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闫玲玲: 作品数：65 被引量：47H指数：4; 供职机构：河南理工大学更多>>; 发文基金：中国博士后科学基金国家自然科学基金湖南省自然科学杰出青年基金更多>>; 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

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一种高性能SERS活性基底ZIF-8/Ag-Au/Si-NPA的制备方法: 本发明涉及拉曼检测技术领域，且公开了一种高性能SERS活性基底ZIF‑8/Ag‑Au/Si‑NPA的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)具有良好还原性的纳米多孔硅柱状阵列的制备；2)Ag‑Au/Si‑NPA SERS...; 闫玲玲蔡红新陈亮曹国华张国祥刘媛媛; 文献传递

一种光伏发电装置及供电系统: 一种光伏发电装置及供电系统，属于电池领域。光伏发电装置包括安装架、滑动机构、电池组件以及指向调整器。其中，安装架被构造来固定于建筑物。滑动机构安装于安装架。电池组件包括相互匹配的电池架、可折叠电池板。电池架可移动地设置于...; 陈亮蔡红新殷仲磊闫玲玲乔文涛杨鹏; 文献传递

硫化镉量子点/硅纳米孔柱太阳能电池及其制备方法: 本发明提供了一种硫化镉量子点/硅纳米孔柱太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，该硫化镉量子点/硅纳米孔柱太阳能电池的制备方法包括用连续离子层吸附反应法在纳米孔柱硅片表面制备Cu和In掺杂的硫化镉量子点的步骤。利...; 闫玲玲蔡红新陈亮王永强杨鹏; 文献传递

折叠式光伏电池组件及光伏发电装置: 折叠式光伏电池组件及光伏发电装置，属于光伏电池领域。该组件包括：铺展框架，含第一、二铺展杆两个铺展杆，两个铺展杆垂直于轴向并排设置，每个铺展杆均为伸缩杆。收纳框架，含第一、二收纳杆两个收纳杆，两个收纳杆与两个铺展杆共面，...; 乔文涛闫玲玲蔡红新陈亮杨鹏; 文献传递

多孔硅有效介电函数研究: 2006年; 采用改进过的Maxwell-Garnett模型研究了入射光波长和多孔硅的孔隙率对反射光谱和介电光谱的影响,结果表明:(1)随着入射光波长的增大,多孔硅的反射率先增大后减小,而随着孔隙率的增大反射光谱出现了明显的下塌趋势,且孔隙率越大下塌得越明显;(2)随着孔隙率的增加,多孔硅复介电光谱出现明显的蓝移现象,且多孔硅有效介电常数的实部和虚部均变小。此外还对这种现象给出了较为合理的解释。; 李宏建卓敬清欧阳俊闫玲玲熊志勇; 关键词：多孔硅有效介质理论反射光谱

LiF修饰阴极的双层有机电致发光器件发光效率被引量：4: 2007年; 考虑LiF绝缘缓冲层对电子注入势垒的影响,给出了LiF/金属复合电极注入势垒的表达式;基于载流子的注入和复合过程,建立了双层有机电致发光器件发光效率的理论模型;讨论了器件效率随电压、注入势垒、内界面势垒、有机层厚度的变化关系.结果表明:(ⅰ)当δe/δh<2时,金属/有机物(M/O)界面属于欧姆接触,当δe/δh=2时,M/O界面成为接触限制,当δe/δh=2(Φh≈0.2eV,Φe≈0.3eV)时,M/O界面存在从欧姆接触向接触限制的转变;(ⅱ)ηEL随δe′/δh′的增大而减小,但δe′/δh′>2.5(Hh′≈0.2eV,He′>0.4eV),ηEL的变化趋势变得平缓,这时载流子注入对器件的ηEL起支配作用;(ⅲ)逐渐增加Lh/L比值,较低电压下ηR呈下降趋势,较高电压下ηR则呈上升趋势.当电压超过启动电压后,对于给定的Lh/L,随电压的增大,ηEL是先增加后降低,且随着Lh/L的增加,ηEL的这种变化趋势更加明显.这些都与报道的理论及实验结果相符.; 李宏建朱儒晖闫玲玲张海燕; 关键词：电致发光效率

TFT-OLED像素单元电路及驱动系统分析被引量：3: 2005年; 本文基于TFT-OLED有源矩阵像素单元电路,着重分析了两管TFT结构、三管TFT结构、四管TFT结构及多管TFT结构的电压控制型与电流控制型像素单元电路的工作原理和优缺点,指出电压控制型电路具有响应速度快的特点,而电流控制型电路则能准确地调节显示的灰度。最后简要讨论了控制/驱动IC对TFT-OLED有源驱动电路的影响。; 朱儒晖李宏建闫玲玲; 关键词：单元电路电流控制型有源矩阵 TFT OLED

硫化镉/硅纳米孔柱太阳能电池及其制备方法: 本发明提供了一种硫化镉/硅纳米孔柱太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，该硫化镉/硅纳米孔柱太阳能电池的制备方法包括用两步法在纳米孔柱硅片表面制备硫化镉纳米薄膜的步骤，利用该制备方法能够缓解现有硫化镉纳米薄膜均...; 闫玲玲蔡红新陈亮侯秀芳王永强杨鹏

VO2基热致变色复合薄膜及其应用: 本发明涉及一种VO2基热致变色复合薄膜及其应用。该VO2基热致变色复合薄膜包括：第一热致变色功能层(5)、第二热致变色功能层(3)以及第三热致变色功能层(1)，其中，所述第一热...; 宗海涛胡强李明乔文涛闫玲玲蔡红新卞琳艳

聚合物电致发光器件中用类金刚石碳膜增强电子注入(英文)被引量：1: 2006年; 用正丁胺作碳源，采用射频辉光等离子系统制备类金刚石碳膜（DLC），沉积在聚合物发光器件中的发光层（MEH-PPV）和铝（Al）阴极间作电子注入层．制备了结构为ITO／MEH-PPV／DLC／Al的不同DLC厚度的器件，测量了器件的，I-V特性、亮度及效率，研究了DLC层对器件电子注入性能影响的机制．结果表明：当DLC厚度小于1．0nm时，其器件有较ITO／MEH-PPV／Al高的启动电压和低的发光效率；当DLC厚度在1．0～5．0nm之间时，器件的性能随着DLC厚度增加而变好；当DLC厚度为5．0nm时，器件具有最低的启动电压与最高的发光效率；当DLC厚度继续增加时，器件的性能随着DLC厚度增加而变差．并对ITO／MEH-PPV／DLC／Al和ITO／MEH-PPV／LiF／Al的器件性能进行了比较研究．; 李宏建闫玲玲黄伯云易丹青胡锦何英旋彭景翠; 关键词：类金刚石碳膜