闫勇彦
- 作品数：7 被引量：16H指数：3
- 供职机构：重庆师范大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：重庆市教育委员会科学技术研究项目重庆市教委科研基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信冶金工程更多>>
- 退火处理对Ti-WO_3薄膜的结构和气敏特性的影响被引量：4
- 2008年
- 用X射线衍射和透射电镜表征了直流磁控溅射法制得的Ti-WO3薄膜的晶型、晶格常数、粒径等。研究了退火对Ti-WO3薄膜气敏性质和微结构的影响,找出了最佳退火温度和工作温度;并对机理进行了分析。结果表明:450℃退火的薄膜的气敏效应很好,最佳工作温度在150℃左右;
- 张召涛杨晓红马勇孙彩芹闫勇彦朱绍平
- 关键词：直流磁控溅射退火气敏特性
- 氧浓度对磁控溅射Ti/WO_3薄膜光学性能的影响被引量：2
- 2009年
- 在不同氧浓度下,采用直流反应磁控溅射技术在玻璃基片上制备了Ti掺杂的WO3薄膜并在450℃退火。用X射线衍射(XRD)、分光光度计、台阶仪等对薄膜的结构和光学性质进行表征,分析了不同氧浓度对气敏薄膜的透光率、微结构及光学带隙的影响。结果表明,氧浓度增大,沉积速率越慢,膜厚度减小,薄膜的平均晶粒尺寸增大,晶面间距增大;透射率曲线随着氧浓度的增加逐渐向短波方向移动,表明薄膜的光学带隙宽度随氧浓度的增大而变大。
- 孙彩芹杨晓红闫勇彦张召涛
- 关键词：直流磁控溅射氧浓度透射率
- Zn、Ti和Zn、Sn共溅射膜的制备及气敏性研究
- ZnO薄膜是重要的半导体材料，有着优秀的光电性能与气敏性能。此外，其原材料在自然界中储量丰富、成本低廉又具有高的热稳定性和化学稳定性，具有广阔的应用前景。经过对ZnO掺杂后，薄膜的性能可以得到大幅提高，因此，开展这方面的...
- 闫勇彦
- 关键词：ZNO薄膜磁控共溅射气敏特性
- 文献传递
- 纳米WO_3材料的制备及掺杂改性进展被引量：5
- 2009年
- 纳米WO3是过渡金属化合物半导体,因其具有良好的电致变色、气致变色、光致变色、气敏特性而得到广泛地应用和研究。通过不同的掺杂方法、掺杂物和合理的掺杂量可实现材料改性。本文结合近年来国内外相关文献,综述了纳米WO3材料的研究现状和进展,重点概述了纳米WO3基超细粉体和薄膜的常见制备方法(沉淀法、微乳液法、溅射镀膜法和溶胶-凝胶法)并对不同制备方法的优缺点进行比较;介绍了不同掺杂对纳米WO3基材料的改性进展,尤其是掺杂对WO3材料电致变色、气敏特性以及催化性能方面的影响及应用进行了较为详细的综述,WO3适度的掺杂提供了更多的电子(或空穴),提高了电导率,对WO3的性能产生影响;最后对纳米WO3材料的发展前景进行了展望。
- 孙彩芹杨晓红闫勇彦
- 关键词：纳米WO3掺杂
- Sb掺杂ZnO纳米材料的研究进展
- 2009年
- ZnO纳米材料是一种新型的直接带隙半导体材料,其禁带宽度为3.37eV。Sb掺杂ZnO纳米材料在光电、气敏效应、p型导电等方面具有优良的性质。介绍Sb掺杂ZnO纳米材料在这几方面的最新研究进展。
- 闫勇彦马勇朱绍平
- 关键词：ZNO薄膜P型ZNO
- 磁控溅射Ti/WO_3薄膜的微结构及光学性能
- 2008年
- 采用直流反应磁控溅射技术在玻璃基片上制备不同氧分压的Ti掺杂的WO3薄膜。用X射线衍射(XRD)、分光光度计、台阶仪等对薄膜的结构、光学性质进行表征;分析不同的氧分压对气敏薄膜透光率和结构的影响。结果表明,氧分压增大,膜厚减小,薄膜的平均晶粒尺寸增大,晶面间距增大,光学带隙变小。并用包络线法和经验公式法计算出薄膜的光学常数,结果表明,折射率和消光系数随氧分压的增加而增大。
- 张召涛杨晓红马勇孙彩芹闫勇彦
- 关键词：磁控溅射微结构光学常数
- 热处理对WO_3薄膜光学性质的影响被引量：6
- 2008年
- 直流反应磁控溅射法制备了WO3薄膜,薄膜在723K纯N2气中被退火处理。热处理前WO3薄膜为无定形态,热处理后为多晶态。采用透射谱和单谐振子模型获得了薄膜的折射率和消光系数,得到退火前后谐振子能量分别为5.77和5.28eV,色散能为19.9和15.9eV。分析表明退火前后吸收边附近均表现出间接带隙的两段线性关系,间接带隙分别为3.14和2.96eV,声子能量为32和149meV,退火后带隙减小推测可能是由于退火薄膜晶化,氧填隙粒子导致的带尾态效应消失的结果。
- 杨晓红孙彩琴闫勇彦
- 关键词：退火光学常数
