金传洪
- 作品数：25 被引量：13H指数：3
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市教育委员会重点学科基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电气工程电子电信更多>>
- 透射电子显微镜下原位观察石墨烯液体池中水的辐解和凝结被引量：1
- 2019年
- 利用石墨烯液体池技术,将液体水束缚在两层石墨烯之间,实现透射电子显微镜下纳米尺度液相反应的原位动态观察。通过对电子束的精确调控来控制水的辐解和凝结行为:若先在高电子剂量率下辐照液体,我们发现回到低剂量率后一系列纳米气泡在水中有序地析出并发生长大。界面反应是纳米气泡生长的限制因素,且新生的气泡的生长会抑制既有气泡的长大行为。进一步分析表明气泡内的气体处于致密的压缩态,体系内总的分子数随时间近似线性增加。而持续以相对适中的恒定电子剂量率作用,水辐解产生的气泡中又出现纳米水滴的凝结,并重复地长大/消失。该结果对于研究纳米限域环境下气/液界面反应等重要过程具有参考价值,同时有助于深入理解液体透射电镜下电子束效应对实验的影响。
- 胡奇金传洪
- 关键词：辐解
- 透射电镜下纳米材料的操纵
- 王晶云王鸣生金传洪陈清彭练矛
- 文献传递
- 原位电子显微学表征新型碳纳米结构
- 金传洪
- 透射电镜下纳米材料的操纵
- 2005年
- 王晶云王鸣生金传洪陈清彭练矛
- 关键词：纳米材料透射电镜电子器件物理学研究纳米碳管
- 基于MEMS工艺的电学TEM芯片研发与应用
- 2021年
- 透射电子显微镜利用电子束与样品相互作用成像,可提供原子分辨率的结构和成分信息、原子尺度的空间结构和化学成分等信息,是研究材料微观结构与性能关系的有效手段。随着材料尺寸的不断缩小,其电学性质受结构、形貌的影响显著,在纳米乃至原子尺度下研究纳米材料的电学性能十分必要。通过半导体微制造工艺,设计、制备了一款原位电镜用四电极电学芯片,并结合原位样品杆和高精度数字源表,测量了不同条件下制备的单层二硫化钼材料的电流-电压特性曲线。
- 孙扬金传洪
- 关键词：MEMS工艺
- 用原位液体池透射电镜技术表征金属钯在球形金纳米颗粒表面的异质沉积被引量：3
- 2017年
- 采用原位液体池透射电镜技术,在扫描透射电子显微镜(STEM)中,实时观察溶液中金属钯(Pd)在金(Au)纳米颗粒及团簇周围的异质沉积过程。通过对该动态过程的定量分析,结合高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对样品进行形貌与结构表征,研究异质沉积的机理。结果表明,电子束辐照下Au-Pd异质结构纳米颗粒的形成存在两种主要机制:第一种机制中,Pd在Au纳米颗粒表面的生长是以岛状沉积开始,随着时间推移,出现Pd岛的结构弛豫和沿着Au颗粒表面的迁移扩展。伴随Pd的不断沉积和弛豫,Au-Pd复合颗粒的外接圆直径表现为震荡生长,而Au表面的Pd覆盖率显示出随时间单调增加的趋势。第二种机制中,由于Pd单体在Au纳米颗粒上的沉积位点有限,使部分被还原的Pd在Au颗粒以外区域进行同质形核与生长形成Pd团簇,之后再与Au颗粒上的Pd岛合并。进一步的结果分析显示,Au颗粒外围的Pd沉积体为多晶结构,由随机取向的Pd纳米晶粒构成。
- 周晓琴张辉张泽陈新金传洪
- 关键词：结构弛豫
- 一维纳米材料的原位制备、操纵和物性测量
- 本文采用透射电子显微技术和扫描探针技术的有机结合，对一维纳米材料主要是管、线进行原位制备、操纵和物性测量，主要包括：电迁移过程中金属Fe颗粒与多壁碳纳米管相互作用动力学过程研究;电子束诱导沉积制备一维无定型碳纳米线的可控...
- 金传洪
- 关键词：一维纳米材料场致电子发射电迁移肖特基势垒光电开关
- 文献传递
- P2型钠离子电池正极材料Na_(0.66)Mn_(0.675)Ni_(0.1625)Co_(0.1625)O_2的表面重构及其演变的电子显微表征被引量：1
- 2016年
- 采用球差校正扫描透射电子显微镜(STEM)、X射线能谱(EDS)等分析手段表征了高温固相法合成的Na_(0.66)Mn_(0.675)Ni_(0.1625)Co_(0.1625)O_2钠离子过渡金属氧化物正极材料。X射线衍射(XRD)结果表明该材料为结晶性良好的P2型钠离子层状氧化物(P6_3/mmc)。原子尺度的结构与成分分析显示材料表面存在宽度约为1-2 nm的表面重构层,重构区域内存在大量晶格畸变与反位缺陷,并伴有一定程度的成分偏析——表面富钴(Co)、缺镍(Ni)。进一步研究表明这些表面重构区域在时效过程中会发生明显的"退化",即初始表面重构层宽度会进一步扩展至5-10 nm,部分区域钠离子耗尽,由层状结构转变为尖晶石(Spinel,Fdm)与岩盐相(rocksalt,Fmm)共存的结构。
- 黄威邬春阳曾跃武金传洪张泽
- 关键词：钠离子电池
- 硫族元素取代法制备原子层厚的MoS2-MoSe2平面异质结
- 2020年
- 本研究采用两步化学气相沉积法首先制备单层MoSe2材料,然后对其进行硫化,结合原子分辨环形暗场扫描透射电子显微镜(ADF-STEM)定量表征了不同硫化时间下样品中替代硫原子的分布。研究表明:硫原子取代优先发生在MoSe2晶畴边缘,形成MoS2-MoSe2异质结构,该异质界面进一步作为取代反应中心逐渐向MoSe2晶畴内部扩展,最终形成具有原子级平整界面的MoS2-MoSe2平面异质结。
- 高万冬黄威郑遗凡金传洪
- CVD-STEM联动法探究过渡族金属硫族化合物的生长动力学
- 朱丹诚王胡莲姜枫吕丹辉张泽金传洪
