一激发态的波函数和能级。数值计算了一阶线性、三阶非线性和总的吸收系...
韩军闫祖威
关键词：量子点电场
导带弯曲对有限深GaN/Ga_(1-x)Al_xN球形量子点中杂质态的影响及其压力效应(英文)
2013年
用三角势近似界面导带弯曲,采用变分理论研究了流体静压力影响下有限高势垒GaN/Ga1-xAlxN球形量子点中杂质态的结合能,计算中考虑了电子有效质量,电子面密度,介电常数以及禁带宽度随流体静压力的变化.数值计算结果表明,随着电子面密度的增加,杂质态结合能降低,当电子面密度较大时,随着量子点尺寸的增大,结合能最终趋于一个相同的值.同时发现随着压力的增加,在0到10GPa范围内,施主杂质态的结合能随压力变化呈线性增加的趋势,此变化趋势对于小量子点更显著.另外,随着铝组分的增加结合能相应的增加,此变化趋势对于铝组分低的情况更显著.结果表明导带弯曲效应对结合能的贡献是不能忽略的.
曹艳娟闫祖威
关键词：量子点结合能流体静压力
Hoxc13在毛囊发育中的作用被引量：13
2010年
Hoxc13属于Hox(Homobox)基因家族Abd-B类成员之一,与毛囊形成和毛发生长密切相关。毛发结构蛋白KP(角蛋白)和KAP(角蛋白关联蛋白)的表达都受Hoxc13的严格调控,Hoxc13表达水平会直接影响毛发的特性,对维持毛囊的正常形态也至关重要。文章就Hoxc13的表达水平对毛囊发育和毛发生长的影响及Hoxc13与相关基因的调控进行了综述。
吴江鸿闫祖威胡斯乐张文广李金泉
关键词：毛囊
A－B－A结构的原子晶格链中晶格振动的界面态
1996年
采用界面重标度方法，严格求解了对称Ａ－Ｂ－Ａ结构的原子晶格链中晶格振动的界面态的本征值问题，获得了界面态存在的充分必要条件的精确解析式．
闫祖威云国宏
关键词：晶格振动界面态原子链
三元混晶四层系统的表面和界面声子极化激元被引量：2
2014年
运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了真空/极性二元晶体薄膜/极性三元混晶薄膜/极性二元晶体衬底四层系统的表面和界面声子极化激元.以AlxGa1-xAs/GaAs和ZnxCd1-xSe/ZnSe为例,获得了表面和界面声子极化激元模的色散关系以及表面模和界面模的频率随混晶组分和薄膜厚度的变化关系.结果表明,三元混晶四层异质结系统中存在七支表面和界面声子极化激元模,且这七支表面模和界面模的频率随混晶组分和薄膜厚度呈非线性变化,三元混晶的"单模"和"双模"性也在色散曲线中得到了很好的体现.
包锦闫翠玲闫祖威
关键词：三元混晶
纤锌矿氮化物半导体中电子-声子相互作用对表面电子态的影响(英文)
2007年
采用变分法研究了半无限纤锌矿氮化物半导体中电子表面态问题.计及电子与表面光学声子相互作用和结构异性的影响导出了系统的有效哈密顿量,获得了电子表面态能级、电子与表面光学声子相互作用能量分别随表面势垒的变化关系.对GaN,AlN和InN进行了数值计算.结果表明,电子与表面声子的相互作用使电子的表面能级下降,并且纤锌矿结构的GaN和AlN中电子-声子相互作用能量较闪锌矿结构大,而对InN情况正好相反.在计算的所有材料中纤锌矿材料的电子表面能级比闪锌矿的低几百meV.电子与表面光学声子相互作用对表面电子态的影响不应被忽略.
李根小闫祖威
关键词：表面电子态电声子相互作用氮化物半导体
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